半導(dǎo)體的核心成長(zhǎng)邏輯來自國(guó)產(chǎn)替代。近年來外部環(huán)境對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)限制持續(xù)加劇，隨著特朗普成功就任，外部環(huán)境的變化更趨復(fù)雜化，先進(jìn)制造、半導(dǎo)體設(shè)備及零部件、半導(dǎo)體材料等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”核心環(huán)節(jié)自主可控需求迫切，國(guó)產(chǎn)替代有望加速推進(jìn)，尤其在先進(jìn)制造中持續(xù)突破的國(guó)產(chǎn)廠商，將會(huì)迎來重大發(fā)展機(jī)遇，看好當(dāng)前國(guó)產(chǎn)化率亟待突破的先進(jìn)制造、半導(dǎo)體設(shè)備等核心板塊。

我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)產(chǎn)化率低，設(shè)備種類繁多，多種細(xì)分設(shè)備國(guó)產(chǎn)化程度不足20%，是主要卡脖子的環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體高端制程設(shè)備封鎖，護(hù)城河非常深，無論是技術(shù)壁壘、客戶驗(yàn)證壁壘、還是生態(tài)壁壘都非常高。國(guó)產(chǎn)企業(yè)需要攻堅(jiān)克難，完成技術(shù)0-1突破，中低端導(dǎo)入，增大國(guó)產(chǎn)供應(yīng)比例，逐步完成高端產(chǎn)品線國(guó)產(chǎn)替代。

下圖是半導(dǎo)體材料與工藝設(shè)備總結(jié)的半導(dǎo)體設(shè)備和材料國(guó)產(chǎn)化情況表：

半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率表

（數(shù)據(jù)為2023年 單位：美元）

半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化情況表

（數(shù)據(jù)為2023年）

除了國(guó)產(chǎn)替代，先進(jìn)封裝同樣是2025年具有突出成長(zhǎng)性的細(xì)分賽道。算力芯片海外代工限制不斷升級(jí)，AI端側(cè)應(yīng)用相繼落地，2025年有望看到國(guó)產(chǎn)先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈需求彈性。當(dāng)前算力芯片的COWOS封裝+HBM顯存已經(jīng)成為主流方案。COWOS方面，臺(tái)積電為首的海外龍頭廠商把握業(yè)內(nèi)主要客戶，國(guó)產(chǎn)廠商亦積極建設(shè)先進(jìn)封裝產(chǎn)能；HBM方面，3D堆疊封裝形式帶來全新的封裝設(shè)備、封裝材料需求。

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主營(yíng)產(chǎn)品:ESD、TVS、MOS管、DC-DC,LDO系列、霍爾傳感器，高精度運(yùn)放芯片，汽車音頻功放芯片等。

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