近日,泰克科技與遠山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進展,雙方共同對遠山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估,取得了令人矚目的成果。
此次合作不僅驗證了遠山半導(dǎo)體1700V GaN器件在高性能方面的卓越表現(xiàn),還為其在高端應(yīng)用市場的進一步拓展奠定了堅實基礎(chǔ)。通過泰克科技先進的測試設(shè)備和專業(yè)團隊的支持,雙方對器件的電氣性能、可靠性以及熱管理等方面進行了全面評估,確保了器件在實際應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。
測試結(jié)果顯示,遠山半導(dǎo)體的1700V GaN器件在高壓、高功率密度以及高效率等方面均表現(xiàn)出色,具有廣闊的市場應(yīng)用前景。這一成果不僅彰顯了泰克科技與遠山半導(dǎo)體在技術(shù)創(chuàng)新方面的實力,也為整個半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。
未來,泰克科技與遠山半導(dǎo)體將繼續(xù)深化合作,共同推動GaN器件技術(shù)的不斷革新,為更多高端應(yīng)用提供卓越的解決方案。雙方相信,通過共同努力,將能夠引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)邁向更加高效、智能、可持續(xù)的發(fā)展道路。
-
測試設(shè)備
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
397瀏覽量
19065 -
泰克科技
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
219瀏覽量
20597 -
GaN器件
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
52瀏覽量
8246
發(fā)布評論請先 登錄
基于1700V碳化硅MOSFET的反激輔助電源設(shè)計
泰克專家探討類腦計算背后的器件邏輯與現(xiàn)實挑戰(zhàn)
傾佳電子研究報告:B2M600170R與B2M600170H 1700V碳化硅MOSFET在電力電子輔助電源中的應(yīng)用
雙向創(chuàng)“芯” — 云鎵半導(dǎo)體國內(nèi)首發(fā)高壓 GaN 雙向器件 (GaN BDS)
傾佳電子面向電力電子功率變換系統(tǒng)的高可靠性1700V碳化硅MOSFET反激式輔助電源設(shè)計
是德科技Keysight B1500A 半導(dǎo)體器件參數(shù)分析儀/半導(dǎo)體表征系統(tǒng)主機
泰克示波器如何精準測量半導(dǎo)體SiC的動態(tài)特性
傾佳電力電子設(shè)備高壓輔助電源拓撲、器件選型與1700V SiC MOSFET技術(shù)分析報告
泰克科技攜手東方中科亮相PCIM Asia 2025
GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式
兩款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET在逆變器/變流器輔助電源設(shè)計中廣受歡迎
現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
泰克科技功率器件雙脈沖測試解決方案
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
泰克與遠山半導(dǎo)體合作推進1700V GaN器件
評論