瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF。這兩款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電管理等關(guān)鍵應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)計，旨在提供卓越的大電流開關(guān)性能。
RBA300N10EANS與RBA300N10EHPF的推出，標(biāo)志著瑞薩電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。這兩款MOSFET憑借出色的電氣特性和熱穩(wěn)定性，將為用戶帶來更高效、更可靠的解決方案。
據(jù)悉，基于這兩款創(chuàng)新產(chǎn)品的終端設(shè)備將廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域，包括但不限于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數(shù)據(jù)中心以及不間斷電源（UPS）等。這些應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，不僅進一步證明了瑞薩電子在半導(dǎo)體技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，也預(yù)示著未來電子設(shè)備在能效和可靠性方面將迎來顯著提升。
瑞薩電子的這一創(chuàng)新成果，無疑將為全球半導(dǎo)體行業(yè)注入新的活力，推動相關(guān)領(lǐng)域的快速發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9674瀏覽量
233552 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30737瀏覽量
264173 -
瑞薩電子
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
2973瀏覽量
74370
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
CSD19531KCS 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET 性能剖析與應(yīng)用指南
CSD19531KCS 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET 性能剖析與應(yīng)用指南 作為一名電子工程師，在設(shè)計工作中挑選合適的功率
CSD19534KCS 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET深度解析
CSD19534KCS 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計工作中，功率 MOS
SL9003 內(nèi)置100V MOS管的降壓型LED恒流驅(qū)動芯片 支持PWM調(diào)光 大功率1.5A
推出的SL9003，是一款內(nèi)置100V功率MOS管的降壓型LED恒流驅(qū)動芯片，憑借其卓越的寬壓適應(yīng)能力、高達1.5A的驅(qū)動能力以及靈活的調(diào)光 方式，成為了大功率LED照明解決方案中的佼
發(fā)表于 03-05 14:40
CSD19535KTT 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析
CSD19535KTT 100V N - Channel NexFET? Power MOSFET 深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，功率 MOSFET
深入解析CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET
深入解析CSD19536KTT 100V N-Channel NexFET? Power MOSFET 在電子工程師的日常設(shè)計中，功率MOSFET
選型手冊：AGM012N10LL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
AGMSEMI推出的AGM012N10LL是一款面向100V中壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TOLX-8L封裝，適配高壓
選型手冊：VSP011N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP011N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電
選型手冊：VS1605ATM N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1605ATM是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理
選型手冊：VSP003N10HS-K N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓超大功率
選型手冊：VST018N10MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VST018N10MS是一款面向100V中壓大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓
選型手冊：VSP004N10MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5060X封裝，適配中壓大功率
選型手冊：MOT1111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT1111T是一款面向100V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超
選型手冊：MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOS
ZK100G325P深度應(yīng)用解析：SGT工藝賦能的中低壓MOS管大功率場景革新
中科微電ZK100G325P作為N溝道功率MOS管，以100V耐壓、超300A持續(xù)電流的硬核參數(shù)，融合SGT（屏蔽柵晶體管）工藝與高適配封裝，不僅精準(zhǔn)破解這一行業(yè)痛點，更在工業(yè)驅(qū)動、新能源儲能、消費
ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務(wù)器和工業(yè)電源高效能
近期，ROHM半導(dǎo)體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構(gòu)中的熱插拔電路設(shè)計，廣泛應(yīng)
工商網(wǎng)監(jiān)
評論