來源：新華網(wǎng)

我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級的驅(qū)動因素和重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉，我國在太空成功驗證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導體材料有望牽引我國航天電源升級換代。
據(jù)中國科學院微電子研究所劉新宇研究員介紹，功率器件是實現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽為“電力電子系統(tǒng)的心臟”，是最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的器件之一。
隨著硅基功率器件的性能逼近極限，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，以其獨特優(yōu)勢可滿足空間電源系統(tǒng)高能效、小型化、輕量化需求，對新一代航天技術(shù)發(fā)展具有重要戰(zhàn)略意義。
2024年11月15日，中國科學院微電子研究所劉新宇、湯益丹團隊和中國科學院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團隊共同研制的碳化硅（SiC）載荷系統(tǒng)，搭乘天舟八號貨運飛船飛向太空，開啟了空間站軌道科學試驗之旅。
“本次搭載主要任務(wù)是對國產(chǎn)自研、高壓抗輻射的碳化硅（SiC）功率器件進行空間驗證，并在航天電源中進行應(yīng)用驗證，同時進行綜合輻射效應(yīng)等科學研究，逐步提升我國航天數(shù)字電源功率，支撐未來單電源模塊達到千瓦級?！眲⑿掠钫f。
通過一個多月的在軌加電試驗，碳化硅（SiC）載荷測試數(shù)據(jù)正常，成功進行了高壓400V碳化硅（SiC）功率器件在軌試驗與應(yīng)用驗證，在電源系統(tǒng)中靜態(tài)、動態(tài)參數(shù)均符合預(yù)期。
業(yè)內(nèi)專家認為，我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件，標志著在以“克”為計量的空間載荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牽引空間電源系統(tǒng)的升級換代，為未來我國在探月工程、載人登月、深空探測等領(lǐng)域提供新一代功率器件。

審核編輯 黃宇