LMG3422EVM-043 在半橋中配置了兩個(gè) LMG3422R030 GaN FET，具有鎖存過流保護(hù)功能和所有必要的輔助外圍電路。此 EVM 旨在與大型系統(tǒng)配合使用。

LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，這使得低側(cè)參考信號能夠控制兩個(gè)場效應(yīng)晶體管。功率級上配備了高頻去耦電容，采用優(yōu)化布局，以盡量減少寄生電感并降低電壓過沖。

*附件：LMG342XEVM - 04X 評估模塊的用戶指南.pdf

板子的布局對器件的性能和功能至關(guān)重要。TI 建議使用四層或更多層數(shù)的電路板，以減少寄生電感，從而使器件達(dá)到合適的性能。在 LMG342XR030 600V 30mΩ 氮化鎵場效應(yīng)晶體管集成驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)手冊中提供了布局指南，包括引腳編號、功率環(huán)路電感、信號和接地連接，以優(yōu)化焊接點(diǎn)的可靠性。

特征

• 輸入電壓最高可達(dá) 600 V
• 用于評估 LMG342XR0XX 性能的簡單開環(huán)設(shè)計(jì)
• 板載單/雙 PWM 輸入，用于具有可變死區(qū)時(shí)間的 PWM 信號
• 逐周期過流保護(hù)功能
• 使用帶有短接地彈簧探頭的示波器探頭進(jìn)行邏輯和功率級測量的便捷探測點(diǎn)

在 LMG342XEVM - 04X 上，從 VDC 到 PGND 有一些高頻去耦電容，用于在開關(guān)過程中最小化電壓過沖，但在運(yùn)行期間，需要更多的大容量電容來維持直流電壓。TI 建議避免從 VSW 到 VDC、PGND 以及任何邏輯引腳之間出現(xiàn)重疊和寄生電容。在 LMG342XEVM - 04X 上，功率地 PGND 和模擬地 AGND 這兩個(gè)接地引腳在功能上是相互隔離的。

自舉模式

LMG342XEVM - 04X 板可以進(jìn)行修改以在自舉模式下運(yùn)行，在這種模式下，12V 的偏置電壓用于為每個(gè) LMG342XR0X0 器件供電。可以通過對該評估模塊進(jìn)行以下修改來實(shí)現(xiàn)此模式：

1. 移除 R1。
2. 在 R2 上放置一個(gè) 2Ω 的電阻。
3. 在 D1 上放置一個(gè) 60V 的 SOD - 123 二極管，如 UFM15PL - TP。
4. 將低側(cè)的 Rdrv 電阻調(diào)整為大于 70kΩ，這對應(yīng)于低側(cè)器件控制底部 GaN 場效應(yīng)晶體管 Q1 時(shí)低于 60V/ns 的轉(zhuǎn)換速率。當(dāng)自舉電源準(zhǔn)備就緒時(shí)，底部的 GaN 場效應(yīng)晶體管 U2 以較低的轉(zhuǎn)換速率切換到正常工作狀態(tài)，然后以較高的轉(zhuǎn)換速率工作。