根據(jù)SEMI世界晶圓廠預(yù)測報告（ World Fab Forecast）的最新更新顯示，晶圓廠設(shè)備支出將在2019年增長5％，也也是連續(xù)第四年增長。按正常計劃，預(yù)計中國將成為2018年和2019年晶圓廠設(shè)備支出增長的主要驅(qū)動因素(見下圖)。自20世紀(jì)90年代中期以來，這個行業(yè)連續(xù)三年沒有增長。

SEMI預(yù)測三星將在2018年和2019年引領(lǐng)晶圓廠設(shè)備支出，但三星每年投資較2017年下降。相比之下，中國將在2018年大幅增加晶圓設(shè)備支出達(dá)57％，2019年達(dá)到60％，主要體現(xiàn)在跨國公司和國內(nèi)公司的晶圓廠項目。中國支出的飆升預(yù)計將在2019年超過韓國成為首要支出地區(qū)。

在2017年創(chuàng)紀(jì)錄的投資后，2018年韓國晶圓廠設(shè)備支出將下降9％至180億美元，2019年將增加14％至160億美元。然而，這兩年將超過該地區(qū)2017年前的支出水平。 2018年第三大晶圓廠投資地區(qū)***晶圓廠設(shè)備支出將下降10％至約100億美元，但預(yù)計2019年反彈15％至110億美元以上。（有關(guān)其他地區(qū)消費趨勢的詳情可在SEMI最新的World Fab Forecast中找到。）

正如預(yù)期的那樣，隨著項目轉(zhuǎn)向周期內(nèi)早期建造的設(shè)備工廠，中國的晶圓廠設(shè)備支出正在增加。 2017年在中國開始建設(shè)的26座工廠將于今年和明年開始裝機(jī)。見下圖。

非中國公司在中國的晶圓設(shè)備投資中占有最大份額。不過，中國企業(yè)預(yù)計2019年將增加晶圓廠，將其在中國的支出份額從2017年的33％增加到2019年的45％。

產(chǎn)品領(lǐng)域支出

3D NAND將帶動產(chǎn)品領(lǐng)域支出，在2018年和2019年各增長3％，分別達(dá)到160億美元和170億美元。 DRAM在2018年將強(qiáng)勁增長26％，達(dá)到140億美元，但預(yù)計2019年將下降14％至120億美元。代工廠將在2018年將設(shè)備支出增加2％至170億美元，2019年將增長26％到220億美元，主要用于支持7納米投資和新產(chǎn)能的增長。