納維塔斯半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)與兆易創(chuàng)新建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在開發(fā)適用于下一代電力電子的完全集成電源和控制平臺。為此，兩家公司已聯(lián)合開設(shè)研發(fā)實驗室，計劃將納維塔斯的GaNFast電源集成電路與兆易創(chuàng)新的GD32微控制器進行深度結(jié)合，以應(yīng)對人工智能數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能和能源儲存領(lǐng)域?qū)Ω咝芟到y(tǒng)日益增長的需求。

此合作的核心是解決寬禁帶半導(dǎo)體系統(tǒng)設(shè)計中的一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)：如何將高速度的氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率開關(guān)與高效且響應(yīng)迅速的控制系統(tǒng)相匹配。通過開發(fā)高度集成的解決方案，納維塔斯與兆易創(chuàng)新希望使高頻、高密度的電源設(shè)計變得更加易于實現(xiàn)。

氮化鎵和碳化硅技術(shù)相較于傳統(tǒng)硅材料，具有更快的開關(guān)速度、更高的效率和更優(yōu)的功率密度，但同時也對控制精度提出了更高的要求。高速度拓撲結(jié)構(gòu)，例如無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)轉(zhuǎn)換器，其工作頻率往往超出傳統(tǒng)微控制器的處理能力。因此，聯(lián)合實驗室將專注于優(yōu)化微控制器性能，使其與GaN和SiC設(shè)備的開關(guān)能力相匹配。

納維塔斯的GaNFast集成電路將多種功能集成在一個芯片上，包括GaN場效應(yīng)管、柵極驅(qū)動器、邏輯和保護功能。這一集成設(shè)計不僅減少了寄生效應(yīng)，還提高了開關(guān)速度。該公司產(chǎn)品組合涵蓋單橋和半橋集成電路，能夠支持多種拓撲和功率等級，廣泛應(yīng)用于高容量移動充電器及要求嚴格的人工智能服務(wù)器電源。

另一方面，兆易創(chuàng)新提供了一套成熟的通用微控制器平臺，其GD32系列基于ARM Cortex-M7架構(gòu)，具備快速處理和高I/O性能，支持大容量片上內(nèi)存和先進的定時器。這些特性在數(shù)字控制的電力系統(tǒng)中尤為關(guān)鍵，有助于提高系統(tǒng)的時效性和協(xié)調(diào)性。

共同的研發(fā)實驗室將致力于開發(fā)硬件和固件、參考設(shè)計以及系統(tǒng)級應(yīng)用示例，助力工程師更快地構(gòu)建電源級。這些解決方案將包括電磁干擾(EMI)降低、熱管理優(yōu)化、保護算法及快速瞬態(tài)響應(yīng)等功能，旨在解決寬禁帶設(shè)計中常見的挑戰(zhàn)。

合作的初期重點將聚焦在四個關(guān)鍵領(lǐng)域：人工智能數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能發(fā)電和能源儲存。隨著人工智能和電動汽車市場的迅速發(fā)展，對高效能電源解決方案的需求日益增加。聯(lián)合研發(fā)將有助于提升這些領(lǐng)域產(chǎn)品的性能與能效。

兩家公司計劃在2025年底之前推出共同開發(fā)的解決方案，包括可供開發(fā)者根據(jù)具體應(yīng)用進行調(diào)整的固件和硬件設(shè)計。這一合作不僅助力納維塔斯深入開拓中國的工業(yè)和汽車市場，也為兆易創(chuàng)新在電力需求高的領(lǐng)域提供了更完善的系統(tǒng)解決方案。