早在2017年，國內(nèi)公司進軍內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的消息便一直甚囂塵上，其中的代表便是紫光公司，擁有國家政策與資金的扶持之下，終于做出了重要的突破。在今年上半年，憑借英飛凌、奇夢達的基礎(chǔ)在DDR3內(nèi)存上取得了突破，下半年更會推出主流的DDR4內(nèi)存芯片。似乎中國已經(jīng)要趕上國外主流水準，但是業(yè)內(nèi)卻傳出DDR內(nèi)存已經(jīng)過時，新的內(nèi)存即將取代，這無疑給國內(nèi)的DDR內(nèi)存制造廠商當頭一棒。

DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器)。最早是由三星提出，由日本電氣、三菱、富士通、東芝、日立、德州儀器、三星及現(xiàn)代等八家公司協(xié)議訂立的內(nèi)存規(guī)格，并得到了AMD、VIA與SiS等主要芯片組廠商的支持。如今已經(jīng)成為21世紀主流的內(nèi)存規(guī)范。

目前世界上主要有3位DRAM領(lǐng)域的大佬，三星、SK海力士以及鎂光，這三家占據(jù)了市場上95%的份額，國內(nèi)的廠商也是希望能夠打破這種局面，讓自己的產(chǎn)品在世界上占有一席之地。

目前來說，市面上主流的內(nèi)存依然是DDR4，并且DDR5已經(jīng)蓄勢待發(fā)，即將進入市場，但即使是這樣，DDR內(nèi)存帶寬的提升速度依然跟不上時代的腳步，因此有業(yè)界人士提出DDR內(nèi)存即將淘汰的看法。

HBM的崛起

取代者為帶寬更高的HBM內(nèi)存，2020年就會上市HBM 3內(nèi)存，2024年則有望生產(chǎn)出HBM 4內(nèi)存，屆時帶寬可達8TB/s，單插槽容量可達512GB。

對于DDR內(nèi)存，可能大家都還有所了解，但是對于HBM內(nèi)存，也只有那些熱衷于DIY組裝的玩家才會知曉。目前市面上只有HBM 2內(nèi)存，核心容量可達8Gb，通過TSV技術(shù)可以實現(xiàn)每個CPU支持64GB HBM2內(nèi)存，每路插槽的帶寬可達2TB/s，而到了HBM 4時代，每個CPU支持的容量可達512GB，帶寬超過8TB/s。

相比目前AMD的RPYC處理器，其支持8通道DDR4內(nèi)存，最高容量能達到2TB，但是帶寬只有150GB/s，與HBM內(nèi)存相比還有所差距。

AMD在2015年發(fā)布的Fury系列顯卡上，首次商用了第一代HBM技術(shù)，超高的帶寬以及極低的占用面積徹底改變了當時的顯卡設(shè)計，隨后NVIDIA也在Tesla P100上采用了HBM 2 技術(shù)。

總體來說，相比于DDR內(nèi)存，HBM內(nèi)存的帶寬優(yōu)勢更為明顯，在一些需要高帶寬的場合中，HBM無疑是更好的選擇，比如HPC高性能計算機行業(yè)就非常需要HBM支持。

兩種內(nèi)存將長期共存

但目前而言，HBM在短時間內(nèi)還無法大面積進入市場當中，其中有兩個重要原因，一個是目前在桌面端主流的內(nèi)存依然還是DDR，即便由于HBM在帶寬上更具優(yōu)勢，但是由于DDR內(nèi)存在容量上的極大優(yōu)勢，在短時間內(nèi)還無法取代;另一個則是成本問題了，這也是最主要的原因，成本的居高不下，讓HBM內(nèi)存還無法快速融入市場。

如同機械硬盤與固態(tài)硬盤一樣，雖然固態(tài)硬盤不論在讀寫速度還是啟動速度等，都遠勝于機械硬盤，但是容量以及價格，便制約了其發(fā)展?，F(xiàn)如今，幾乎大多數(shù)電腦都還有機械硬盤的存在，固態(tài)硬盤在無法在短時間取而代之，換而言之，DDR內(nèi)存與HBM內(nèi)存之間的關(guān)系也是如此。

并且如今掌握HBM技術(shù)的廠家相對更少，比較知名的只有三星與SK海力士，鎂光由于HMC技術(shù)，因此對于HBM技術(shù)并不熱衷，因此在可以預(yù)見的未來，HBM降低成本的過程將是非常緩慢的。

再一個，全球價值720億美元的DRAM市場上，僅三星一家就占有了46%的市場份額，SK海力士大約在29%，鎂光在收購為其代工內(nèi)存芯片的華亞科之后，市場份額也在21%，兩家韓國公司控制了全球75%的內(nèi)存市場份額，這種高壟斷的形式，也讓國內(nèi)的相關(guān)行業(yè)非常難受，處處受制。

但是反過來說，在這樣高壟斷的情況下，尤其是自己還掌握這HBM技術(shù)之下，更不會主動去砸自己的飯碗，更何況DDR內(nèi)存的市場依然廣大，利潤也更高，除非是鎂光主動發(fā)力，要不然三星與海力士肯定是要賺足DDR的利潤之后，才會考慮推廣HBM。

艱難起步的國產(chǎn)內(nèi)存

而中國在DRAM領(lǐng)域中卻沒有絲毫的存在感，眼看著如此大的市場卻被這些巨頭瓜分，但是自己卻無能為力。好在紫光公司已經(jīng)在這個領(lǐng)域中入門，下半年將會繼續(xù)推出DDR4內(nèi)存。但值得注意的是，雖然紫光已經(jīng)正式推出了自己的內(nèi)存，但是在價格上卻與國外的內(nèi)存相差無幾。

這里面，除了紫光量產(chǎn)的DDR3內(nèi)存太少，無法左右市場價格之外，還有一個原因便是其主要技術(shù)都是來自于奇夢達，而這家公司的技術(shù)已是十多年前的了，導(dǎo)致在DRAM制作工藝上落后，良品率極低，最后不得不在價格上進行妥協(xié)。

并且在晶圓上，大陸企業(yè)相較于國外也落后許多，可以這么說，在這條道路上，我國的企業(yè)基本都是從零開始。不同于其它行業(yè)，可以依靠人力以及資金來解決問題，在這些領(lǐng)域中，唯有技術(shù)才是解決一切的關(guān)鍵。

而我們恰恰缺少的就是相關(guān)的技術(shù)，并且由于頭部公司在相關(guān)技術(shù)人員的把控上異常嚴格，在引進相關(guān)技術(shù)人才時，會導(dǎo)致許多的法律問題。前不久就有報道稱美光公司去年底選擇在美國加州提起訴訟，指控***聯(lián)電及大陸的福建晉華侵犯他們的DRAM專利權(quán)，竊取商業(yè)機密，這就是國內(nèi)公司從***華亞科等公司搶人才所帶來的不利后果之一。

小結(jié)

總的來說，目前國內(nèi)相關(guān)企業(yè)依然還有很長的一段路要走，不但要打破國外的技術(shù)壟斷，還要自己進行創(chuàng)新，紫光雖然已經(jīng)能夠進行DDR3內(nèi)存的量產(chǎn)，并且DDR4在下半年也有望推出，但是采用的依然是別人的技術(shù)，這樣也只能沿著別人的老路走，即使追上去，也智能跟在別人的后面。

擁有自己的創(chuàng)新技術(shù)，是企業(yè)在該行業(yè)中生存的制勝法寶，雖然在短期內(nèi)HBM技術(shù)暫時不會取代DDR技術(shù)，但是長遠來看，國內(nèi)的企業(yè)也可以在這方面進行探討，這樣才可能實現(xiàn)彎道超車。