5G高頻率特性讓氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體制程成為功率放大器（PA）市場(chǎng)主流技術(shù)，同時(shí)，GaN功率元件也開(kāi)始被大量應(yīng)用在車聯(lián)網(wǎng)及電動(dòng)車領(lǐng)域?？春肎aN市場(chǎng)強(qiáng)勁成長(zhǎng)爆發(fā)力，世界先進(jìn)經(jīng)過(guò)3年研發(fā)布局，今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制程將進(jìn)入量產(chǎn)，成為全球第一家提供8英寸GaN晶圓代工的業(yè)者，大啖5G及車電市場(chǎng)大餅。

臺(tái)積電及世界先進(jìn)近年來(lái)積極投入GaN制程研發(fā)，今年可望開(kāi)花結(jié)果，合力搶進(jìn)快速成長(zhǎng)的GaN晶圓代工市場(chǎng)。臺(tái)積電與德商戴樂(lè)格（Dialog）等客戶合作，已開(kāi)始提供6英寸GaN晶圓代工服務(wù)；世界先進(jìn)與設(shè)備材料廠Kyma、轉(zhuǎn)投資GaN硅基板廠QROMIS攜手合作，去年底已成功試產(chǎn)8英寸GaN晶圓，今年將成為全球首家提供8英寸GaN晶圓代工服務(wù)的業(yè)者。

相較于硅制程及砷化鎵（GaAs）等成熟半導(dǎo)體技術(shù)，GaN是相對(duì)較新的制程。隨著5G技術(shù)即將全面商用，基地臺(tái)升級(jí)商機(jī)龐大，由于5G技術(shù)上采用更高操作頻率，業(yè)界對(duì)于GaN元件將逐步取代橫向擴(kuò)散金氧半導(dǎo)體（LDMOS）并成為市場(chǎng)主流技術(shù)已有高度共識(shí)。另外，在手機(jī)PA元件部份，3G及4G主要采用GaAs制程，5G因?yàn)楦哳l的關(guān)系，讓GaN制程的PA元件很有機(jī)會(huì)成為市場(chǎng)新主流。

市調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣指出，GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì)，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì)。同時(shí)，低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失，對(duì)于電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?/p>

在射頻及PA元件、與車用電子等相關(guān)芯片市場(chǎng)中，包括恩智浦、英飛凌、德儀等IDM廠位居主導(dǎo)地位，但在GaN技術(shù)上，IDM廠反而開(kāi)始透過(guò)晶圓代工廠取得產(chǎn)能。也因此，世界先進(jìn)順利搶進(jìn)8英寸GaN晶圓代工市場(chǎng)，可望爭(zhēng)取到更多5G及車電等相關(guān)晶圓代工訂單。

世界先進(jìn)去年合并營(yíng)收年減3.6%達(dá)新臺(tái)幣249.10億元，歸屬母公司稅后凈利年18.7%達(dá)新臺(tái)幣45.05億元，每股凈利新臺(tái)幣2.75元，符合市場(chǎng)預(yù)期。由于8英寸晶圓代工產(chǎn)能吃緊，加上硅晶圓價(jià)格看漲，世界先進(jìn)與客戶協(xié)商后已小幅調(diào)漲第一季晶圓代工價(jià)格，由于產(chǎn)能全年供不應(yīng)求，價(jià)格應(yīng)可逐季調(diào)漲，有助于營(yíng)收及獲利表現(xiàn)。