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光子表面波輔助促進增強石墨烯光的吸收

MEMS ? 來源:未知 ? 作者:鄧佳佳 ? 2018-04-03 15:02 ? 次閱讀
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日前,蘇州大學李孝峰(通訊作者)課題組在Nano Energy上發(fā)表了題為“Photonic surface waves enabled perfect infrared absorption by monolayer graphene”的文章。研究團隊提出了基于純介質(zhì)平面系統(tǒng)的光子表面波輔助增強石墨烯光吸收,通過7層介質(zhì)薄膜及耦合棱鏡激發(fā)布洛赫表面波(BSW)并產(chǎn)生電場增強,實現(xiàn)了厚度約為0.34 nm的單層石墨烯在紅外波段的完全光吸收(1310nm,工作波長可通過結(jié)構(gòu)參數(shù)調(diào)節(jié))。在詳細研究BSW激發(fā)條件的基礎上,發(fā)現(xiàn)基于非周期結(jié)構(gòu)的廣義表面波也可以實現(xiàn)石墨烯完美吸收。平面純介質(zhì)表面波系統(tǒng)為低成本和高性能的二維器件應用提供了有價值的方案。

圖1布洛赫面波的色散曲線和電場、磁場切向分量的分布

(a)布洛赫面波的色散曲線(紅線)。灰色(白色)區(qū)域表示理想光子晶體的允帶(禁帶);

(b)1.31 μm入射波長、45°入射角下,BSW器件的電場和磁場切向分量分布,即|Ey|(紅線)和|Hx|(藍線)。

圖2 BSW輔助的石墨烯完美吸收器

(a) BSW輔助的石墨烯完美吸收體(B-SGPA)示意圖;

(b)45°入射角下B-SGPA的反射,透射和吸收光譜;

(c)電場和磁場切向分量的分布;

(d)器件吸收隨入射角和波長的變化。

圖3 B-SGPA導納軌跡

向前(a)和向后(c)光學傳輸矩陣法計算得到的導納軌跡。

其中插圖是放大視圖,相應的圖層編號見圖2a;其中,紅色實線、黑色實線和灰色虛線分別對應缺陷層、光子晶體MgF2層和光子晶體TiO2層內(nèi)的導納變化。

從導納軌跡提取的層與層之間界面處的導納實部(b)和虛部(d)。

圖4結(jié)構(gòu)及材料參數(shù)對石墨烯吸收的影響

(a)光子晶體對數(shù)Npair、(b)缺陷層厚度ddefect、(c)TiO2層厚度dTiO2、(d)MgF2層厚度dMgF2和(e)石墨烯費米能級EF對吸收率的影響;(f)勢壘模型示意圖。

圖5 通過控制缺陷層和PC層的厚度,實現(xiàn)B-SGPA導納匹配

圖6 表面波輔助石墨烯完美吸收器(SGPA)

(a) SGPA的導納圖;

(b)電場和磁場切向分量的分布;

(c)入射角為45°時SGPA的吸收光譜。

圖7 B-SGPA的制造程序

小結(jié)

該設計從表面波的光學基礎、傳輸矩陣計算、導納軌跡控制、器件吸收性能到擴展器件設計逐漸深入。使用導納圖/匹配以及虛擬腔和勢壘模型揭示BSW的物理和激發(fā)。BSW系統(tǒng)具有高度可調(diào)性,可輕易控制石墨烯吸收率及B-SGPA工作波長。此外,通過改變導納軌跡并調(diào)整器件參數(shù),該研究提出B-SGPA的導納設計方案,能夠更加靈活地實現(xiàn)導納匹配,從而可以采用非周期系統(tǒng)激發(fā)一般的表面電磁波,并實現(xiàn)石墨烯完美吸收。這項研究提供了一個全新的石墨烯吸收增強方案,通過使用簡單的薄膜系統(tǒng),而不是金屬或復雜的納米結(jié)構(gòu)系統(tǒng),實現(xiàn)極高的光學性能。基于表面電磁波的石墨烯完美吸收器不僅有助于降低制造成本,且擁有與現(xiàn)有光電系統(tǒng)更好的兼容性;B-SGPA的窄帶和高吸收響應也可應用于高效的光電轉(zhuǎn)換器件和超靈敏傳感器。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:蘇州大學在Nano Energy發(fā)文:光子表面波促進單層石墨烯的紅外完美吸收

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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