近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車(chē)用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲(chǔ)逆變器等領(lǐng)域的650V/40mΩ系列產(chǎn)品。其中650V/40mΩ系列產(chǎn)品通過(guò)將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級(jí)下實(shí)現(xiàn)了更高性能表現(xiàn)。這一系列新品將顯著提升終端應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更高效、更經(jīng)濟(jì)的功率器件解決方案。

表1 新一代碳化硅MOSFET參數(shù)列表

與國(guó)際競(jìng)品開(kāi)關(guān)損耗對(duì)比

圖1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET與國(guó)際競(jìng)品開(kāi)關(guān)損耗對(duì)比

開(kāi)關(guān)損耗 Eoff/Etotal 在常溫和高溫下均優(yōu)于W*/O*國(guó)際競(jìng)品，高溫下Eon與國(guó)際競(jìng)品W*接近。

圖2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET與國(guó)際競(jìng)品開(kāi)關(guān)損耗對(duì)比

開(kāi)關(guān)損耗Eoff/Eon/Etotal 在常溫和高溫下表現(xiàn)優(yōu)異，與W*/S*國(guó)際競(jìng)品接近。

在產(chǎn)品交付形態(tài)上，基本半導(dǎo)體提供裸芯片和晶圓兩種形式之外，在封裝方面針對(duì)不同應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行了全面布局：1200V/13.5mΩ產(chǎn)品提供TO-247-3和TO-247-4封裝；1200V/40mΩ產(chǎn)品提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封裝；650V/40mΩ產(chǎn)品則提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多種封裝選擇，為新一代高功率密度、低成本應(yīng)用開(kāi)發(fā)提供了更為完善的解決方案。

表2 新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品封裝形式

在產(chǎn)品可靠性方面，基本半導(dǎo)體建立了嚴(yán)格的閉環(huán)開(kāi)發(fā)體系，所有產(chǎn)品均通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)以上的關(guān)鍵可靠性項(xiàng)目驗(yàn)證：

高溫反偏HTRB：Tj=175℃，VDS=100%BV，1000H，PASS

高溫高濕反偏H3TRB：TA=85℃/85%RH，VDS=80%BV，1000H，PASS

高溫柵極偏壓HTGB+：Tj=175℃；VGS=22V，1000H，PASS

高溫柵極偏壓HTGB-：Tj=175℃；VGS=-10V，1000H，PASS

封裝特性

TO-263-7：貼片封裝，體積小巧。源極引腳采用特殊設(shè)計(jì)，電氣性能優(yōu)異，有效降低損耗與噪聲。

HSOP8：薄小外形設(shè)計(jì)，多引腳小間距布局，配備散熱結(jié)構(gòu)，展現(xiàn)卓越電氣性能。

TOLL：無(wú)引腳設(shè)計(jì)，體積小巧，電氣性能好。具有低封裝電阻和寄生電感特性。底部散熱設(shè)計(jì)可支持大電流應(yīng)用。

TOLT：頂部散熱結(jié)構(gòu)，提供更高的熱可靠性，特別適合對(duì)熱管理要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用領(lǐng)域

1200V 13.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器、PCS、APF

1200V 40mΩ分立器件及模塊：光伏發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、充電樁、電焊機(jī)、新能源汽車(chē)OBC及汽車(chē)空調(diào)壓縮機(jī)

750V10.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器、新能源汽車(chē)OBC及DCDC變換器

650V 40mΩ分立器件：AI算力電源、微型逆變器、通訊電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)

基本半導(dǎo)體此次推出的碳化硅MOSFET系列新品在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、熱阻等核心參數(shù)上已達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平。通過(guò)持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和工藝優(yōu)化，基本半導(dǎo)體致力于為客戶提供更優(yōu)性能、更高可靠性的功率半導(dǎo)體解決方案。未來(lái)，公司將持續(xù)加大研發(fā)投入，不斷突破技術(shù)邊界，與合作伙伴攜手共進(jìn)，推動(dòng)清潔能源技術(shù)發(fā)展，為構(gòu)建高效、可持續(xù)的能源體系貢獻(xiàn)力量。

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國(guó)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無(wú)錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國(guó)際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心團(tuán)隊(duì)由來(lái)自清華大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院、英國(guó)劍橋大學(xué)等國(guó)內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車(chē)級(jí)及工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動(dòng)芯片等，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，服務(wù)于電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)光儲(chǔ)能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國(guó)家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國(guó)科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。