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功率半導(dǎo)體測試中的靜態(tài)參數(shù)該如何測試?

黃輝 ? 來源:jf_81801083 ? 作者:jf_81801083 ? 2025-05-14 15:07 ? 次閱讀
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功率半導(dǎo)體測試中的靜態(tài)參數(shù)該如何測試?那我們首先要知道功率半導(dǎo)體測試中的靜態(tài)參數(shù)有哪些?然后才能了解怎樣去測試——

功率半導(dǎo)體測試中的靜態(tài)參數(shù)主要包括以下幾類:

1. ?基本電參數(shù)?
?擊穿電壓?:如集電極-發(fā)射極阻斷電壓(VCES),用于評估器件的耐壓能力?
?漏電流?:包括柵源漏電流(IGSS)和漏源漏電流(IDSS),反映器件關(guān)斷狀態(tài)下的絕緣特性?
?導(dǎo)通電壓?:如柵極開啟電壓(VGS(th)),決定器件導(dǎo)通的最小驅(qū)動電壓?
2. ?阻抗特性?
?導(dǎo)通電阻?(RDS(on)):表征MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗特性?
?飽和壓降?(VCES):特指BJT/IGBT在飽和區(qū)的集電極-發(fā)射極電壓?
3. ?電流特性?
?飽和電流?:器件在飽和工作區(qū)的最大承載電流?
?靜態(tài)工作電流?:反映器件在穩(wěn)態(tài)下的功耗水平?
4. ?熱相關(guān)參數(shù)?
?最大允許功耗?(Ptot):與結(jié)溫相關(guān)的功率耗散極限?
?熱阻?(RthJC):表征結(jié)到殼的散熱能力?


測試方法要點:
靜態(tài)測試需在直流穩(wěn)態(tài)下進行,通過施加穩(wěn)定電壓/電流后測量響應(yīng)參數(shù)?。傳統(tǒng)典型測試配置包括:

使用精密電源和測量儀表?
對柵極/基極施加階梯驅(qū)動信號?
記錄電壓-電流特性曲線?
注:不同器件(MOSFET/IGBT/SiC)的測試項目和條件存在差異,需根據(jù)器件規(guī)格選擇測試方案?

新型測試方案:

SC2010功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)/晶體管圖示儀· 是一款高速多用途大功率高精度分立器件智能測試系統(tǒng)??蓽y試市面上90%以上功率器件的靜態(tài)直流參數(shù),廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件封裝測試,制造企業(yè)的半導(dǎo)體器件分立來料檢驗,半導(dǎo)體失效分析實驗,高等院校和研究所教學(xué)科研等。它具有十分豐富的編程軟件和強大的測試能力??烧鎸崪?zhǔn)確測試達十九大類二十七分類大、中、小功率的分立器件。產(chǎn)品使用比較方便,只需要通過USB或者232與電腦連接,通過電腦中友好的人機界面操作,即可完成測試。并可以實現(xiàn)測試數(shù)據(jù)以EXCEL的格式保存,特性曲線保存相當(dāng)方便。 測試范圍: 1.二極管 Diode 2..穩(wěn)壓(齊納)二極管 Zener 3.晶體管 Transistor(NPN型/PNP型) 4.可控硅整流器(普通晶閘管) SCR 5.雙向可控硅(雙向晶閘管) TRIAC 6.MOS場效應(yīng)管 Power MOSFET(N-溝/P-溝) 7.結(jié)型場效應(yīng)管 J-FET (N-溝/P-溝,耗盡型/增強型) 8. 三端穩(wěn)壓器 REGULATOR(正電壓/負電壓,固定/可變) 9.絕緣柵雙極大功率晶體管 IGBT(NPN型/PNP型) 10.光電耦合器 OPTO-COUPLER(NPN型/PNP型) 11.光電邏輯器件 OPTO-LOGIC 12.光電開關(guān)管 OPTO-SWITCH 13.達林頓陣列 14.固態(tài)過壓保護器 SSOVP 15.硅觸發(fā)開關(guān) STS 16.繼電器 RELAY(A、B、C型) 17.金屬氧化物壓變電阻 MOV 18.壓變電阻 VARISTO 19.雙向觸發(fā)二極管 DIAC 并且本測試機擁有業(yè)界最豐富的曲線掃描功能,可以測試多達幾十種曲線,并可進行曲線集合掃描!

審核編輯 黃宇

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