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采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC

1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品，專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā)，包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電、太陽能和不間斷電源等。

頂部散熱QDPAK具有出色的散熱性能，更易于組裝，從而降低了客戶的系統(tǒng)成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱器件可實(shí)現(xiàn)更優(yōu)化的PCB布局，從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時(shí)還能增強(qiáng)散熱能力。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMSQ120R012M2HH

■IMSQ120R026M2HH

■IMSQ120R040M2HH

■IMSQ120R053M2HH

產(chǎn)品特點(diǎn)

SMD頂部散熱封裝

雜散電感低

CoolSiC MOSFET 1200V G2技術(shù)具有更高的開關(guān)性能和FOM因子

.XT擴(kuò)散焊

最低RDS(on)

封裝材料CTI>600

爬電距離>4.8mm

耐濕性

雪崩保護(hù)、短路保護(hù)和寄生導(dǎo)通PTO保護(hù)

應(yīng)用價(jià)值

更高的功率密度

實(shí)現(xiàn)自動(dòng)裝配

不需要太復(fù)雜的設(shè)計(jì)

與底部散熱封裝相比，具有出色的熱性能

改善系統(tǒng)功率損耗

電壓有效值950V，污染度為2

可靠性高

降低TCO成本或BOM成本

應(yīng)用領(lǐng)域

驅(qū)動(dòng)器

電動(dòng)汽車充電

太陽能

UPS