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半橋柵極驅(qū)動芯片 D2104M使用手冊

紹興芯谷科技 ? 來源:jf_23062312 ? 作者:jf_23062312 ? 2025-06-11 10:16 ? 次閱讀
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一、概述:
D2104M是一款高壓、大電流的PWM半橋柵極驅(qū)動芯片,只需要8~20V的低測供電,HO/LO端即可輸出0.4的源電流/0.6A的灌電流,驅(qū)動功率MOSFETIGBT輸出高達(dá)600V的電壓;邏輯輸入兼容CMOS(3.3V)或LSTTL標(biāo)準(zhǔn)電平,內(nèi)部集成死區(qū)控制和關(guān)斷控制功能。

二、性能優(yōu)點(diǎn):
1.寬工作電壓8~20V;
2.高輸出源電流/灌電流0.4A/0.6A
3.最高支持600V電壓輸出;
4.兼容3.3V、5V、15V輸入邏輯
5.內(nèi)部集成死區(qū)控制,防交叉?zhèn)鲗?dǎo)邏輯(互鎖),有效預(yù)防上下管同時導(dǎo)通;
6.SOP8小封裝。

三、應(yīng)用
1.大電流電機(jī)控制,2顆D2104M可組成一個H橋驅(qū)動電路實現(xiàn)電機(jī)的正、反轉(zhuǎn);3路或更多D2104M可組成3相/多相電機(jī)驅(qū)動,實現(xiàn)更精密的電機(jī)步進(jìn)或伺服控制;如電動汽車車窗/滑板車輪等電機(jī)驅(qū)動等;
2.DC-AC逆變器電路;
3.DC-DC大電流電源轉(zhuǎn)換,D2104可被當(dāng)作柵極驅(qū)動器使用,只使用其HO輸出,LO懸空,輸出加LC低通濾波電路轉(zhuǎn)換成直流,通過控制開關(guān)管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)實現(xiàn)電壓的變化和穩(wěn)定輸出,并聯(lián)1顆或多顆相同的D2104并將VS端短路,可將輸出電流提升1倍或多倍;

四、引腳定義

wKgZO2hI5gCAc4PxAAD_Pe9Paqc468.png


五、內(nèi)部框圖、應(yīng)用電路及工作原理

wKgZPGhI5iGACvUcAAGw13a4XHM698.png內(nèi)部框圖 wKgZO2hI5jqAAur1AAIk-y_vUtE565.png典型應(yīng)用電路

工作原理:

當(dāng)PWM輸入低電平0到IN時,LO與VCC導(dǎo)通,輸出高電平,下管Q2導(dǎo)通,VS約等于0(實際為Q2的飽和導(dǎo)通壓降0.1~0.3V左右);同時HO與VS導(dǎo)通,輸出低電平,上管Q1截止。VCC經(jīng)二極管D1向自舉電容C2充電,假設(shè)C2電容很小且不考慮充電時間(頻率)、管壓降,則C2兩端最高電壓為VCC;

PWM輸入切換到高電平1時,LO與COM導(dǎo)通,輸出低電平,下管Q2截止;HO與VB導(dǎo)通,輸出高電平,此時VS=600V,由于電容特性C2兩端的電壓不能突變,兩端的電壓保持之前的VCC電壓,所以VB對地電壓=VCC+600V,這就是自舉升壓的原理;二極管D1此時承受了很高的反向電壓,起到了反向隔離的作用,不讓高壓竄至VCC端;

半橋電路的上下橋臂功率管是交替導(dǎo)通的,為了防止上下兩管同時導(dǎo)通,D2104M內(nèi)部對驅(qū)動信號設(shè)置了固定的死區(qū)時間,即其中一路驅(qū)動信號從高電平徹底降到0V后,另外一路驅(qū)動信號再從0開始緩慢爬升,所謂死區(qū)時間,即驅(qū)動信號同時為低的時間;

wKgZO2hI5muAS9AgAADlmfi4nrg021.png

六、周邊器件的計算及選型

1.功率管Q1/Q2,由于HO/LO輸出反相及死區(qū)設(shè)置的特性,外接上、下功率NMOS管必須同型號;

除了考慮其VDS、VGS電壓和ID外,還要考慮其頻率特性,主要參考Ciss和Qg兩個參數(shù),Ciss為柵極總電容,Qg為柵極總電荷,兩者越小,頻率特性越好;如果選用Ciss/Qg比較大的功率MOS,其驅(qū)動信號上升時間變長變緩,MOS管長時間處于不完全導(dǎo)通狀態(tài),會增加導(dǎo)通損耗,降低效率,如果開關(guān)頻率很高甚至有可能出現(xiàn)輸出不穩(wěn)定或發(fā)熱燒毀;

2.自舉電容C2的,C2作用是給上管提供更高的驅(qū)動電壓和驅(qū)動電流,C2如果太大,充電曲線緩慢爬升,到充電結(jié)束時電壓可能達(dá)不到上管Q1柵需要的驅(qū)動電壓而導(dǎo)致上管不能正常開啟或處于不完全導(dǎo)通狀態(tài);C2如果太小,則驅(qū)動電流不能滿足要求,也會導(dǎo)致功率管損耗增加,效率降低;

自舉電容計算可參考如下公式:C2>=Qg/(dV*Fsw),其中Qg為功率管柵極總電荷,dV為電容C2從充滿至放電結(jié)束允許的跌落差,一般取0.5~2V左右,F(xiàn)sw為開關(guān)頻率;

3.反向二極管,下管導(dǎo)通時,其提供電容充電時的充電電流;上管導(dǎo)通時,其承受很高的反向電壓為Vdr=600+VC2-VCC(VC2為電容C2兩端電壓,計算時可近似等于VCC),所以主要參考正向電流及反向耐壓兩個參數(shù);

4.驅(qū)動電阻R1/R2,主要和功率管的Ciss組成RC緩沖電路,減緩驅(qū)動信號上升速率,可愛效抑制上升過快引起的過沖及振鈴的作用,一般取5~20歐;

七、芯谷科技半橋驅(qū)動芯片總覽

wKgZPGhI5pOAHI7fAAL-TyTb7r8748.png

審核編輯 黃宇

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