引言

在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中，光刻膠剝離是關鍵工序之一，其效果直接影響顯示屏的質(zhì)量與性能。隨著 TFT-LCD 技術向高分辨率、窄邊框方向發(fā)展，對光刻膠剝離方法提出了更高要求。同時，精確測量光刻圖形對于把控工藝精度、保障產(chǎn)品質(zhì)量至關重要，白光干涉儀為此提供了可靠的技術支持。

TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法

濕法剝離

濕法剝離是 TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離的常用方法。該方法利用化學剝離液與光刻膠發(fā)生化學反應或溶解作用實現(xiàn)剝離。常用的剝離液包括有機溶劑型和堿性水溶液型。有機溶劑型剝離液如 N - 甲基吡咯烷酮（NMP），對光刻膠具有良好的溶解能力，能快速滲透光刻膠內(nèi)部，破壞其分子結構。堿性水溶液型剝離液則通過堿性物質(zhì)與光刻膠中的酸性基團發(fā)生中和反應，使光刻膠從基板上脫落。在實際操作中，將帶有光刻膠的基板浸入剝離液槽中，通過超聲輔助或機械攪拌，加速剝離過程，提高剝離效率 。但濕法剝離存在環(huán)境污染、剝離液殘留等問題，需進行后續(xù)清洗處理。

干法剝離

干法剝離主要借助等離子體技術。在真空環(huán)境下，通過射頻電源激發(fā)氣體（如氧氣、氟基氣體等）產(chǎn)生等離子體。等離子體中的活性粒子與光刻膠發(fā)生物理轟擊或化學反應，將光刻膠分解為揮發(fā)性氣體排出。物理轟擊依靠離子的動能破壞光刻膠分子，化學反應則使光刻膠成分氧化或氟化，轉化為易揮發(fā)物質(zhì)。干法剝離具有刻蝕選擇性好、對基板損傷小、無污染殘留等優(yōu)勢，尤其適用于對精度要求高的 TFT-LCD 制造工藝。然而，干法剝離設備成本高，且等離子體處理過程中可能產(chǎn)生的輻射和帶電粒子，對基板和器件存在潛在損傷風險 。

組合剝離

為克服單一剝離方法的局限性，組合剝離法逐漸得到應用。該方法結合濕法和干法剝離的優(yōu)點，先采用濕法剝離去除大部分光刻膠，降低光刻膠厚度，減少干法剝離的處理時間和對基板的損傷；再利用干法剝離進行精細處理，去除殘留光刻膠和聚合物，提高剝離精度。組合剝離法在保證剝離效果的同時，降低了對基板和器件的損傷，提升了 TFT-LCD 顯示屏的制造質(zhì)量和生產(chǎn)效率 。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀基于光的干涉特性，將白光光源發(fā)出的光經(jīng)分光鏡分為測量光和參考光。測量光照射到待測光刻圖形表面反射回來，與參考光相遇產(chǎn)生干涉條紋。由于光刻圖形不同位置的高度差異，導致反射光的光程差不同，進而形成不同的干涉條紋圖案。通過分析干涉條紋的形狀、間距和強度等信息，結合光程差與表面高度的對應關系，可精確計算出光刻圖形的高度、深度、線寬等參數(shù)。

測量優(yōu)勢

白光干涉儀具有高精度、非接觸式測量特點，測量精度可達納米級別，能夠精準捕捉光刻圖形細微的尺寸變化。非接觸測量避免了對脆弱光刻圖形的物理損傷，保證樣品完整性。同時，測量速度快，可實現(xiàn)實時在線檢測，并通過專業(yè)軟件對測量數(shù)據(jù)進行可視化處理，直觀呈現(xiàn)光刻圖形形貌特征，便于工藝優(yōu)化和質(zhì)量控制。

實際應用

在 TFT-LCD 顯示屏光刻工藝中，白光干涉儀在光刻膠剝離前后均發(fā)揮重要作用。剝離前，可測量光刻膠的厚度、光刻圖形的初始形貌，評估光刻工藝質(zhì)量；剝離過程中，實時監(jiān)測光刻圖形的變化，判斷剝離是否均勻、是否對圖形造成損傷；剝離完成后，精確測量殘留光刻膠的厚度、基板表面的粗糙度以及光刻圖形的最終尺寸，為優(yōu)化光刻膠剝離方法和工藝參數(shù)提供準確數(shù)據(jù)支持，確保 TFT-LCD 顯示屏的制造精度和質(zhì)量符合設計要求。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態(tài)/靜態(tài) 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復雜的問題，實現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現(xiàn)卓越的重復性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統(tǒng)，實現(xiàn)實現(xiàn)“動態(tài)”3D輪廓測量。

實際案例

1，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現(xiàn)5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇