美國(guó)芯片設(shè)計(jì)商Rambus宣布與中國(guó)存儲(chǔ)器解決方案供應(yīng)商兆易創(chuàng)新（GigaDevice）合作建立一個(gè)在中國(guó)的合資企業(yè)Reliance Memory，以實(shí)現(xiàn)電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)的商業(yè)化。

RRAM作為一種新型電腦存儲(chǔ)器，是基于一種新的半導(dǎo)體材料，依賴于溫度和電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。RRAM及其制造的半導(dǎo)體允許芯片堆疊在彼此之上，使得存儲(chǔ)器和邏輯組件以不能復(fù)制的方式靠近在一起。這些3D“高層”芯片可以解決大數(shù)據(jù)處理延遲，同時(shí)延長(zhǎng)未來(lái)移動(dòng)設(shè)備的電池壽命，提供更快，更高能效的解決方案。

不過(guò)，目前RRAM材料需要多少溫度才會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)目前還是未知因素。由于沒(méi)有辦法測(cè)量由電力產(chǎn)生的熱量，研究人員使用微熱級(jí)的熱板狀裝置加熱RRAM芯片。Rambus通過(guò)監(jiān)測(cè)電子何時(shí)開(kāi)始流過(guò)RRAM材料，團(tuán)隊(duì)能夠測(cè)量材料形成導(dǎo)電通路所需的溫度，并驚喜地發(fā)現(xiàn)其最佳工作溫度范圍在80°F和260°F（26.7和126.7℃）之間，遠(yuǎn)低于此前估計(jì)的1160°F（626.7℃）。未來(lái)的RRAM器件將需要更少的電力來(lái)產(chǎn)生這些溫度，使得它們更節(jié)能。

Rambus公司創(chuàng)立于1990年，公司創(chuàng)建之初便致力于高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的研究與開(kāi)發(fā)。由于其在內(nèi)存技術(shù)上的先進(jìn)性，很快成為了Intel下一代高性能處理器的主存平臺(tái)。

過(guò)去二十年，在PC時(shí)代Rambus憑借其DDR、SDRAM技術(shù)在芯片行業(yè)占據(jù)壟斷地位，通過(guò)投入研發(fā)，積累2500項(xiàng)專利。此前還通過(guò)與不少電腦內(nèi)存片制造巨頭在法院打官司，大都陸續(xù)達(dá)成授權(quán)和解。該公司在2015年開(kāi)始重組，并將業(yè)務(wù)擴(kuò)展至芯片設(shè)計(jì)以外領(lǐng)域，授權(quán)公司出售自己品牌及由供應(yīng)商生產(chǎn)的授權(quán)芯片，包括美光、AMD等。

兆易創(chuàng)新主要業(yè)務(wù)為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于手持移動(dòng)終端、消費(fèi)類電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)終端、個(gè)人電腦及周邊，以及通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、辦公設(shè)備、汽車電子及工業(yè)控制設(shè)備等領(lǐng)域。

目前兆易創(chuàng)新已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)的NORFlash領(lǐng)頭羊，并在存儲(chǔ)方面有很大投入。隨著Rambus和兆易創(chuàng)新合作建立一個(gè)在中國(guó)的合資企業(yè)，將會(huì)推進(jìn)RRAM方面的研發(fā)投入并推向市場(chǎng)商用，此前沒(méi)有RRAM技術(shù)的兆易創(chuàng)新也將隨之受益。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)，2012年以來(lái)，兆易創(chuàng)新為中國(guó)大陸地區(qū)最大的代碼型閃存芯片本土設(shè)計(jì)企業(yè)，也是最大的串行NORFlash設(shè)計(jì)企業(yè)。據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，按營(yíng)業(yè)收入計(jì)算，2016年全球NorFlash市場(chǎng)公司排名第五位，市場(chǎng)占有率7%。