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GaN代工格局生變?臺積電退場,納微轉(zhuǎn)單力積電謀新局

Hobby觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:梁浩斌 ? 2025-07-07 07:00 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道近期,納微半導(dǎo)體宣布將與力積電合作,共同推進業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的8英寸硅基氮化鎵技術(shù)生產(chǎn)。


納微半導(dǎo)體在公告中指出,力積電有著先進的180nm CMOS工藝能力,運用更小、更先進的工藝節(jié)點,從而在性能、能效、集成度以及成本方面實現(xiàn)全面優(yōu)化。

納微半導(dǎo)體將通過力積電生產(chǎn)其100V至650V的氮化鎵產(chǎn)品組合,以應(yīng)對超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心和電動汽車等48V基礎(chǔ)設(shè)施對氮化鎵技術(shù)日益增長的需求。根據(jù)公告,首批由力積電制造的器件預(yù)計將在今年第四季度完成認證。其中,100V系列計劃于2026年上半年開始在力積電投產(chǎn),而650V的器件則將在未來12到24個月內(nèi)從現(xiàn)有的供應(yīng)商臺積電逐步轉(zhuǎn)移至力積電進行代工生產(chǎn)。

這一策略調(diào)整,能夠更好地滿足市場對于高效能氮化鎵產(chǎn)品的需求,并進一步推動相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步與發(fā)展。

納微寬禁帶技術(shù)平臺高級副總裁Sid Sundaresan博士表示:“在180nm工藝節(jié)點上進行8英寸硅基氮化鎵的生產(chǎn),使我們能夠持續(xù)創(chuàng)新,實現(xiàn)更高功率密度、更快速度和更高效率的器件,同時提升成本控制、規(guī)模化能力和制造良率。”

值得關(guān)注的是,此前納微半導(dǎo)體的氮化鎵業(yè)務(wù)交由臺積電生產(chǎn)。而臺積電在近期被傳出將退出氮化鎵市場,竹科的晶圓廠相關(guān)產(chǎn)線將停止生產(chǎn)。就在7月3日,臺積電發(fā)表聲明表示,經(jīng)過長期業(yè)務(wù)的完整評估后,公司決定在未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵(GaN)業(yè)務(wù)。“我們正與客戶密切合作,確保順利過渡,并在此期間繼續(xù)致力于滿足他們的需求?!?br />
在這之前,臺積電曾對氮化鎵業(yè)務(wù)展示了積極的布局與進展。2024年初的年報顯示,公司第二代650V/100V E-HEMT技術(shù)已完成可靠性驗證,計劃于2025年投產(chǎn);同時,臺積電也在積極推進8英寸氮化鎵-on-硅(GaN-on-Si)技術(shù)的開發(fā)工作,預(yù)計該技術(shù)將于2026年開始投產(chǎn)。

但從當下的最新布局來看,臺積電正在進行戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移,剝離相對低利潤的GaN代工業(yè)務(wù),轉(zhuǎn)向高性能計算,或者AI芯片等需求更高的領(lǐng)域、摩根士丹利全球半導(dǎo)體團隊分析指出,臺積電2025年底的CoWoS總產(chǎn)能約為70k,到了 2026年將達到約90-95k,增長33%。英偉達Blackwell架構(gòu)GPU芯片需求強勁,攬下臺積電七成CoWoS-L先進封裝產(chǎn)能,除此之外,英偉達的Rubin在AI需求的帶動下保持增量。AI領(lǐng)域的需求增長帶動臺積電先進封裝業(yè)務(wù)的營收增長。臺積電預(yù)計,2025年先進封裝營收占比將超過10%,而2024年的營收占比僅為約8%。

盡管今年氮化鎵市場經(jīng)歷了一些變動,例如專注于碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的Wolfspeed宣布進行破產(chǎn)重組,又如臺積電決定退出氮化鎵業(yè)務(wù),氮化鎵依然被視為未來的重要新興技術(shù)之一。

作為氮化鎵芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,納微半導(dǎo)體已經(jīng)推出雙向GaNFast功率芯片、電機驅(qū)動專用型GaNSense氮化鎵功率芯片等產(chǎn)品。其中雙向GaNFast功率芯片上通過合并漏極結(jié)構(gòu)、雙柵極控制及集成專利的有源基板鉗位技術(shù),實現(xiàn)雙向開關(guān)的突破。其技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、太陽能市場、電動汽車等多個領(lǐng)域取得進展。

在AI數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域,納微的氮化鎵與碳化硅技術(shù)助力NVIDIA的800V高壓直流(HVDC)架構(gòu),應(yīng)用于功率超過1兆瓦的IT機架。在太陽能市場,650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片將用于太陽能能源解決方案提供商Enphase的下一代IQ9產(chǎn)品中。在電動汽車領(lǐng)域,其大功率GaNSafe技術(shù)也被用于商用車載充電機(OBC)應(yīng)用領(lǐng)域。

那么在臺積電離場之后,接下來有誰能接手呢?業(yè)內(nèi)人士認為,臺積電的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)與力積電的工藝具有較高的兼容性,這使得包括納微在內(nèi)的客戶在轉(zhuǎn)單時具備較低的成本。此次變動是否將引發(fā)代工行業(yè)格局的調(diào)整,仍有待持續(xù)觀察。

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