IC Insights最新發(fā)布的報(bào)告將2018年全球半導(dǎo)體資本支出從8%上調(diào)到14%。

IC Insights最新公布了2018年5月的半導(dǎo)體市場報(bào)告。這份報(bào)告包含了全球前25位的半導(dǎo)體供應(yīng)商、2018年第一季度IC市場分析，以及對于2018年的半導(dǎo)體資本支出預(yù)測。

總體而言，此次IC Insights公布的半導(dǎo)體資本支出情況比3月份發(fā)布的版本預(yù)測更加樂觀。

在3月發(fā)布的報(bào)告中，IC Insights預(yù)測今年全球半導(dǎo)體支出將增長8%。但是，正如圖一中所示，IC Insights將2018年的資本支出提高了六個(gè)百分點(diǎn)，為14%。

圖一

如果此次IC Insights的預(yù)測成真，那么2018年全球半導(dǎo)體資本支出會比2016年增長53%，并首次沖破1000億美元大關(guān)。

其中，盡管三星表示目前為止還沒有全年的資本支出預(yù)測，同時(shí)三星也表示，2018年的半導(dǎo)體資本支出將會少于2017年的242億美元。

但是，截至2018年第一季度，三星半導(dǎo)體部門的支出已經(jīng)達(dá)到了67億2000萬美元，比其前三季度的平均水平略高，也幾乎是2016年第一季度資本支出的四倍。

在過去四個(gè)季度，三星的資本支出達(dá)到了266億美元，這真的很難讓人相信其2018年的資本支出不會超過242億美元。

IC Insights預(yù)計(jì)三星今年的半導(dǎo)體資本支出將會達(dá)到200億美元，比去年的242億美元要少。但是，考慮到今年半導(dǎo)體支出的強(qiáng)勁增長，超過這一數(shù)字的可能性非常大。

此外，隨著DRAM和NAND閃存市場發(fā)展迅猛，SK 海力士預(yù)計(jì)今年的資本支出為115億美元，比2017年的81億美元，增長了42%。SK 海力士的主要支出，主要用于韓國清州的兩個(gè)內(nèi)存工廠，以及位于中國無錫的DRAM工廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

據(jù)了解，SK 海力士的韓國清州工廠將會在今年年底開始興建，無錫工廠也會比預(yù)計(jì)的2019年年初提前幾個(gè)月開始興建。（校對/范蓉）