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對(duì)大陸和臺(tái)灣的半導(dǎo)體制造企業(yè)的探討

jXID_bandaotigu ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-06-02 10:55 ? 次閱讀
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中芯是僅次于臺(tái)積電、格羅方德和聯(lián)電的全球第四大專業(yè)晶圓代工廠。但據(jù)數(shù)據(jù)公司IC Insights在2017年的統(tǒng)計(jì),前兩名占據(jù)了全球70%的市場(chǎng)份額。中芯雖然排名第四,但市占率只有6%。

尤其是中芯還在28納米苦苦掙扎時(shí),臺(tái)積電7納米的芯片已于2017年4月開始試產(chǎn)。這意味著,臺(tái)積電的技術(shù)已經(jīng)至少遙遙領(lǐng)先中芯三代。

那么,自2000年建成以來大部分時(shí)間都在賠錢的中芯,為何走過了近20個(gè)年頭,還是與臺(tái)積電的技術(shù)差距仍然沒有絲毫縮短,甚至漸行漸遠(yuǎn)?

高度競(jìng)爭(zhēng),無法靠當(dāng)?shù)厥袌?chǎng)扶植

“天下雜志”援引業(yè)內(nèi)人士說法,對(duì)于中芯和臺(tái)積電兩家企業(yè)之間至少5年的差距,給出了兩個(gè)原因。

一方面,現(xiàn)已成氣候的華為等大陸企業(yè)的第一桶金,都來自高度保護(hù)、且對(duì)技術(shù)要求較低的國(guó)內(nèi)市場(chǎng),待厚植實(shí)力之后,才出征海外。但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高度全球化,而且具有多數(shù)客戶價(jià)格較不敏感的產(chǎn)業(yè)特性,這讓中芯很難如法炮制。

“天下雜志”還用了近來大熱的比特幣舉例?!氨M管比特大陸等挖礦機(jī)晶片廠商清一色是中國(guó)公司,但作為本土企業(yè)中的領(lǐng)軍者,中芯對(duì)于挖礦的商機(jī)卻‘看得到,吃不到’,廠商的訂單全部涌到了對(duì)岸的臺(tái)積電?!?/p>

據(jù)臺(tái)積電2018年第一季度的財(cái)報(bào)顯示,公司有9%的營(yíng)收來自挖礦,規(guī)模高達(dá)7.5億美元,而這一數(shù)字,已經(jīng)接近中芯一個(gè)季度的總營(yíng)收金額。

臺(tái)媒還稱,中芯其實(shí)是想做這一塊業(yè)務(wù)的,在中芯最近的新聞發(fā)布會(huì)上,對(duì)于分析師的追問,中芯技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示,“我們也很希望做這一塊業(yè)務(wù)”。

而對(duì)于中芯無法拿下比特幣礦機(jī)業(yè)務(wù)的原因,臺(tái)媒認(rèn)為是中芯的制程技術(shù)完全跟不上挖礦需求。

“挖礦晶片對(duì)于運(yùn)算效能要求極高,采用的都是28納米以下的制程,但中芯的28納米(高性能版)雖已號(hào)稱量產(chǎn),良率始終無法提升,自然得不到青睞?!?/p>

而現(xiàn)在,隨著監(jiān)管趨嚴(yán),比特幣市場(chǎng)火熱不再,用28納米制程挖礦已經(jīng)逐漸沒有太多的盈利空間,新一代的挖礦晶片現(xiàn)已迅速撤離,轉(zhuǎn)而攻占16納米以下制程,而臺(tái)媒援引中芯高層說法稱,因?yàn)樵?8納米上消耗了過多的研發(fā)精力和時(shí)間,中芯把市場(chǎng)機(jī)會(huì)都錯(cuò)失掉了。

地方競(jìng)爭(zhēng),無法形成產(chǎn)業(yè)集群

另一方面,“天下雜志”還認(rèn)為,中芯進(jìn)步緩慢的背后有一定的體制原因。

“因?yàn)榇箨懛鶈T遼闊,在政府引導(dǎo)下發(fā)展半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)政策,需要經(jīng)歷‘中央制定,地方執(zhí)行’的過程,但地方政府之間有競(jìng)爭(zhēng),各省爭(zhēng)相下發(fā)政策支持,動(dòng)輒就建百億資金需求的半導(dǎo)體場(chǎng)。比如中芯就在相隔千里的上海、北京各有兩座12寸廠,深圳和天津各有兩座8寸廠。這樣一來,不但難以形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,使管理變得復(fù)雜,而且會(huì)導(dǎo)致各地勢(shì)力、各種背景的股東,各有各的意見、人馬,從而演變成中芯內(nèi)部派系斗爭(zhēng)頻繁的最壞結(jié)果,效益自然不佳?!?/p>

臺(tái)媒還稱,半導(dǎo)體的制造特別困難,必須有人愿意長(zhǎng)時(shí)間地?zé)X支持,但又不會(huì)常常干涉;此外,還需要領(lǐng)導(dǎo)者有非常強(qiáng)的個(gè)人能力,比如臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀。

張忠謀

此外,“天下雜志”還說,在2014年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》下發(fā)后,大陸設(shè)立了產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金,在重點(diǎn)高校成立示范性微電子學(xué)院,取得了立竿見影的效果。目前,在半導(dǎo)體國(guó)際研究方面,大陸學(xué)者的曝光度已大增。

在具體的產(chǎn)業(yè)方面,臺(tái)媒援引業(yè)內(nèi)人士的說法稱,“大陸的半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)業(yè)仍處于草創(chuàng)階段,與世界頂尖技術(shù)仍有差距”。

其中,技術(shù)門檻最低封測(cè),大陸與國(guó)際領(lǐng)先技術(shù)之間的差距最小,三年前收購(gòu)了新加坡星科金朋的江蘇長(zhǎng)電科技,目前在這一領(lǐng)域的規(guī)模已經(jīng)躋身世界前三。

而在IC設(shè)計(jì)領(lǐng)域,華為旗下的海思,去年全年?duì)I收47億美元,已成為全球第七大IC公司。臺(tái)媒采訪到的業(yè)內(nèi)人士對(duì)海思的評(píng)價(jià)很高,認(rèn)為麒麟芯片很先進(jìn),光是導(dǎo)入7納米制程的時(shí)間點(diǎn),就已經(jīng)相當(dāng)接近世界最領(lǐng)先的高通。

而中芯主攻的晶圓代工,是幾個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域中技術(shù)門檻最高的,“但中芯追趕臺(tái)積電,追得很辛苦,但獲利仍然微薄”。

外部封鎖與產(chǎn)業(yè)規(guī)律

事實(shí)上,造成***和大陸在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域技術(shù)差異的還有一個(gè)原因,設(shè)備。

據(jù)《中國(guó)青年報(bào)》援引賽迪顧問公司集成電路產(chǎn)業(yè)研究中心副總經(jīng)理劉堃說法介紹,根據(jù)上世紀(jì)簽訂的《瓦森納協(xié)定》,西方國(guó)家對(duì)中國(guó)大陸進(jìn)行設(shè)備出口是有限制的,這很大程度上影響國(guó)內(nèi)企業(yè)在芯片制造設(shè)備上的先進(jìn)程度,“有的小企業(yè)不得不買二手設(shè)備來支撐工廠的運(yùn)作。”

《瓦森納協(xié)定》全稱《關(guān)于常規(guī)武器和兩用物品及技術(shù)出口控制的瓦森納安排》,是世界主要的工業(yè)設(shè)備和武器制造國(guó)在巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)解散后,于1996年成立的一個(gè)旨在控制常規(guī)武器和高新技術(shù)貿(mào)易的國(guó)際性組織,擁有33個(gè)成員國(guó),中國(guó)大陸不在其列,其主要目的是阻止關(guān)鍵技術(shù)和元器件流失到成員國(guó)之外。

值得注意的是,《瓦森納協(xié)定》雖然允許成員國(guó)在自愿的基礎(chǔ)上對(duì)各自的技術(shù)出口實(shí)施控制,但實(shí)際上,成員國(guó)在重要的技術(shù)出口決策上受到美國(guó)的影響。而中國(guó)大陸、朝鮮、伊朗、利比亞等國(guó)家或地區(qū)均在被限制名單之中。這嚴(yán)重影響了我國(guó)與其成員國(guó)之間開展的高技術(shù)國(guó)際合作。

文治資本創(chuàng)始人唐德明在回國(guó)前曾供職于國(guó)外計(jì)算機(jī)公司。2002年回國(guó)后,他進(jìn)入一家晶圓制造公司工作,后來選擇創(chuàng)業(yè),做芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)。他發(fā)現(xiàn),一些國(guó)內(nèi)的企業(yè)即便制造了相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備也很少能有制造企業(yè)愿意采購(gòu)。

除了設(shè)備以外,《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》援引外國(guó)專家說法稱,之前的幾十年,中國(guó)大陸富豪的致富途徑都是通過勞動(dòng)密集產(chǎn)業(yè),例如組裝手機(jī),借此吸引企業(yè)家或政府部門投資。但生產(chǎn)半導(dǎo)體卻恰巧相反,需要的是數(shù)十億預(yù)先投入的資本,等待回收可能需要花上十多年,而中國(guó)大陸擁有強(qiáng)大的資金實(shí)力可供投資半導(dǎo)體領(lǐng)域是近些年才有的事,這一資金密集型產(chǎn)業(yè),需要多年蓄力,才能取得成就。

以2016年為例,在積體電路資本支出方面,三星是113億美元,臺(tái)積電是102.5億美元,英特爾是96.25億美元,基本都在百億美元量級(jí)。而2016年中芯國(guó)際的資本支出是26.26億美元。在研發(fā)費(fèi)用層面,臺(tái)積電2016年研發(fā)費(fèi)用達(dá)22億美元,而中芯當(dāng)年共投入研發(fā)費(fèi)用3.18億美元。兩者差距十分明顯。

《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》還稱,長(zhǎng)遠(yuǎn)來看,大陸生產(chǎn)半導(dǎo)體最大的挑戰(zhàn)或許還是技術(shù)取得。一般合理的解決方式是通過向美國(guó)公司購(gòu)買技術(shù)或合伙,但中國(guó)大陸對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體公司的收購(gòu)?fù)ǔ6紩?huì)被以國(guó)家安全理由阻斷。日本、韓國(guó)、中國(guó)***對(duì)中國(guó)大陸的并購(gòu)提案也都會(huì)進(jìn)行類似的審查。據(jù)統(tǒng)計(jì),中國(guó)大陸從2015年起對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體公司做過的并購(gòu)?fù)稑?biāo)總金額為340億美元,但真正達(dá)成的只有44億美元。

此外,大陸專業(yè)人才缺乏也是制約半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展的重要原因。

《每日經(jīng)濟(jì)新聞》此前報(bào)道稱,中芯目前的技術(shù)團(tuán)隊(duì)中,本土化人才并不多,仍然嚴(yán)重依賴外部人才。由于來自大陸、***和海外三方面的員工共存,中芯還需要解決內(nèi)部融合問題,這個(gè)融合矛盾在大唐電信入股后被激發(fā),員工內(nèi)訌在一段時(shí)間內(nèi)不斷出現(xiàn)。

總的來說,大陸對(duì)半導(dǎo)體的人才培養(yǎng)和儲(chǔ)備都還跟不上。2003年國(guó)家教育部新設(shè)本科專業(yè)集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)專業(yè)。截至2017年,全國(guó)只有41所高校設(shè)置了“集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)”專業(yè)。2015年中國(guó)集成電路從業(yè)人數(shù)為39.4萬,其中技術(shù)人員只有14.1萬,中高端人才供需矛盾突出。

打破外企壟斷,大陸在行動(dòng)

據(jù)觀察者網(wǎng)22日?qǐng)?bào)道,中央國(guó)家機(jī)關(guān)5月17日發(fā)布《2018-2019年信息類及空調(diào)協(xié)議供貨的征求意見》,其中,其中,服務(wù)器產(chǎn)品技術(shù)增設(shè)三款國(guó)產(chǎn)芯片——龍芯、飛騰、申威。也即,服務(wù)器廠商只有和三個(gè)國(guó)產(chǎn)芯片合作,研制國(guó)產(chǎn)芯片服務(wù)器才能入圍此類協(xié)議供貨。

此外,由于之前的“中興風(fēng)波”,多家國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)都加速引進(jìn)國(guó)際高端光刻機(jī)。

據(jù)日媒17日?qǐng)?bào)道,日前,中芯已向全球最大的芯片設(shè)備制造商——荷蘭ASML訂購(gòu)了首臺(tái)最先進(jìn)的EUV(極紫外線)光刻機(jī),價(jià)值1.2億美元。目前,業(yè)內(nèi)已達(dá)成共識(shí),必須使用EUV光刻機(jī)才能使半導(dǎo)體芯片進(jìn)入7nm,甚至5nm時(shí)代。消息稱,這臺(tái)幾乎相當(dāng)于中芯國(guó)際去年全部?jī)衾麧?rùn)的設(shè)備,將于2019年前交付。

此后,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也迎來了自己的第一臺(tái)光刻機(jī),同樣來自ASML,不過是193nm沉浸式,用于產(chǎn)20-14nm工藝的3D NAND閃存晶圓,7200萬美元一臺(tái)。

對(duì)于中國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面的動(dòng)作,中芯CEO趙海軍表示,“中芯已處于有利位置,將抓住有潛力的市場(chǎng),并通過加速發(fā)展制造工藝,擴(kuò)大可預(yù)期的市場(chǎng)空間”。

一位接近中芯的業(yè)內(nèi)人士坦言, 中芯對(duì)未來先進(jìn)工藝做儲(chǔ)備是意料之中的,也證明該公司對(duì)未來發(fā)展的路徑非常清晰。

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原文標(biāo)題:中芯為何追趕臺(tái)企那么辛苦?

文章出處:【微信號(hào):bandaotiguancha,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體觀察IC】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    麥科信獲評(píng)CIAS2025金翎獎(jiǎng)【半導(dǎo)體制造與封測(cè)領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】 蘇州舉辦的2025CIAS動(dòng)力·能源與半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)上,深圳麥科信科技有限公司憑借在測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的技術(shù)積累,入選半導(dǎo)體制造
    發(fā)表于 05-09 16:10

    最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測(cè)

    ——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測(cè)試封裝,一目了然。 全書共分20章,根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié),包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息;總體流程圖
    發(fā)表于 04-15 13:52

    靜電卡盤:半導(dǎo)體制造中的隱形冠軍

    半導(dǎo)體制造的精密工藝流程中,每一個(gè)零部件都扮演著至關(guān)重要的角色,而靜電卡盤(Electrostatic Chuck,簡(jiǎn)稱E-Chuck)無疑是其中的佼佼者。作為固定晶圓的關(guān)鍵設(shè)備,靜電卡盤以其獨(dú)特的靜電吸附原理、高精度的溫度控制能力以及廣泛的適用性,在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域發(fā)揮
    的頭像 發(fā)表于 03-31 13:56 ?4750次閱讀
    靜電卡盤:<b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b>中的隱形冠軍

    半導(dǎo)體制造過程中的三個(gè)主要階段

    前段工藝(Front-End)、中段工藝(Middle-End)和后段工藝(Back-End)是半導(dǎo)體制造過程中的三個(gè)主要階段,它們?cè)?b class='flag-5'>制造過程中扮演著不同的角色。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:47 ?7298次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b>過程中的三個(gè)主要階段