Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)是一款90V連續(xù)、100V脈沖、35A半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個(gè)100V GaN FET，由一個(gè)高頻90V GaN FET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。GaN FET為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著優(yōu)勢，例如零反向恢復(fù)和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊.pdf

TI LMG2100R044功率級(jí)安裝在完全無鍵合線的封裝平臺(tái)上，盡可能減少了封裝寄生元件數(shù)。LMG2100R044采用5.5mm x 4.5mm x 0.89mm無鉛封裝，可輕松安裝在PCB上。

特性

• 集成4.4mΩ半橋GaN FET和驅(qū)動(dòng)器
• 90V連續(xù)、100V脈沖額定電壓
• 封裝經(jīng)過優(yōu)化，便于PCB布局
• 高壓擺率開關(guān)，低振鈴
• 5V外部偏置電源
• 支持3.3V和5V輸入邏輯電平
• 柵極驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá)10MHz開關(guān)
• 低功耗
• 出色的傳播延遲（33ns典型值）和匹配（2ns典型值）
• 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅(qū)動(dòng)
• 電源軌欠壓，用于閉鎖保護(hù)
• 裸露頂部QFN封裝，用于頂部冷卻
• 較大的GND焊盤，用于底部冷卻

應(yīng)用

• 降壓、升壓、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
• LLC轉(zhuǎn)換器
• 太陽能逆變器
• 電信和服務(wù)器電源
• 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
• 電動(dòng)工具
• D類音頻放大器

簡化框圖

傳播延遲與傳播不匹配測量