電子發(fā)燒友綜合報(bào)道，外媒消息稱，特斯拉 (Tesla) 在發(fā)展其自動(dòng)駕駛 AI 訓(xùn)練的超級(jí)計(jì)算機(jī)“Dojo”的過(guò)程中，正對(duì)其供應(yīng)鏈進(jìn)行一次全面而重大的調(diào)整。


過(guò)去 Dojo 芯片的生產(chǎn)主要由臺(tái)積電獨(dú)家生產(chǎn)，但從第三代 Dojo（Dojo 3）開(kāi)始，特斯拉將轉(zhuǎn)向與三星電子及英特爾合作，形成一套全新的供應(yīng)鏈雙軌制模式。這情況不但代表著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)一次前所未有的合作模式，也可能重塑 AI 芯片制造和封裝的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

新的分工模式分布兩部分：首先將由三星電子旗下的晶圓代工部門 負(fù)責(zé) Dojo 3 所需芯片的“前端制程”(Front-end Process) 制造，其次是英特爾則將負(fù)責(zé)關(guān)鍵的“模塊封裝”(Module Packaging) 環(huán)節(jié)。這將是業(yè)界首次由三星與英特爾在大型客戶的主導(dǎo)下進(jìn)行正式合作。盡管兩家公司都同時(shí)經(jīng)營(yíng)代工和封裝業(yè)務(wù)，但之前并無(wú)此類合作案例。

特斯拉的 Dojo 3 計(jì)劃將由三星電子代工廠生產(chǎn)定制的 D3 AI 訓(xùn)練芯片。同時(shí)，英特爾使用其嵌入式多芯片互連橋接 (EMIB) 技術(shù)進(jìn)行封裝和測(cè)試，該技術(shù)通過(guò)硅橋而非全晶圓中介層連接多個(gè)芯片。特斯拉首席執(zhí)行官埃隆·馬斯克證實(shí)，三星將專注于采用 2 納米工藝量產(chǎn)下一代 AI6 芯片，而封裝將利用英特爾的 EMIB 平臺(tái)。

據(jù)悉，特斯拉自研的 Dojo 超級(jí)運(yùn)算系統(tǒng)目的是在利用 AI 模型學(xué)習(xí)大量的全自動(dòng)駕駛 (FSD) 相關(guān)數(shù)據(jù)。Dojo系統(tǒng)的核心是特斯拉自研的“D 系列”AI 芯片。例如，第一代 Dojo 便是由臺(tái)積電 7nm制程生產(chǎn)，單芯片尺寸達(dá) 654 平方厘米的 25 顆 D1 芯片封裝而成的模塊。在 Dojo 1 之后，Dojo 2 的芯片量產(chǎn)也是由臺(tái)積電負(fù)責(zé)。

Dojo 3，特斯拉計(jì)劃采用新的“D3”芯片，并將其與其下一代 FSD、機(jī)器人及數(shù)據(jù)中心專用的 AI6 芯片整合為單一架構(gòu)。

為什么特斯拉會(huì)選擇三星，而非臺(tái)積電？臺(tái)灣供應(yīng)鏈的消息是，由于 Dojo 芯片在封裝過(guò)程中尺寸極大，與一般系統(tǒng)級(jí)芯片不同。因此，過(guò)去特斯拉會(huì)采用臺(tái)積電的“晶圓級(jí)系統(tǒng)封裝”(System-on-Wafer，SoW) 技術(shù)來(lái)處理 Dojo 的超大型封裝需求。藉由 SoW 技術(shù)透過(guò)在晶圓上直接連接內(nèi)存和系統(tǒng)芯片，無(wú)需傳統(tǒng)基板，非常適合超大型半導(dǎo)體。但是，SoW主要針對(duì)產(chǎn)量極少的超大型特殊芯片，量產(chǎn)規(guī)模小，導(dǎo)致臺(tái)積電在前端和后端制程上提供全面支援的意愿小。

三星和英特爾相信對(duì)特斯拉開(kāi)出更有吸引力的合作條件。三星此前已與特斯拉簽署一筆價(jià)值約 165 億美元的半導(dǎo)體代工合約，就是三星美國(guó)特勒市新晶圓廠將專注于 AI6 芯片量產(chǎn)的協(xié)議。EMIB是英特爾獨(dú)有的2.5D封裝技術(shù)，它與傳統(tǒng)2.5D封裝技術(shù)不同在于，EMIB 不是在芯片下方鋪設(shè)大面積的硅中介層 (Silicon Interposer)，而是在基板內(nèi)部嵌入小型硅橋來(lái)連接芯片。這種設(shè)計(jì)允許更靈活、更高效的芯片布局，并且在擴(kuò)展裸晶尺寸方面也更具優(yōu)勢(shì)，不像傳統(tǒng) 2.5D 封裝會(huì)受中介層尺寸限制。