K計(jì)劃項(xiàng)目組，8/3線上直播，坐標(biāo)：中敏半導(dǎo)體(深圳)

策劃--唐石平，K計(jì)劃發(fā)起人；左3；

主持人--龐男女士，左2；曾在唐總主導(dǎo)的 “元器件工作組” 擔(dān)任執(zhí)行秘書；

嘉賓--段工(BMS行業(yè)資深硬件專家) ，右2；

個(gè)人簡介：略

一、器件工程師工作內(nèi)容及范圍

核心工作內(nèi)容

• 基礎(chǔ)工作包括器件導(dǎo)入、認(rèn)證導(dǎo)入、規(guī)范化管理，以及建立認(rèn)證測試標(biāo)準(zhǔn)；同時(shí)涉及物料選題管控、新物料導(dǎo)入認(rèn)證及物料手段生成。
• 負(fù)責(zé)制作每類物料 L3 級(jí)別的課程知識(shí)，補(bǔ)充各類物料參考認(rèn)證測試標(biāo)準(zhǔn)（為行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)，企業(yè)可根據(jù)自身需求調(diào)整）。

工作范圍拓展

• 并非僅局限于測試質(zhì)檢，還需參與供應(yīng)商生產(chǎn)環(huán)節(jié)、技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定。
• 深度參與前端新技術(shù)、新方向的調(diào)研：包括新技術(shù)、新方向的選擇、驗(yàn)證及導(dǎo)入公司，需持續(xù)了解技術(shù)趨勢。比如，新技術(shù)、新方向的東西，基本都是通過器件工程師參與選擇、驗(yàn)證后導(dǎo)入公司。
• 測試只是基礎(chǔ)工作，更多精力需投入前端技術(shù)趨勢研判。

二、二三極管及 MOS 管認(rèn)證測試規(guī)范

以二三極管、MOS 管為例，詳細(xì)測試項(xiàng)目及目的如下：

高溫反偏測試

• 操作：對(duì)二極管或 MOS 管，在其賦值上施加 80% 額定正向電壓，按 150 度結(jié)溫條件持續(xù)工作一段時(shí)間。
• 要求：期間器件反向耐壓、導(dǎo)通阻抗變化≤20%，漏電流增加量低于初始值的5倍。
• 目的：驗(yàn)證器件邊界缺陷（若存在問題，可能導(dǎo)致導(dǎo)通阻抗或反向擊穿電壓比較大的變化，或者漏電流增加）。

高溫上升測試（針對(duì) MOS 管）

• 操作：在柵源極之間加入額定柵極電壓，漏源極之間短路，，按 150 度結(jié)溫條件持續(xù)工作一段時(shí)間。
• 要求：柵源閾值電壓降低不超過20%或者漏電流不超過初始值的5倍；
• 目的：驗(yàn)證柵極絕緣層可靠性（因 MOS 管柵極絕緣層易出問題，需重點(diǎn)測試）。

邏輯測試

• 因產(chǎn)品壽命長達(dá) 5-20 年，無法通過實(shí)際時(shí)長模擬壽命，故采用加速壽命測試替代，快速驗(yàn)證器件長期工作可靠性。

三、器件失效問題及應(yīng)對(duì)

失效后果

• 器件失效可能導(dǎo)致嚴(yán)重安全問題，如引發(fā)電池起火，因此可靠性測試需嚴(yán)格把控。

失效分析與經(jīng)驗(yàn)

• 以 MOS 管為例：其充電敏感性強(qiáng)，生產(chǎn)線需做好防護(hù)，否則易導(dǎo)致失效；失效后，驗(yàn)證 “是否為正面失效” 難度極大，責(zé)任劃分復(fù)雜（可能涉及生產(chǎn)部、研發(fā)部等，如 “生產(chǎn)部可能存在操作問題，或研發(fā)部未采用合適系統(tǒng)工程”）。
  • 設(shè)計(jì)層面：若一顆 MOS 管可滿足測試標(biāo)準(zhǔn)，無需額外增加ESD 防護(hù)；若單顆不達(dá)標(biāo)，則需追加。
  • 生產(chǎn)制程：生產(chǎn)中工作臺(tái)未接地、靜電流過大等，均可能引發(fā)問題。
  • 管控邏輯：需全流程管控，改進(jìn)時(shí)需平衡成本（設(shè)計(jì)改動(dòng)代價(jià)最低，如 “從設(shè)計(jì)上改進(jìn)，成本投入最少”），同時(shí)合理設(shè)定公司標(biāo)準(zhǔn)（標(biāo)準(zhǔn)過低可能導(dǎo)致生產(chǎn)線無法達(dá)到，過高可能難以采購到符合要求的器件）。