8月28日， elexcon2025 深圳國(guó)際電子展暨嵌入式展在深圳圓滿落幕。作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的創(chuàng)新企業(yè)，宏芯宇以 “芯存無(wú)限，智聯(lián)未來(lái)” 為主題精彩參展。展會(huì)期間，宏芯宇全面展出旗下自研主控芯片、嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)、內(nèi)存產(chǎn)品等全棧產(chǎn)品矩陣，同步呈現(xiàn)多領(lǐng)域行業(yè)級(jí)解決方案，向業(yè)界展現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)在從消費(fèi)電子到汽車智能化的多元場(chǎng)景中的應(yīng)用潛力與創(chuàng)新實(shí)力。

自研主控，筑牢存儲(chǔ)技術(shù)底座

依托多年深耕存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)積累與持續(xù)的研發(fā)投入，宏芯宇已實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)自主可控—— 在 eMMC、PCIe SSD、SATA SSD、USB、UFS 五大主流存儲(chǔ)品類中，布局了自研主控芯片，產(chǎn)品覆蓋 AI 手機(jī)、AI PC、智能手表、智能平板、商顯設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通信等多元智能終端需求場(chǎng)景。本次展會(huì)，宏芯宇重點(diǎn)展出四款代表性主控芯片，其性能優(yōu)勢(shì)與技術(shù)特色備受關(guān)注：

HG2283 PCIe Gen3X4 SSD 主控芯片： 采用集成SRAM創(chuàng)新設(shè)計(jì)，不需外掛DRAM，大幅簡(jiǎn)化硬件架構(gòu)；支持主機(jī)內(nèi)存緩沖器（HMB）技術(shù)，可高效利用主機(jī)內(nèi)存提升存儲(chǔ)性能；同時(shí)搭載 LDPC+RAID 雙重糾錯(cuò)機(jī)制，保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)穩(wěn)定性。該芯片連續(xù)讀寫速度分別可達(dá) 3400MB/s 和 2500MB/s，為高性能存儲(chǔ)設(shè)備提供核心支撐。

HG2259 SATA SSD 主控芯片： 采用新一代LDPC 糾錯(cuò)技術(shù)，糾錯(cuò)能力顯著提升，可適配 3D TLC/QLC 等多種類型 NAND 閃存，兼容性極強(qiáng)；形態(tài)上支持 2.5 寸、M.2 2280、M.2 2242、mSATA 等主流規(guī)格，最大容量可拓展至 2TB，滿足不同設(shè)備存儲(chǔ)需求；順序讀寫速度穩(wěn)定達(dá)到 540MB/s 和 500MB/s，兼顧性能與實(shí)用性。

HG2232：eMMC5.1 主控芯片： 采用40nm 先進(jìn)工藝制程，在實(shí)現(xiàn)主控芯片小面積設(shè)計(jì)的同時(shí)，有效降低運(yùn)行功耗，適配低功耗設(shè)備場(chǎng)景；可完美搭配 3D TLC 閃存顆粒，搭配自研 SECC（Strong Error Correcting Code）錯(cuò)誤糾正算法，糾錯(cuò)能力高達(dá) 300 bit/4KB，數(shù)據(jù)可靠性突出；連續(xù)讀寫速度分別達(dá) 300MB/s 和 200MB/s，滿足中高端嵌入式設(shè)備存儲(chǔ)需求。

HG2319：USB3.2 閃存盤主控芯片： 基于 USB3.2 高速傳輸技術(shù)，突破傳統(tǒng)閃存盤速度瓶頸，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)速度創(chuàng)新升級(jí)；內(nèi)置 ECC 糾錯(cuò)算法，具備 BCH 90 Bit 糾錯(cuò)能力，有效降低數(shù)據(jù)傳輸與存儲(chǔ)過(guò)程中的錯(cuò)誤率；連續(xù)讀寫速度可達(dá) 200MB/s 和 130MB/s，為移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備帶來(lái)更快的傳輸體驗(yàn)。

全棧產(chǎn)品矩陣，適配多元存儲(chǔ)需求

精準(zhǔn)洞察全球存儲(chǔ)市場(chǎng)需求變化，宏芯宇針對(duì)不同行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景與客戶個(gè)性化需求，構(gòu)建起覆蓋“嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)存儲(chǔ)、內(nèi)存產(chǎn)品” 的全系列存儲(chǔ)產(chǎn)品生態(tài)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、可穿戴設(shè)備、人工智能、安防監(jiān)控、工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)通信及機(jī)器人等領(lǐng)域，以高性能、高可靠性滿足各行業(yè)存儲(chǔ)需求：

l 嵌入式存儲(chǔ)

宏芯宇嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品涵蓋eMMC、UFS、uMCP等系列，核心優(yōu)勢(shì)在于采用自主主控芯片與定制化固件算法，實(shí)現(xiàn)從 4GB 到 1TB 的全容量覆蓋，適配不同設(shè)備存儲(chǔ)規(guī)格需求。性能表現(xiàn)上，eMMC 產(chǎn)品讀寫速度分別可達(dá) 320MB/s 和 260MB/s，UFS 產(chǎn)品讀取速度更是突破 4300MB/s，uMCP 產(chǎn)品則搭載 UFS2.2 + LPDDR4X 雙協(xié)議，傳輸速率高達(dá) 4266Mbps，滿足高速數(shù)據(jù)交互需求。此外，產(chǎn)品支持 - 40℃~85℃工業(yè)級(jí)寬溫工作范圍，搭配先進(jìn)糾錯(cuò)技術(shù)，在消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等嚴(yán)苛環(huán)境場(chǎng)景中均能穩(wěn)定運(yùn)行，為 AIoT 時(shí)代提供可靠存儲(chǔ)保障。

l 固態(tài)硬盤

在固態(tài)硬盤領(lǐng)域，宏芯宇通過(guò)高性能主控芯片與自研固件算法的深度融合，既實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫速度的顯著提升，又滿足不同場(chǎng)景下的大容量需求：

消費(fèi)級(jí)PCIe Gen4 SSD： 提供512GB~4TB 容量選擇，順序讀寫速度分別可達(dá) 7100MB/s 和 6500MB/s，相比市場(chǎng)同類產(chǎn)品具備明顯速度優(yōu)勢(shì)，無(wú)論是大型文件傳輸、專業(yè)軟件運(yùn)行還是 3A 游戲加載，均能實(shí)現(xiàn)高效快速處理，為用戶帶來(lái)流暢使用體驗(yàn)。

企業(yè)級(jí)SSD： 采用PCIe Gen5 x 4 NVMe 2.0 高端協(xié)議，支持 LDPC+RAID 雙重糾錯(cuò)機(jī)制，最大容量高達(dá) 16TB，連續(xù)讀寫速度分別達(dá)到 13GB/s 和 9GB/s；憑借高可靠性、超大容量與卓越的 IOPS表現(xiàn)，成為數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等企業(yè)級(jí)場(chǎng)景的理想存儲(chǔ)解決方案，可支撐海量數(shù)據(jù)高效處理與長(zhǎng)期穩(wěn)定存儲(chǔ)。

l 移動(dòng)存儲(chǔ)

宏芯宇移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品包含USB 閃存盤（支持 USB 3.2協(xié)議）與存儲(chǔ)卡（Micro SD）兩大品類，同樣采用自主高性能主控芯片與優(yōu)化固件算法，提供 2GB~2TB 多容量選擇，適配筆記本電腦、智能手機(jī)、游戲機(jī)、相機(jī)、便攜終端等各類移動(dòng)設(shè)備，兼顧高速傳輸與便攜性，滿足用戶隨時(shí)隨地的存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)交互需求。

l 內(nèi)存產(chǎn)品

聚焦高性能內(nèi)存產(chǎn)品研發(fā)，宏芯宇內(nèi)存產(chǎn)品涵蓋LPDDR、DRAM、DRAM Module，其中 DRAM Module 嚴(yán)格遵循 JEDEC 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)規(guī)范：

DDR4 UDIMM/SODIMM： 支持8GB32GB 容量，速率可達(dá) 2666Mbps3200Mbps

DDR5 UDIMM/SODIMM： 支持8GB64GB 容量，速率可達(dá) 4800Mbps6400Mbps

內(nèi)存產(chǎn)品產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于嵌入式產(chǎn)品、消費(fèi)類筆記本、消費(fèi)類臺(tái)式機(jī)、及人工智能領(lǐng)域，為設(shè)備高效數(shù)據(jù)處理與穩(wěn)定運(yùn)行提供核心內(nèi)存支撐。

深耕車規(guī)存儲(chǔ)，助力汽車智能化升級(jí)

隨著汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、電動(dòng)化加速轉(zhuǎn)型，智能座艙、車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛系統(tǒng)（ADAS）及車身控制系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性與性能提出更高要求 —— 不僅需耐受極端溫度、抗電磁干擾，還需滿足長(zhǎng)壽命、高安全等嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)此，宏芯宇深耕車規(guī)存儲(chǔ)領(lǐng)域，從設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、封裝到測(cè)試全流程嚴(yán)格把控，確保產(chǎn)品符合汽車行業(yè)可靠性與功能安全需求。

目前，宏芯宇已推出eMMC、UFS、eSSD 三大車規(guī)存儲(chǔ)產(chǎn)品系列，所有產(chǎn)品均通過(guò) AEC-Q100 Grade2/3 認(rèn)證，并嚴(yán)格遵循 ISO 26262：2028 ASIL D 功能安全標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)流程，可完美適配車載中控系統(tǒng)、數(shù)字儀表盤、T-box 等關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行需求：

車規(guī)級(jí)eMMC： 提供8GB~256GB 多容量配置，搭配硬件級(jí) ECC/LDPC 糾錯(cuò)技術(shù)，讀寫速度可達(dá) 400MB/s，保障車載系統(tǒng)數(shù)據(jù)穩(wěn)定存儲(chǔ)與快速調(diào)用；

車規(guī)級(jí)UFS： 支持UFS 2.1/3.1多版本協(xié)議，容量覆蓋 64G~512G，內(nèi)置 LDPC 糾錯(cuò)機(jī)制，讀寫速度可達(dá) 1600MB/s，滿足自動(dòng)駕駛場(chǎng)景下海量數(shù)據(jù)高速傳輸需求；

車規(guī)級(jí)e****SSD ：基于PCIe Gen 4X4 NVMe 1.4 協(xié)議，提供 256GB 至 1TB 大容量選擇，傳輸速率高達(dá) 3700MB/s，為智能座艙、車載數(shù)據(jù)處理平臺(tái)提供高性能存儲(chǔ)支撐。

榮耀加冕，彰顯海外存儲(chǔ)市場(chǎng)新高度

宏芯宇重視存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的全球布局，積極踐行國(guó)內(nèi)國(guó)際雙循環(huán)戰(zhàn)略，海外業(yè)績(jī)2024年表現(xiàn)亮眼，產(chǎn)品覆蓋歐美、日韓、東南亞等20多個(gè)國(guó)家。憑借在海外市場(chǎng)的持續(xù)投入和出色的市場(chǎng)表現(xiàn)，榮獲elexcon組委會(huì)頒發(fā)的“出海市場(chǎng)成長(zhǎng)獎(jiǎng)”。

此次elexcon2025深圳國(guó)際電子展暨嵌入式展，宏芯宇以 “核心技術(shù)+ 全棧產(chǎn)品 + 行業(yè)方案” 的多維展示，不僅彰顯了其在存儲(chǔ)領(lǐng)域的自主創(chuàng)新實(shí)力，更傳遞出助力全球各行業(yè)數(shù)字化、智能化轉(zhuǎn)型的決心。未來(lái)，隨著存儲(chǔ)技術(shù)與下游應(yīng)用場(chǎng)景的深度融合，宏芯宇將持續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為核心，推出更多適配市場(chǎng)需求的存儲(chǔ)產(chǎn)品與解決方案，為全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)能。