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LMK6C 低抖動(dòng)、高性能、體聲波 (BAW) 固定頻率 LVCMOS 振蕩器技術(shù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-09-11 10:32 ? 次閱讀
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德州儀器TI) 的體聲波 (BAW) 是一種微諧振器技術(shù),可將高精度 BAW 諧振器直接集成到具有超低抖動(dòng)時(shí)鐘電路的封裝中。BAW 與其他硅基制造工藝一樣,完全在 TI 工廠設(shè)計(jì)和制造。

LMK6x 器件是一款超低抖動(dòng)、固定頻率振蕩器,將 BAW 作為諧振器源。該器件在工廠根據(jù)特定工作模式進(jìn)行編程,包括頻率、電壓、輸出類(lèi)型和功能引腳。LMK6x 采用高性能小數(shù)分頻器,能夠產(chǎn)生指定范圍內(nèi)的任何頻率,為所有頻率需求提供單一器件系列。

該器件具有高性能時(shí)鐘、機(jī)械穩(wěn)定性、靈活性和小封裝選項(xiàng),專(zhuān)為電信、數(shù)據(jù)和企業(yè)網(wǎng)絡(luò)以及工業(yè)應(yīng)用中使用的高速 SERDES 中的參考時(shí)鐘和核心時(shí)鐘而設(shè)計(jì)。
*附件:lmk6c.pdf

特性

  • 高性能差分和單端輸出振蕩器,支持以下范圍內(nèi)的任何固定頻率:
    • LMK6D:1MHz至400MHz,LVDS輸出
    • LMK6H:1MHz至400MHz,HCSL輸出
    • LMK6P:1MHz至400MHz,LVPECL輸出
    • LMK6C:1MHz至200MHz,LVCMOS輸出
  • 超低抖動(dòng):
    • LMK6D/LMK6H/LMK6P:156.25MHz(12kHz至20MHz)時(shí)典型值為100fs/最大RMS抖動(dòng)為125fs。
    • LMK6C:100MHz(12kHz至20MHz)時(shí)典型值為350fs/最大RMS抖動(dòng)為500fs。
    • LMK6H:符合 PCIe Gen 1 至 Gen 7 標(biāo)準(zhǔn)
  • ±25ppm 總頻率穩(wěn)定性,包括 10 年老化和所有其他因素
  • 最小的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) DLE 和 DLF 封裝
  • 支持?jǐn)U展工業(yè)溫度等級(jí):
    • LMK6P/LMK6D/LMK6H:–40°C 至 85°C
    • LMK6C:–40°C 至 105°C
  • 集成LDO,具有強(qiáng)大的電源抗噪性:
    • 500kHz紋波時(shí)–72dBc PSRR
  • 啟動(dòng)時(shí)間:< 5ms
  • 標(biāo)準(zhǔn)頻率:
    • LVCMOS (MHz):1、2.04、4、8.192、10、12、12.288、16、19.2、20、23.5、24、24.57、25、25.6、26、26.21、27、28.12、32.768、33.333、40、48、49.15、50、54、60、65.53、66、74.25、76.8、80、100、108、125、133.330 和 156.25
    • 差分 (MHz):25、26、32.5、50、51.84、54、65、76.8、80、100、108、122.88、125、133.330、148.35、148.5、150、155.52、156.25、161.1328125、200、312.5 和 400
  • 設(shè)備可以支持 1MHz 至 400MHz 之間的任何頻率。請(qǐng)聯(lián)系 TI 代表了解所需的任何頻率和樣品

參數(shù)

image.png

方框圖

image.png

?1. 產(chǎn)品概述?
LMK6x系列是德州儀器(TI)基于體聲波(BAW)技術(shù)的超低抖動(dòng)高性能振蕩器,包含LMK6C(LVCMOS輸出)、LMK6D(LVDS輸出)、LMK6H(HCSL輸出)和LMK6P(LVPECL輸出)四種型號(hào)。關(guān)鍵特性包括:

  • ?頻率范圍?:1MHz至400MHz(差分型號(hào))或1MHz至200MHz(LVCMOS)。
  • ?超低抖動(dòng)?:典型值100fs(差分型號(hào)@156.25MHz),LVCMOS為350fs@100MHz。
  • ?穩(wěn)定性?:±25ppm總頻率穩(wěn)定性(含10年老化)。
  • ?溫度范圍?:-40°C至85°C(差分型號(hào))或-40°C至105°C(LMK6C)。
  • ?封裝?:3.2mm×2.5mm(DLE)或2.5mm×2mm(DLF)超小尺寸。

?2. 核心優(yōu)勢(shì)?

  • ?BAW技術(shù)?:集成高精度微諧振器,無(wú)需真空腔體,抗機(jī)械振動(dòng)性能優(yōu)異(靈敏度約2ppb/g)。
  • ?集成LDO?:電源噪聲抑制達(dá)-72dBc@500kHz,提升系統(tǒng)可靠性。
  • ?快速啟動(dòng)?:<5ms啟動(dòng)時(shí)間,支持PCIe Gen1-Gen7合規(guī)性(LMK6H)。

?3. 應(yīng)用場(chǎng)景?

  • 高速數(shù)據(jù)通信:56G/112G PAM4時(shí)鐘、400G/800G光傳輸網(wǎng)絡(luò)。
  • 網(wǎng)絡(luò)設(shè)備:交換機(jī)、路由器、基帶單元(BBU)。
  • 工業(yè)與測(cè)試:FPGA參考時(shí)鐘、晶體振蕩器替代方案。

?4. 關(guān)鍵參數(shù)?

  • ?電源?:1.8V/2.5V/3.3V可選,典型功耗62mA@3.3V(LVCMOS 100MHz)。
  • ?輸出配置?:支持單端/差分多種接口標(biāo)準(zhǔn),提供詳細(xì)的終端匹配方案(如LVDS需100Ω端接)。
  • ?時(shí)序特性?:RMS周期抖動(dòng)低至1.6ps(LVDS),相位噪聲-156dBc/Hz@1MHz偏移。

?5. 設(shè)計(jì)支持?

  • ?封裝與引腳?:提供4引腳(LMK6C)和6引腳(差分型號(hào))選項(xiàng),支持輸出使能(OE)或待機(jī)(ST)功能。
  • ?布局建議?:推薦使用1μF電源去耦電容,優(yōu)先采用0201/0402封裝以縮短布線。
  • ?熱管理?:ΨJB熱阻參數(shù)39.4°C/W(DLF封裝),需通過(guò)多通孔接地散熱。

?6. 文檔結(jié)構(gòu)?
數(shù)據(jù)手冊(cè)包含特性、應(yīng)用、引腳定義、電氣規(guī)格(含絕對(duì)最大額定值)、時(shí)序圖、典型曲線及封裝信息,并附有EVM用戶指南和BAW技術(shù)白皮書(shū)等參考資料。

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