Microchip Technology SP6LI mSiC? MOSFET模塊評估板設計用于SP6LI低電感SiC模塊測試，采用頂部安裝數(shù)字柵極驅動器解決方案。該板簡化了設計過程，降低了與大功率模塊集成相關的風險。SP6LI mSiC? 模塊評估板提供了一個可擴展平臺，用于推動節(jié)能和高性能電力電子系統(tǒng)的創(chuàng)新。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Microchip Technology SP6LI MSC? MOSFET模塊評估板用戶指南.pdf

特性

• 快速評估和優(yōu)化SP6LI碳化硅 (SiC) 模塊的開關特性
• 創(chuàng)建可擴展的高功率密度設計
• 最大限度地縮短開發(fā)時間，加快產(chǎn)品上市速度

電路板概述

Microchip SP6LI mSiC? MOSFET模塊評估板技術解析

評估板概述

Microchip Technology的SP6LI mSiC? MOSFET模塊評估板(MSCDR-SP6LIEVB-001)是一款專為SP6LI低電感SiC模塊測試而設計的一站式開發(fā)平臺，集成了頂部安裝的數(shù)字柵極驅動器解決方案。該評估板支持高達900VDC的母線電壓，為工程師提供了完整的功率模塊測試環(huán)境。

主要技術特性

硬件架構設計

1. ?功率模塊支持?：設計用于SP6LI封裝的Microchip mSiC MOSFET模塊，如MSCSM120AM02CT6LING等型號
2. ?電壓支持?：終端塊連接器支持+VBUS電壓高達900VDC(相對于-VBUS)
3. ?電流測量?：提供Rogowski線圈接口用于漏極和源極側的電流測量
4. ?測試點配置?：包括高/低側柵極信號(VGS)和VDS電壓的測試點
5. ?電容網(wǎng)絡?：包含132μF薄膜電容和2mF等效總容值的電解電容

PCB設計參數(shù)

• ?層數(shù)?：4層FR4板材
• ?厚度?：2mm
• ?工藝?：通孔(PTH)PCB結構
• ?尺寸?：詳細機械圖紙見用戶指南1.4節(jié)

應用測試功能

雙脈沖測試配置

評估板特別優(yōu)化了雙脈沖測試(DPT)功能：

• 專用端子塊用于連接電感負載
• 高低側開關均可獨立測試
• 提供完整測試原理圖和PCB布局圖

動態(tài)飽和(DSAT)測試

評估板支持過電流保護測試：

• 可設置高達900A的過流條件
• 高低側均可進行DSAT測試
• 提供標準測試設置和結果參考

典型測試結果

基于600VDC母線電壓和400A負載電流的測試數(shù)據(jù)：

1. ?開通特性?：
   • 高側開關開通損耗與電流過沖關系曲線
   • 低側開關開通瞬態(tài)波形特征
2. ?關斷特性?：
   • 高側開關關斷電壓過沖與損耗關系
   • 低側開關關斷瞬態(tài)波形特征
3. ?DSAT性能?：
   • 高側在900A過流條件下的保護響應
   • 低側過流保護觸發(fā)波形

設計資源

評估板配套提供完整的設計文件：

• 詳細原理圖(章節(jié)1.2)
• PCB各層布局圖(TOP/Inner1/Inner2/Bottom)
• 機械安裝圖紙
• 完整物料清單(BOM)

應用建議

該評估板特別適用于：

1. SiC功率模塊的開關特性評估
2. 柵極驅動器性能驗證
3. 高頻功率電路原型開發(fā)
4. 新能源和電動汽車相關電力電子研究