在人工智能與高性能計算浪潮的席卷下，HBM（高帶寬內(nèi)存）以其獨特的性能優(yōu)勢，成為半導體市場的“寵兒”。市場研究機構(gòu)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，2025年HBM市場規(guī)模將達到263.29億美元，同比增長超過70%。如此迅猛的增長態(tài)勢，不僅讓HBM自身成為焦點，更如同一場風暴，帶動了眾多上游技術(shù)的爆發(fā)，為半導體產(chǎn)業(yè)注入了新的活力與變革動力。

先進封裝設(shè)備：HBM堆疊的“基石構(gòu)建者”

HBM作為一種基于3D堆棧工藝的高性能內(nèi)存，其多層堆疊的特性對先進封裝設(shè)備提出了極高的要求。在這個領(lǐng)域，多家企業(yè)憑借各自的技術(shù)優(yōu)勢嶄露頭角。

ASMPT便是其中的典型代表。其廣泛布局的先進封裝設(shè)備，為本土半導體供應(yīng)鏈提供了可靠支持。以公司的TCB（熱壓鍵合）設(shè)備為例，在HBM的多層堆疊過程中，TCB設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的芯片鍵合，確保每一層芯片都能準確無誤地連接在一起，這對于HBM的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。正是憑借這樣的技術(shù)實力，ASMPT的TCB設(shè)備成為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)鏈不可或缺的一環(huán)。隨著HBM市場的持續(xù)擴大，ASMPT的先進封裝設(shè)備業(yè)務(wù)也將迎來更廣闊的發(fā)展空間。據(jù)報道，SK海力士很可能將ASMPT設(shè)備用于其第五代HBM（HBM3E）技術(shù)，該技術(shù)被認為是高帶寬存儲器（HBM）中的尖端產(chǎn)品組。由于HBM是通過堆疊DRAM來封裝的特性，因此層數(shù)越高成品率就越不穩(wěn)定，據(jù)悉ASMPT設(shè)備獲得了SK海力士的高度評價。據(jù)業(yè)內(nèi)人士2月26日透露，SK海力士已向ASMPT訂購TC Bonder設(shè)備，目前正在測試多種HBM產(chǎn)品組，其中包括HBM3E 16層產(chǎn)品。 TC鍵合機是HBM制程中必不可少的設(shè)備，是一種將多個芯片垂直堆疊的設(shè)備。

韓美半導體同樣在HBM封裝設(shè)備市場占據(jù)重要地位。長期與SK海力士的合作，使其積累了豐富的HBM封裝設(shè)備研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗。其TC鍵合機不僅在精度和效率上表現(xiàn)出色，還不斷進行技術(shù)創(chuàng)新。例如，針對HBM4特性推出的“TC Bonder 4”設(shè)備，大幅提升了精度與生產(chǎn)效率，即使在要求極高精度的16層以上堆疊工藝中，也能實現(xiàn)高生產(chǎn)效率和高品質(zhì)。這一設(shè)備的推出，進一步鞏固了韓美半導體在HBM封裝設(shè)備市場的領(lǐng)先地位，也為HBM向更高層數(shù)堆疊發(fā)展提供了有力支持。第五代HBM技術(shù)中是否如此前報道采用ASMPT設(shè)備，未使用韓美產(chǎn)品，還是需要求證。

混合鍵合技術(shù)：開啟HBM性能飛躍的“鑰匙”

混合鍵合技術(shù)作為三維集成的關(guān)鍵實現(xiàn)技術(shù)，正成為半導體行業(yè)競爭的新焦點。它摒棄了傳統(tǒng)鍵合工藝中在DRAM內(nèi)存層間添加凸塊的步驟，通過直接銅對銅連接，極大提高了信號傳輸速率，滿足了AI計算對高帶寬的迫切需求，同時降低了DRAM層間距，縮減了HBM模塊整體高度，提升了芯片集成度與性能。

Besi作為混合鍵合設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍者，敏銳地捕捉到了HBM市場帶來的機遇。隨著三星電子、SK海力士等存儲巨頭對下一代HBM內(nèi)存技術(shù)的布局推進，Besi憑借在混合鍵合設(shè)備領(lǐng)域的深厚積淀，迎來了新的發(fā)展契機。今年4月，公司收到兩家領(lǐng)先存儲芯片廠商針對HBM4應(yīng)用的混合鍵合訂單，以及一家亞洲領(lǐng)先晶圓代工廠關(guān)于邏輯芯片的追加訂單，當季訂單量達1.319億歐元，較上季度增長8.2%，彰顯出強勁的市場需求。

此外，應(yīng)用材料公司與Besi的合作也為混合鍵合技術(shù)的發(fā)展注入了強大動力。2025年4月，應(yīng)用材料公司收購Besi 9%股份，成為其最大股東。雙方自2020年合作開發(fā)“全集成混合鍵合設(shè)備”，結(jié)合應(yīng)用材料的前端晶圓處理技術(shù)與Besi的后端高精度封裝能力，共建“卓越中心”加速技術(shù)商用。這一合作不僅實現(xiàn)了技術(shù)上的互補，也為混合鍵合技術(shù)的量產(chǎn)突破奠定了基礎(chǔ)。聯(lián)合開發(fā)的混合鍵合系統(tǒng)已進入技術(shù)驗證階段，目標在未來2 - 3年內(nèi)實現(xiàn)大批量生產(chǎn)，滿足數(shù)據(jù)中心、人工智能及自動駕駛等高算力應(yīng)用場景的需求。

晶圓加工設(shè)備：HBM制造的“精密雕刻師”

在HBM的制造過程中，晶圓加工設(shè)備起著至關(guān)重要的作用。從晶圓的切割、研磨到拋光等環(huán)節(jié)，每一個步驟都需要高精度的設(shè)備來保證晶圓的質(zhì)量和性能。

日本設(shè)備制造商Disco憑借其在晶圓減薄、切割和研磨技術(shù)方面的優(yōu)勢，在HBM市場帶動下實現(xiàn)了強勢增長。2023年，受先進封裝需求強勁的推動，Disco以20%的市場份額領(lǐng)先。其長期以來致力于提供最前沿的精密加工設(shè)備，廣泛應(yīng)用于晶圓切割、研磨、拋光和鍵合等環(huán)節(jié)。在HBM技術(shù)中，TSV（硅通孔）工藝是核心，通過三維堆疊芯片來提升連接效率。Disco為TSV提供了全面的技術(shù)支持，包括晶圓切割、研磨和拋光等關(guān)鍵工藝，確保芯片在堆疊過程中能夠保持高精度和高效性。

例如，在薄硅片處理過程中，Disco開發(fā)的低損傷隱形切割技術(shù)，有效解決了低介電常數(shù)材料在加工中的難題。此外，Disco的翹曲控制技術(shù)能夠應(yīng)對高精度晶圓的生產(chǎn)需求，幫助客戶在大規(guī)模生產(chǎn)中保持一致的加工質(zhì)量。通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，Disco在全球半導體制造領(lǐng)域保持了領(lǐng)導地位，并為推動人工智能和HBM的進步提供了強有力的技術(shù)支持。

國內(nèi)企業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)：奮起直追，謀求突破

在國際企業(yè)紛紛布局HBM上游技術(shù)市場的同時，國內(nèi)企業(yè)也面臨著機遇與挑戰(zhàn)。一方面，HBM市場的火爆為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)帶來了廣闊的發(fā)展空間。隨著國內(nèi)對AI、高性能計算等領(lǐng)域的需求不斷增長，對HBM及相關(guān)上游技術(shù)的需求也將持續(xù)增加。這為國內(nèi)企業(yè)提供了參與國際競爭、提升技術(shù)水平的契機。

另一方面，國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)實力和市場占有率方面與國際巨頭仍存在一定差距。在先進封裝設(shè)備、混合鍵合技術(shù)、晶圓加工設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)的技術(shù)水平和產(chǎn)品質(zhì)量還有待提高。此外，國際市場上的競爭日益激烈，技術(shù)壁壘和貿(mào)易保護主義也給國內(nèi)企業(yè)的海外拓展帶來了一定的困難。

然而，國內(nèi)企業(yè)并沒有因此而退縮。拓荊科技、華卓精科等國內(nèi)企業(yè)紛紛入局混合鍵合技術(shù)領(lǐng)域，加大研發(fā)投入，努力提升自身的技術(shù)實力。同時，國內(nèi)也在積極推動HBM生態(tài)鏈的建立，涵蓋TCB設(shè)備、COWOS封裝、HBM堆疊、芯粒設(shè)計、EDA協(xié)同等一整套本土化路徑。通過加強產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新，國內(nèi)企業(yè)有望在HBM上游技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，縮小與國際巨頭的差距。

HBM的火爆如同一個強大的引擎，帶動了先進封裝設(shè)備、混合鍵合技術(shù)、晶圓加工設(shè)備等眾多上游技術(shù)的爆發(fā)。在這個充滿機遇與挑戰(zhàn)的時代，國際企業(yè)憑借其技術(shù)優(yōu)勢和市場經(jīng)驗占據(jù)著領(lǐng)先地位，而國內(nèi)企業(yè)也在奮起直追，積極謀求突破。未來，隨著技術(shù)的不斷進步和市場的持續(xù)擴大，HBM上游技術(shù)領(lǐng)域?qū)⒂瓉砀蛹ち业母偁幒透訌V闊的發(fā)展前景。我們有理由相信，在全球半導體產(chǎn)業(yè)的舞臺上，中國企業(yè)將綻放出更加耀眼的光芒。

審核編輯 黃宇