91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SK海力士引領下一代HBM技術發(fā)展

SK海力士 ? 來源:SK海力士 ? 2025-03-12 16:07 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

人工智能市場中,HBM仍是“游戲規(guī)則改變者(Game Changer)”。隨著技術競爭愈發(fā)激烈,客戶需求也更加多樣化。

2024年,SK海力士取得了有史以來的最佳業(yè)績。公司的HBM憑借業(yè)界領先的技術實力,在這一成就中發(fā)揮了核心作用。今年,為了實現(xiàn)更為顯著的增長,需要持續(xù)技術創(chuàng)新并提高生產(chǎn)效率,HBM異構集成技術部在提高良率和產(chǎn)品質量、優(yōu)化成本,以及提升封裝技術方面的重要性,比以往任何時候都愈加凸顯。

本文采訪了2025年HBM異構集成技術部新任副社長韓權煥,就HBM技術在面向AI的存儲器市場的創(chuàng)新策略及未來目標進行了深入交流。

韓副社長表示,將通過技術和運營創(chuàng)新,構建起能夠迅速響應市場和客戶需求的協(xié)作體系

技術創(chuàng)新與運營創(chuàng)新并舉,實現(xiàn)雙贏

韓副社長于2002年加入SK海力士,從早期階段就開始參與HBM的研發(fā)工作,主導了歷代HBM產(chǎn)品的開發(fā)與量產(chǎn),為公司構建行業(yè)領先地位做出了重要貢獻。

“HBM剛推出時,無論是生產(chǎn)規(guī)模還是產(chǎn)品需求,都遠不及現(xiàn)在。然而,隨著2023年ChatGPT的出現(xiàn),人工智能市場開始爆發(fā)式增長,客戶需求急劇增加。為了應對這一變化,我們面臨的挑戰(zhàn)是在短時間內(nèi)構建起比現(xiàn)有生產(chǎn)線更具規(guī)模的生產(chǎn)線,并且針對部分客戶需求,還需要將其他產(chǎn)品的部分生產(chǎn)線改造為HBM生產(chǎn)線,以建立大規(guī)模量產(chǎn)體系。這在當時被認為是幾乎不可能完成的任務,但在包括了HBM異構集成技術部成員在內(nèi)的相關部門的傾力協(xié)作下,我們最終取得了成功?!?/p>

在助力SK海力士提升HBM市場份額,并確保其全球頂尖的生產(chǎn)能力和品質等方面,韓副社長的戰(zhàn)略對策發(fā)揮了很大作用。憑借這些經(jīng)驗和能力,韓副社長將全面負責HBM異構集成技術部,為提高產(chǎn)量和順利過渡到下一代HBM奠定新的技術基礎。

“要在HBM市場競爭中占據(jù)優(yōu)勢,技術實力是立足之本,我們必須能夠及時向客戶提供最優(yōu)質的產(chǎn)品。為此,我們將通過技術和運營創(chuàng)新,構建一個可以迅速響應市場和客戶需求的協(xié)作體系,全力以赴確保量產(chǎn)的穩(wěn)定性?!?/p>

韓副社長強調(diào),需要通過部門協(xié)作來構建最佳量產(chǎn)環(huán)境,以應對各種市場變化

致力于構建滿足市場與客戶需求的最佳大規(guī)模量產(chǎn)環(huán)境

韓副社長強調(diào):“2025年最重要的任務是有效應對日益增長的市場需求,同時為下一代HBM的量產(chǎn)奠定堅實的技術基礎?!?/p>

“12層HBM3E產(chǎn)品是今年我們投產(chǎn)的重點,與現(xiàn)有的8層HBM3E產(chǎn)品相比,其工藝技術難度更高。此外,隨著產(chǎn)品的更新迭代,下一代HBM產(chǎn)品將面臨更嚴峻的技術挑戰(zhàn)。盡管我們在開發(fā)過程中克服了諸多技術難題,并已開始量產(chǎn),但伴隨著產(chǎn)量驟增,我們?nèi)钥赡苡龅揭庀氩坏降淖償?shù),這些問題一旦出現(xiàn),解決起來將極為棘手。HBM異構集成技術部肩負的使命之一就是專注于提前預測這些問題,并制定全面的應對策略。”

近期,隨著對面向AI的存儲器的需求不斷增加,全球大型科技企業(yè)對定制型產(chǎn)品的需求也在逐漸增長。但相比其他產(chǎn)品,HBM的工序更多,生產(chǎn)過程也更為復雜,因此應對這種變化并非易事。韓副社長表示:“提高產(chǎn)量固然重要,但更關鍵的是構建高效的運營體系。我們將提高生產(chǎn)線的靈活性,加強與客戶的合作,最大限度地提升公司HBM產(chǎn)品在市場中的競爭優(yōu)勢?!?/p>

“為了提高HBM生產(chǎn)線的靈活性,我們正通力合作以改進各種操作系統(tǒng),并從開發(fā)階段起,就將負責研發(fā)和量產(chǎn)的部門視為一個團隊,與客戶展開更加緊密的合作,以提高生產(chǎn)效率。為此,我們將攜手相關部門,積極攻克技術難題,打造最佳量產(chǎn)環(huán)境。在此基礎上,我們將為SK海力士在邁向成為全方位面向AI的存儲器供應商的目標過程中,做出更大的貢獻。”

韓副社長認為,領導應鼓勵員工自我激勵,提升其歸屬感,與公司共同成長

充分發(fā)揮領導作用,鼓勵員工與公司共同成長

韓副社長指出,創(chuàng)造卓越的成就主要得益于員工們“自我驅動”的力量,且領導者的激勵對培養(yǎng)此種信念感也發(fā)揮了關鍵作用。他特別強調(diào)了積極支持部門中年輕成員們成長的重要性,并表達了堅定的決心。

“我認為,領導者想要創(chuàng)造一個讓成員們能夠自我驅動且能提升其歸屬感的工作環(huán)境,關鍵在于‘溝通’。我們要積極溝通,共同解決問題,讓那些滿懷熱情和責任感,在工作上全力以赴的年輕成員們與公司共同成長?!?/p>

此外,韓副社長還勉勵員工們要充滿信心,攜手并進。同時他強調(diào),在瞬息萬變的市場環(huán)境中,“現(xiàn)場安全”是重要的價值觀。

“我們正處于快速發(fā)展階段,必須集中精力實現(xiàn)目標。但是,沒有什么比‘現(xiàn)場安全’更重要了。作為領導者,我將在這方面發(fā)揮帶頭作用。同時,希望大家不要忘記我們身處全球頂尖企業(yè)。未來,我將繼續(xù)與各位溝通協(xié)作,共同努力,打造一個更加強大的SK海力士。”

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 存儲器
    +關注

    關注

    39

    文章

    7737

    瀏覽量

    171640
  • AI
    AI
    +關注

    關注

    91

    文章

    39707

    瀏覽量

    301311
  • SK海力士
    +關注

    關注

    0

    文章

    1007

    瀏覽量

    41605

原文標題:[2025年新高管訪談] SK海力士HBM異構集成技術部韓權煥副社長:構建最佳量產(chǎn)環(huán)境,引領下一代HBM技術發(fā)展

文章出處:【微信號:SKhynixchina,微信公眾號:SK海力士】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    SK海力士與閃迪公司啟動HBF全球標準化制定工作

    SK海力士(或‘公司’)26日宣布,于當?shù)貢r間25日在美國加利福尼亞州米爾皮塔斯的閃迪公司總部,與閃迪公司聯(lián)合舉辦“HBF規(guī)格標準化聯(lián)盟啟動會”,正式發(fā)布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF(High Bandwidth
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:23 ?179次閱讀

    KV緩存黑科技!SK海力士“H3存儲架構”,HBM和HBF技術加持!

    structure)”,同時采用了HBM和HBF兩種技術。 ? 在SK海力士設計的仿真實驗中,H3架構將HBM和HBF顯存并置于GPU旁,
    的頭像 發(fā)表于 02-12 17:01 ?6407次閱讀
    KV緩存黑科技!<b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>“H3存儲架構”,<b class='flag-5'>HBM</b>和HBF<b class='flag-5'>技術</b>加持!

    SK海力士在CES 2026展示面向AI的下一代存儲器解決方案

    SK海力士(或‘公司’)6日宣布,公司將于當?shù)貢r間1月6日至9日,在美國拉斯維加斯舉辦的“CES 2026”威尼斯人會展中心設立專屬客戶展館,并集中展示面向AI的下一代存儲器解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 01-08 12:57 ?1790次閱讀

    SK海力士HBS存儲技術,基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,存儲行業(yè)巨頭SK海力士正全力攻克項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。 ? SK
    的頭像 發(fā)表于 11-14 09:11 ?3197次閱讀
    <b class='flag-5'>SK</b><b class='flag-5'>海力士</b>HBS存儲<b class='flag-5'>技術</b>,基于垂直導線扇出VFO封裝工藝

    SK海力士發(fā)布未來存儲路線圖

    Stack AI Memory Creator)轉型的戰(zhàn)略新愿景,在迎接下一個AI時代之前,SK 海力士能深化其角色。 ? 郭魯正指出,AI的加速應用導致信息流量爆炸性增長,但存儲性能未能與處理器進步保持
    的頭像 發(fā)表于 11-08 10:49 ?3483次閱讀

    全球首款HBM4量產(chǎn):2.5TB/s帶寬超越JEDEC標準,AI存儲邁入新紀元

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六高帶寬存儲器(HBM4)的開發(fā),并同步進入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達等核心客戶交付
    發(fā)表于 09-17 09:29 ?6266次閱讀

    SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領AI存儲新變革

    在人工智能(AI)技術迅猛發(fā)展的當下,數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進步飛躍的關鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導體巨頭 SK 海力士
    的頭像 發(fā)表于 09-16 17:31 ?1791次閱讀

    強強合作 Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動高帶寬閃存技術標準化

    (High Bandwidth Flash,HBFTM)技術規(guī)范。這項新興技術旨在為下一代人工智能推理提供突破性的存儲容量和性能支持。通過此次合作,雙方將致力于推動該技術規(guī)范標準化,明
    的頭像 發(fā)表于 08-08 13:37 ?2100次閱讀

    SK海力士在微細工藝技術領域的領先實力

    SK海力士的成功神話背后,離不開眾多核心技術的支撐,其中最令人矚目的便是“微細工藝”。通過對肉眼難以辨識的微細電路進行更為精細化的處理,SK海力士
    的頭像 發(fā)表于 07-03 12:29 ?1851次閱讀

    SK海力士HBM技術發(fā)展歷史

    SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發(fā)揮了決定性作用。無論是率先開發(fā)出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的
    的頭像 發(fā)表于 06-18 15:31 ?2003次閱讀

    SK海力士宋清基TL榮庸發(fā)明日銅塔產(chǎn)業(yè)勛章

    SK海力士宣布,5月19日于首爾COEX麻谷會展中心舉行的“第60屆發(fā)明日紀念儀式”上,來自HBM開發(fā)部門的宋清基TL榮庸銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 09:36 ?1138次閱讀

    SK海力士以基于AI/DT的智能工廠推動HBM等核心產(chǎn)品的營收增長

    近日,SK海力士宣布,在首爾江南區(qū)韓國科學技術會館舉行的“2025年科學?信息通訊日紀念儀式”上,公司數(shù)字化轉型組織的都承勇副社長榮獲了科學技術信息通信部頒發(fā)的銅塔產(chǎn)業(yè)勛章。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:29 ?1164次閱讀

    英偉達供應商SK海力士盈利大增158%

    得益于AI需求的有力推動;高帶寬內(nèi)存(HBM)需求持續(xù)暴漲,這帶動了英偉達供應商SK海力士盈利大增158%。 據(jù)SK海力士公布的財務業(yè)績數(shù)據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 10:44 ?1502次閱讀

    SK海力士強化HBM業(yè)務實力的戰(zhàn)略規(guī)劃

    隨著人工智能技術的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現(xiàn)了顯著的增長,為SK
    的頭像 發(fā)表于 04-18 09:25 ?1253次閱讀

    混合鍵合技術將最早用于HBM4E

    客戶對HBM的要求為增加帶寬、提高功率效率、提高集成度?;旌湘I合就是可以滿足此類需求的技術。 ? 混合鍵合技術預計不僅可應用于HBM,還可應用于3D DRAM和NAND Flash。
    發(fā)表于 04-17 00:05 ?1126次閱讀