電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦咨詢的數(shù)據(jù)顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場(chǎng)規(guī)模約為2.71億美元，到2030年或?qū)⑦_(dá)到43.76億美元，年復(fù)合增速高達(dá)49%。在市場(chǎng)增長(zhǎng)的同時(shí)，國(guó)內(nèi)氮化鎵硅片企業(yè)也在加速布局，就在今年9月，中欣晶圓宣布公司8英寸氮化鎵外延制備用重?fù)脚鸪駫伖夤杵蚱七M(jìn)口依賴，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)技術(shù)空白。

中欣晶圓主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅片的研發(fā)，在產(chǎn)品布局方面，已具備4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸拋光片以及12英寸外延片產(chǎn)品研發(fā)，構(gòu)建了完整的硅片技術(shù)儲(chǔ)備體系。

中欣晶圓市場(chǎng)部長(zhǎng)周笛在2025灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會(huì)（灣芯展）演講中指出，當(dāng)前硅片行業(yè)依舊由大尺寸硅片主導(dǎo)，例如12英寸硅片出貨面積占比超過(guò)8成，且市場(chǎng)需求持續(xù)在增長(zhǎng)。不同尺寸硅片在技術(shù)節(jié)點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域和產(chǎn)能狀態(tài)上各有側(cè)重，共同推動(dòng)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)升級(jí)。

其中12英寸晶圓聚焦于成熟及先進(jìn)制程，深度滲透至手機(jī)處理器、高性能計(jì)算機(jī)、FPGA、ASIC、存儲(chǔ)、射頻、藍(lán)牙、GPS導(dǎo)航等前沿領(lǐng)域，正處于關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)突破的階段。8英寸晶圓則在硅片市場(chǎng)形成差異化競(jìng)爭(zhēng)，主要用于成熟制程與特種制程，廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)計(jì)算、邊緣計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、功率器件等領(lǐng)域，當(dāng)前亦處于產(chǎn)能擴(kuò)張階段，精準(zhǔn)適配新興場(chǎng)景的定制化需求。而4-6英寸小直徑晶圓憑借穩(wěn)定的量產(chǎn)能力，在SOI、GaN、MOSFET、IGBT等細(xì)分領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，全球產(chǎn)能保持平穩(wěn)。

在氮化鎵硅片領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是中欣晶圓的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司自主開(kāi)發(fā)了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，包括：自主研創(chuàng)的超厚硅片制造技術(shù)，實(shí)現(xiàn)硅片厚度的精準(zhǔn)控制；獨(dú)特的定位分段式涂膜工藝技術(shù)，有效提升膜層均勻性；自主創(chuàng)新的金屬Cu（銅）控制技術(shù)；優(yōu)異的硅片曲度控制技術(shù)，保障大尺寸硅片的平面度；以及凸出的拋光片面粗糙度控制技術(shù)，提升表面潔凈度與一致性。


在國(guó)際氮化鉀應(yīng)用領(lǐng)域中，各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)對(duì)硅片質(zhì)量具有直接影響——其核心參數(shù)嚴(yán)格規(guī)定了硅片的平整度、曲率、背面厚度、整體厚度及顆粒度等關(guān)鍵特性。中欣晶圓建立了統(tǒng)一的技術(shù)規(guī)范體系，通過(guò)優(yōu)化加工工藝，成功實(shí)現(xiàn)了優(yōu)質(zhì)超厚拋光硅片的穩(wěn)定生產(chǎn)。

周笛表示，中欣晶圓的產(chǎn)品相較進(jìn)口產(chǎn)品，具有拋光精度優(yōu)異、表面狀態(tài)更潔凈、硅片厚度及均一性、電阻率均勻性突出等優(yōu)勢(shì)。在電阻率均勻性方面，中欣晶圓產(chǎn)品的中心值為0.007152歐厘米，競(jìng)品為0.000845歐厘米。

中欣晶圓的創(chuàng)新不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)高端硅片的技術(shù)空白，也使中欣晶圓的產(chǎn)品具備替代進(jìn)口的能力，技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。今年5月30日，中欣晶圓官方宣布，公司所有產(chǎn)品合計(jì)月銷售量首次突破100萬(wàn)片。

就在今年9月，中欣晶圓在高端襯底材料領(lǐng)域也迎來(lái)進(jìn)展，其自主研發(fā)的“8英寸氮化鎵外延制備用重?fù)脚鸪駫伖夤杵睉{借多項(xiàng)核心工藝創(chuàng)新打破進(jìn)口依賴。中欣晶圓介紹，該產(chǎn)品基于超厚硅片制造、低表面粗糙度控制、金屬Cu控制、硅片平整度與曲度控制、分段式涂蠟工藝、特殊硅片背面薄膜生長(zhǎng)以及拋光面顆?？刂频汝P(guān)鍵技術(shù)，全面滿足客戶在外延制備中的高性能需求。