MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)中的參數(shù)理解
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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1.Q：并聯(lián)使用MOS存在一些問(wèn)題，那我們要怎樣做才能避免這些問(wèn)題？
A：首先，器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并聯(lián)時(shí)，器件內(nèi)部參數(shù)的微小差異就會(huì)引起并聯(lián)各支路電流的不平衡而導(dǎo)致單管過(guò)流
發(fā)表于 01-26 07:46
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（2）Id電流參數(shù)選擇時(shí)，需要考慮連續(xù)工作電流和電涌帶來(lái)的尖峰電流，確保
發(fā)表于 12-23 08:22
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發(fā)表于 11-19 06:35
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET關(guān)鍵參數(shù)選型依據(jù).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 07-10 14:25
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發(fā)表于 07-09 18:30
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SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)
尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中，選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí)，為防止 SiC-MOSFET開(kāi)關(guān)在開(kāi)通瞬間由于吸收電容器上能量過(guò)多、需通過(guò)自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命，需要對(duì) RC 緩沖吸收
發(fā)表于 04-23 11:25
MOSFET講解-17（可下載）
接下來(lái)接著看 12N50 數(shù)據(jù)手冊(cè)上面這個(gè)參數(shù)是 MOSFET 的熱阻，RBJC 表示 MOS 管結(jié)溫到表面的 熱阻，這里我們知道 RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：RBJC = T
發(fā)表于 04-22 13:29
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MOSFET 數(shù)據(jù)手冊(cè)，試試這樣看！
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來(lái)看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些
發(fā)表于 04-11 11:04
麥科信光隔離探頭在碳化硅（SiC）MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用
，測(cè)試過(guò)程中對(duì)測(cè)量系統(tǒng)的寄生參數(shù)提出了更高要求，寄生電感、電容等因素可能影響測(cè)試精度，需加以?xún)?yōu)化和控制。
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發(fā)表于 04-08 16:00
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算
Power MOSFET 設(shè)計(jì)電源時(shí)，大多直接以 PowerMOSFET 的最大耐壓、最大導(dǎo)通電流能力及導(dǎo)通電阻等三項(xiàng)參數(shù)做出初步?jīng)Q定。但實(shí)際上，在不同的應(yīng)用電路中，Power MOSFET
發(fā)表于 03-24 15:03
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