目前激光是除斑除色素的優(yōu)秀解決方案，得到了廣泛的應(yīng)用，在色素性病變治療方面的主流波長有694nm、755nm、808nm、1064nm等，其中755nm波長是一個非常重要的應(yīng)用波長，主要原因為755nm波長對于黑色素吸收效果的專一性是所有激光除斑當(dāng)中最高的一個，專一性越高，去除黑色素的效果越明顯，清除率高，可縮短治療次數(shù)，皮膚安全性也越高。

755nm波長：黑色素吸收率高

從黑色素的吸收峰來看，755nm的吸收系數(shù)為8-10，1064nm吸收系數(shù)在4-5之間。黑色素的吸收率隨波長增加而降低，波長越長，黑色素吸收越少。所以，黑色素吸收越高，激光作用就越明顯，755nm可充分作用于目標(biāo)靶組織。黑色素的吸收率隨波長增加而降低，波長越長，黑色素吸收越少，則治療時所需要的起效能量就越高。因此在黑色素吸收問題上，755nm激光使用較低的能量就能達到顯著的治療效果，將副作用降到最低。

755nm波長：黑色素相對血液的吸收能量比率高血紅蛋白競爭性吸收少

將激光打到皮膚上，黑色素以及血液都會吸收能量，我們在考慮波長對黑色素吸收率強的同時，也不能忽視其對血液的吸收率，因為當(dāng)血液和黑色素兩者都能吸收的同時，黑色素就沒有相對優(yōu)勢了。由于血液并不是我們目標(biāo)要處理的對象，所以我們不希望血液吸能量吸得太好，因為血液吸能量吸得越好，代表越多能量并非有效率在處理黑色素。非目標(biāo)物(血液)吸收能量，除了整體能量輸出要加強以務(wù)求黑色素獲得一定程度的刺激外，也會帶來不必要的副作用，例如紅腫、皮下出血、反黑等，延長了恢復(fù)時間之余，還增加副作用的風(fēng)險，如色素沉淀、反黑（hyperpigmentation）和反白 (hypopigmentation)。

所以，黑色素相對血液的吸收能量比率越好，意味著血紅蛋白競爭性吸收少，激光作用效果就越好。755nm黑色素相對血液的吸收能量比率好50倍，而1064nm黑色素相對血液的吸收能量比率只高16倍，相比之下，755nm作用效果比1064nm好3倍左右。所以755nm激光的優(yōu)勢在于，它具有較高的黑色素吸收比率，血紅蛋白競爭性吸收少，這意味著它可以在較低的能量水平上就能達到效果，大大減少了上述副作用的機會，縮短了恢復(fù)時間，減少了所需的治療次數(shù)。

755nm波長：足夠的穿透深度

色素性皮膚問題的激光波長選擇在滿足上述兩個條件時，還有一個條件同樣至關(guān)重要，那就是這些波長對皮膚的穿透深度必須達到真皮層，才能有效改善淺表層至皮膚深層的色素性病變。

上圖中雖然沒有明確標(biāo)識出755nm波長的激光皮膚穿透深度，但根據(jù)波長區(qū)間對應(yīng)的穿透深度來看，以及結(jié)合下圖不同波長對皮膚的穿透深度不難看出，755nm波長能有效穿透至皮膚真皮層，對表皮到真皮各種色素病變都能達到不錯的治療效果。

755nm波長能有效穿透至皮膚真皮層

正是看到了激光在醫(yī)療美容市場的廣闊前景，作為國內(nèi)極少數(shù)研發(fā)和生產(chǎn)大功率激光芯片的專業(yè)供應(yīng)商-深圳瑞波光電子有限公司從2014年就開始研發(fā)醫(yī)療用激光芯片，現(xiàn)開發(fā)出755nm激光芯片，型號為RB-755A-350-8-2.5-SE，發(fā)光條寬350um，腔長2.5mm，工作功率8W，光電轉(zhuǎn)換效率42%，工作電壓1.9V。（根據(jù)單管芯片測試數(shù)據(jù)得到。單管芯片測試時，以 COS（Chip On Submount）封裝形式，COS 測試溫度為 25℃，熱阻為 2~3 K/W。）

755nm 芯片PIV曲線

755nm 芯片壽命測試曲線（連續(xù)電流）

瑞波光電755nm 芯片老化數(shù)據(jù)（脈沖電流，脈沖寬度50ms，重復(fù)頻率10Hz）。完成850小時，即3000萬個脈沖，滿足祛斑和脫毛應(yīng)用的壽命要求2000萬次

除了755nm波長外，瑞波光電針對醫(yī)療美容市場還開發(fā)了780nm、808nm、880nm、1064nm、1470nm、1550nm等多款單管芯片產(chǎn)品，均得到了市場的積極反饋和認可，目前都在批量出貨中。

關(guān)于瑞波光電

深圳瑞波光電子有限公司是由深圳清華大學(xué)研究院、國內(nèi)外技術(shù)專家共同創(chuàng)辦的從事大功率半導(dǎo)體激光器芯片研發(fā)和生產(chǎn)的高科技企業(yè)，擁有從半導(dǎo)體激光芯片外延設(shè)計、材料、制造工藝，到芯片封裝、表征測試等全套核心技術(shù)，可向市場提供高性能、高可靠性大功率半導(dǎo)體激光芯片，封裝模塊及測試表征設(shè)備，并可提供研發(fā)咨詢服務(wù)。

公司芯片產(chǎn)品形式包括單管芯片（single-emitter）和bar條，功率從瓦級到數(shù)百瓦級，波長覆蓋可見光到近紅外波段，波長包含635nm、808nm、880nm、905nm、915nm、940nm、976nm、1064nm、1470nm、1550nm等，輸出功率均達到國內(nèi)領(lǐng)先水平，可代替進口高端激光芯片；封裝產(chǎn)品包括C-Mount、COS（Chip on Submount）、BOS（Bar on Submount)和CCP等；表征測試設(shè)備種類齊全、自動化程度高，包括Bar條綜合性能測試機、Full-bar 綜合性能測試機、COS綜合性能測試機、半導(dǎo)體激光光纖耦合模塊綜合性能測試機、大功率半導(dǎo)體激光芯片器件老化/壽命測試機等。

公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、醫(yī)療美容、光通信、激光顯示、激光測距、科研等領(lǐng)域。公司的發(fā)展目標(biāo)是填補中國在大功率半導(dǎo)體激光器芯片領(lǐng)域的空白，成為世界一流的半導(dǎo)體激光器供應(yīng)商，為我國現(xiàn)代化生產(chǎn)和科學(xué)研究做出貢獻。