創(chuàng)建基于傳感器的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）邊緣器件會涉及多個設計領域，因此極具挑戰(zhàn)性（圖1）。但是，在同一硅片上創(chuàng)建一個既有采用傳統(tǒng)CMOS IC流程制作的電子器件，又有MEMS傳感器的邊緣器件似乎不大現(xiàn)實。實際上，許多IoT邊緣器件會在單個封裝中集成多個芯片，將電子器件與MEMS設計分開。Tanner AMS IC設計流程支持單芯片或多芯片技術，因而有助于成功實現(xiàn)IoT邊緣器件的設計和驗證。不過，本文將著重介紹在單個芯片上融合CMOS IC與MEMS設計的獨特挑戰(zhàn)。

圖1：一個典型IoT邊緣器件，涉及數(shù)字、模擬、射頻和MEMS領域

Tanner設計流程（圖2）為AMS IC設計提供了一個完整的環(huán)境。

圖2：Tanner AMS設計流程

不過，多年以來，Tanner支持自上而下的MEMS IC流程（圖3），能讓客戶將MEMS設計融入這一流程中。

圖3：自上而下的IC/MEMS流程

IoT邊緣設計要求結合模擬、數(shù)字、射頻和MEMS這四個設計領域，特別是在同一芯片的情況下。即使組件針對的是不同芯片之后的結合，在版圖布局和驗證過程中，它們?nèi)孕枰獏f(xié)同工作。設計團隊需要繪制混合模擬與數(shù)字、射頻和MEMS設計，進行芯片版圖布局，然后執(zhí)行元器件和頂層仿真。在單個芯片上設計電子器件和MEMS涉及以下幾點需要關注（參見圖3）

原理圖可能包含IC和MEMS器件。IC器件使用SPICE模型進行建模，而MEMS器件則可直接在物理域（如機械、靜電、流體和磁）中創(chuàng)建行為模型（圖4）。S-Edit內(nèi)的MEMS符號庫支持MEMS繪制。

圖4：電子器件和MEMS位于同一電路圖上

為了支持初始MEMS/IC仿真，您可以在System Model Builder中利用SPICE或Verilog-A中的解析方程來創(chuàng)建MEMS模型。結合MEMS仿真庫，您還可以在初始階段就對整個設計進行是否符合預期的驗證。

利用MEMS PCell庫，您可以在L-Edit進行版圖設計。此外，Library Palette（圖5）提供了許多MEMS器件的基本版圖生成器，您可以將其用作設計的初始模型。

圖5：用于創(chuàng)建MEMS器件版圖的Library Palette

然后，您可以生成一個三維（3D）幾何模型，以便進行查看、虛擬原型開發(fā)，以及導出到有限元分析（FEA）工具。

Compact Model Builder采用的是降階建模技術，因此利用該工具，您可以根據(jù)FEA結果創(chuàng)建行為模型，并將其用于最終系統(tǒng)級仿真中。

傳統(tǒng)上，MEMS的設計部分從創(chuàng)建MEMS器件的3D模型開始，然后在第三方有限元分析（FEA）工具（如Open Engineering的OOFELIE::Multiphysics）中分析其物理特性，直到獲得滿意的結果。但是，您需要2D掩模才能制造MEMS器件。如何從3D模型中衍生出2D掩模呢？您可以遵循圖6所示的Tanner流程，即以掩模為導向，然后成功制造出MEMS器件。

圖6：以掩模為導向的MEMS設計流程

從L-Edit的2D掩模版圖開始創(chuàng)建器件。然后，3D Solid Modeler會利用這些版圖和一系列的3D制造流程步驟，自動生成器件的3D實體模型。導出該3D模型并使用您喜歡的有限元工具執(zhí)行3D分析，如發(fā)現(xiàn)任何問題，可以進行迭代。對2D掩模版圖進行適當?shù)男薷?，然后重復流程。通過這個以掩模為導向的設計流程，您可以在運行的MEMS器件中進行仿真集成，因為您可以直接創(chuàng)建最終用于制造目的的掩模，而不是從3D模型進行逆向工作。

執(zhí)行MEMS實體建模

您可以根據(jù)晶圓代工廠的流程信息設置制造步驟（圖7）。利用此信息，L-Edit可以為MEMS器件建立制造流程每一步的3D實體模型。

圖7：制造流程編輯器

您可以與生成的3D模型（圖8）進行交互，例如旋轉模型，獲取橫截面視圖，另外您還可以診斷制造問題。您可以自動導出流程每個步驟的橫截面，以便更好地了解制造流程和您的器件。然后，您可以將模型導出到FEA工具進行分析。

圖8：3D模型示例

設計案例

以下案例為東方微電公司(www.dfwee.com)設計的集成式磁開關芯片，內(nèi)部包含磁阻傳感芯片和信號調理芯片ASIC。產(chǎn)品可用于音響/冰箱/保險柜/汽車/艙門監(jiān)測，液位，氣缸行程位置、水表氣表/轉速表等。