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選型手冊:MOT4025G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET

深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 ? 2025-11-04 16:33 ? 次閱讀
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仁懋電子(MOT)推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET,集成 N 溝道與 P 溝道管,憑借 40V 耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開關(guān)特性,適用于電機(jī)驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等大功率場景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場景等維度展開說明。

一、產(chǎn)品基本信息

  • 器件類型:互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET(N 溝道 + P 溝道)
  • 耐壓規(guī)格:漏源極耐壓(\(V_{DS}\))均為40V
  • 導(dǎo)通電阻
    • N 溝道:\(V_{GS}=10V\)時典型17mΩ,\(V_{GS}=4.5V\)時典型22mΩ
    • P 溝道:\(V_{GS}=-10V\)時典型29mΩ,\(V_{GS}=-4.5V\)時典型34mΩ。

二、核心特性

  • 先進(jìn)溝槽單元設(shè)計:采用超級 trench 結(jié)構(gòu),大幅降低導(dǎo)通電阻,提升電流密度,適配大電流功率轉(zhuǎn)換;
  • 互補(bǔ)架構(gòu)優(yōu)勢:N 溝道與 P 溝道管協(xié)同工作,簡化電機(jī)驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器的拓?fù)湓O(shè)計;
  • 低熱阻與高可靠性:結(jié)到殼熱阻(\(R_{JC}\))3.6℃/W,保障大功耗工況下的結(jié)溫控制,工作溫度范圍-55~+150℃;
  • 高頻開關(guān)適配:動態(tài)電容(輸入、輸出、反向傳輸電容)優(yōu)化,開關(guān)時間(導(dǎo)通延遲、上升 / 下降時間)達(dá)納秒級,適合高頻 PWM 控制。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T_c=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)

參數(shù)符號N 溝道P 溝道單位
連續(xù)漏極電流(\(I_D\))28A(\(T_c=25^\circ\text{C}\))19.8A(\(T_c=100^\circ\text{C}\))-15A(\(T_c=25^\circ\text{C}\))-10.6A(\(T_c=100^\circ\text{C}\))A
脈沖漏極電流(\(I_{DM}\))70A-60AA
最大功耗(\(P_D\))35W35WW
柵源極電壓(\(V_{GS}\))±20V±20VV
閾值電壓(\(V_{GS(th)}\))

\(V_{GS(th)}\)

1.0~2.0V-2.0~-1.0VV
動態(tài)電容(典型值)

\(C_{iss}\)/\(C_{oss}\)/\(C_{rss}\)

964pF/109pF/96pF-pF
開關(guān)時間(典型值)導(dǎo)通延遲 / 上升時間 / 關(guān)斷延遲 / 下降時間5.5ns/14ns/5ns/24ns-ns

四、應(yīng)用場景

  • 電機(jī)驅(qū)動:利用互補(bǔ)架構(gòu)實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)控制,低導(dǎo)通電阻特性降低驅(qū)動損耗,提升電機(jī)效率;
  • DC-DC 轉(zhuǎn)換器:在同步整流、降壓 / 升壓拓?fù)渲凶鳛橹鏖_關(guān)管,高頻開關(guān)特性與低損耗設(shè)計提升電源轉(zhuǎn)換效率。

五、信息來源

仁懋電子(MOT)官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)

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