在當今對數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎設施和數(shù)據(jù)中心中，Everspin推出的自旋轉移扭矩MRAM（STT-MRAM）存儲器——EMD4E001G-1Gb，憑借其卓越的性能與獨特的技術優(yōu)勢，成為眾多高性能存儲解決方案中的亮點。

1、MRAM存儲器無需外部電力支持的數(shù)據(jù)保護
英尚微代理的Everspin MRAM存儲器能夠在無需使用超級電容器或電池的情況下，實現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)保護。這一特性使企業(yè)基礎設施與數(shù)據(jù)中心能夠在關鍵任務系統(tǒng)中，顯著提高數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性，同時優(yōu)化整體性能表現(xiàn)。

2、MRAM存儲器的高性能接口與極低延遲
①類DDRx接口設計：MRAM存儲器EMD4E001G采用與JEDEC標準兼容的ST-DDR4接口，并針對STT-MRAM特性進行專門優(yōu)化，可輕松集成于各類存儲、計算及網(wǎng)絡應用中；
②高帶寬與低延遲：MRAM存儲器支持每引腳1333 MT/s的高傳輸速率，具備真正的字節(jié)尋址能力，響應延遲極低，滿足高性能內(nèi)存應用對速度的嚴苛要求。

3、MRAM存儲器卓越的耐用性與系統(tǒng)設計簡化
MRAM存儲器具備極高的耐用性，即便在持續(xù)高負載的內(nèi)存工作環(huán)境中，也能保持穩(wěn)定運行。這一特性大幅簡化了系統(tǒng)設計復雜度，幫助客戶在高需求應用場景中實現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)管理。

4、MRAM存儲器的高密度容量支持
作為Everspin目前容量最高、技術最先進的STT-MRAM存儲器，EMD4E001G面向需要高容量、低延遲、高持久性與耐用性的企業(yè)與計算應用。其1Gb的存儲密度帶來以下關鍵優(yōu)勢：
①優(yōu)化I/O流管理，提高延遲確定性；
②幫助存儲OEM廠商顯著提升產(chǎn)品服務質(zhì)量；
③MRAM存儲器適用于固態(tài)硬盤、存儲加速器、計算存儲等多種場景，作為持久數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，帶來系統(tǒng)性能的全面提升。

5、MRAM存儲器EMD4E001G-1Gb的主要規(guī)格概覽
①接口類型：ST-DDR4，兼容JEDEC標準BGA封裝；
②傳輸速率：每引腳1333 MT/s（對應667MHz時鐘頻率）；
③MRAM存儲器容量：1Gb；
④MRAM存儲器應用場景：固態(tài)硬盤、存儲加速器、計算存儲、網(wǎng)絡設備等。

Everspin的EMD4E001G STT-MRAM存儲器不僅延續(xù)了MRAM技術在非易失性、高速度與高耐用性方面的優(yōu)勢，更通過高密度集成與標準化接口，為企業(yè)與數(shù)據(jù)中心用戶提供了兼顧性能與可靠性的理想存儲解決方案。技術咨詢、選型需求或應用支持，請訪問英尚微/網(wǎng)/頁/獲取信息。

審核編輯 黃宇