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【設(shè)計(jì)周報(bào)】電子發(fā)燒友每周內(nèi)容精選第35期

電子發(fā)燒友論壇 ? 2025-11-18 08:06 ? 次閱讀
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我們匯總了本周的一些電子技術(shù)動(dòng)態(tài)、硬件設(shè)計(jì)趨勢(shì)、開源方案、硬科技新進(jìn)展、前沿新品、行業(yè)趨勢(shì)、技術(shù)討論焦點(diǎn)、開發(fā)者活動(dòng)、論壇精華等部分。希望能夠分享給感興趣的朋友。https://bbs.elecfans.com/collection_485_1.html

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芯品速遞

1.低功耗、低成本--極海發(fā)布APM32F403系列高性價(jià)比MCU

極海正式推出APM32F403系列高性價(jià)比MCU,產(chǎn)品已通過IEC 60730/60335功能安全認(rèn)證,可提供符合Class B標(biāo)準(zhǔn)的功能安全庫,幫助客戶快速推出安全可靠的終端產(chǎn)品。

2.支持9200 MT/s速率--瀾起科技推出DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片

瀾起科技正式推出新一代DDR5時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)芯片,該芯片最高支持9200 MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,可有效優(yōu)化客戶端內(nèi)存子系統(tǒng)性能,為下一代高性能PC、筆記本電腦及工作站提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。

3.替代HBM,存儲(chǔ)大廠們進(jìn)軍HBF技術(shù)

HBF全稱HighBandwidthFlash,其結(jié)構(gòu)與堆疊DRAM芯片的HBM類似,是一種通過堆疊NAND閃存而制成的產(chǎn)品。

4.640卡超節(jié)點(diǎn)問世:國(guó)產(chǎn)算力實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵一躍

中科曙光發(fā)布全球首個(gè)單機(jī)柜級(jí)640卡超節(jié)點(diǎn)ScaleX640,這款被命名為ScaleX640的超節(jié)點(diǎn),憑借“一拖二”高密架構(gòu)和單機(jī)柜640卡超高速總線互連,構(gòu)建起大規(guī)模、高帶寬、低時(shí)延的通信域。據(jù)介紹,兩個(gè)ScaleX640即可組成千卡級(jí)計(jì)算單元,在MoE萬億參數(shù)大模型訓(xùn)練等前沿場(chǎng)景中,性能較傳統(tǒng)方案提升30%~40%,單機(jī)柜算力密度更是激增20倍。

5.51.2T帶寬、128×400G,國(guó)內(nèi)最高密度盒式DCI交換機(jī)正式發(fā)布

新華三發(fā)布國(guó)內(nèi)最高密度盒式DCI交換機(jī)——H3C S12500R-128DH,為跨域智算中心互聯(lián)提供標(biāo)桿級(jí)解決方案。

6.英飛凌推出全新軟件開發(fā)集成工具AURIX Configuration Studio,加速AURIX系列器件軟件開發(fā)

全新集成開發(fā)環(huán)境(IDE)——AURIXConfiguration Studio(ACS),旨在簡(jiǎn)化采用AURIX TC3x系列器件的應(yīng)用開發(fā)流程,加快產(chǎn)品上市并降低開發(fā)成本。

7.華為公布“十大發(fā)明”創(chuàng)新成果!SCALE-UP超大規(guī)模超節(jié)點(diǎn)算力平臺(tái)位列第一

本發(fā)明獎(jiǎng)超節(jié)點(diǎn)內(nèi)的異構(gòu)并行處理器、、內(nèi)存、存儲(chǔ)等資源,通過高速互聯(lián)總線形成全對(duì)等互聯(lián)結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)共享內(nèi)存池;資源可根據(jù)不同的任務(wù)需求,像搭積木一樣進(jìn)行靈活調(diào)配組合,實(shí)現(xiàn)了“一切皆對(duì)等,一切皆可池化、一切皆可組合”,使數(shù)百、數(shù)千個(gè)處理器連接起來,像一臺(tái)計(jì)算機(jī)一樣工作、學(xué)習(xí)、思考、推理。

8.5G RedCap加速邊緣AI革命:智能穿戴與AI眼鏡迎來“直連云端”新時(shí)代

5G自商用以來,雖具備超高速率、低時(shí)延、大連接等優(yōu)勢(shì),但其高成本、高功耗的特性限制了其在非智能手機(jī)終端中的廣泛應(yīng)用。尤其在智能手表、AR/VR眼鏡、可穿戴健康設(shè)備等場(chǎng)景中,傳統(tǒng)5G方案難以兼顧性能與續(xù)航。3GPP在R17版本中正式引入5G RedCap標(biāo)準(zhǔn)后,“輕量級(jí)5G”的到來拓展了數(shù)十億級(jí)的物聯(lián)網(wǎng)與邊緣AI應(yīng)用等5G連接的需求。

9.5G-A賦能“夸父”,具身智能邁入新紀(jì)元

第十五屆全國(guó)運(yùn)動(dòng)會(huì)火炬?zhèn)鬟f現(xiàn)場(chǎng),全球首款搭載5G-A技術(shù)的人形機(jī)器人“夸父”以“0號(hào)火炬手”身份,從深圳市民中心奔向蓮花山公園。這個(gè)手持1.6公斤火炬、全程無人工陪跑的機(jī)器人,以擬人化姿態(tài)完成百米接力,標(biāo)志著5G-A與具身智能的融合從實(shí)驗(yàn)室測(cè)試邁入真實(shí)場(chǎng)景驗(yàn)證的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。

10.芯馳MCU E3650:4×R52+、SSDPE引擎,賦能智能車控

E3650搭載了全自研SSDPE SSDP硬件通信加速引擎,可實(shí)現(xiàn)所有CAN FD同時(shí)工作的情況下零數(shù)據(jù)丟包。在低功耗場(chǎng)景下,E3650可使用專有的喚醒檢測(cè)引擎和低功耗CPU來幫助客戶輕松實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì),降低整機(jī)靜態(tài)功耗。

11.車載CAN收發(fā)器標(biāo)桿產(chǎn)品--思瑞浦TPT1043AQ:以高適配、強(qiáng)抗擾與全國(guó)產(chǎn)化

TPT1043AQ擁有高速通信且兼顧高抗擾性能,這一性能不僅保障了強(qiáng)干擾環(huán)境下的高速數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性,更幫助客戶減少外圍共模電感設(shè)計(jì),降低 PCB 板面積占用與物料成本,同時(shí)減少因外圍器件失效導(dǎo)致的故障風(fēng)險(xiǎn),提升系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性。

12.谷歌云發(fā)布最強(qiáng)自研TPU,性能比前代提升4倍

“Ironwood”由谷歌自主精心設(shè)計(jì),能夠輕松處理從大型模型訓(xùn)練到實(shí)時(shí)聊天機(jī)器人運(yùn)行以及AI智能體操作等各類復(fù)雜任務(wù)。

13.宇樹科技上新,首款輪式機(jī)器人G1-D發(fā)布

本次推出的G1-D,是宇樹打造的首款輪式機(jī)器人,身高范圍約在1260-1680mm,頭部配備高清雙目相機(jī),腕部配備高清相機(jī),還能選配移動(dòng)底盤:通用版沒有配置移動(dòng)底盤,旗艦版所配置的移動(dòng)底盤速度為1.5m/s,支持原地360°旋轉(zhuǎn);通用版續(xù)航時(shí)間約2小時(shí),旗艦版約6小時(shí)。

14.恩智浦BMA6002/BMI6002 BMS通信網(wǎng)關(guān)傳輸協(xié)議鏈路收發(fā)器

BMA6002/BMI6002支持通過菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)隔離BMS設(shè)備間的通信。憑借雙TPL端口設(shè)計(jì),該器件支持電容式和電感式隔離,可實(shí)現(xiàn)多個(gè)BMS設(shè)備的鏈接。

15.算力密度翻倍!江原D20加速卡發(fā)布,一卡雙芯重構(gòu)AI推理標(biāo)桿

江原D20加速卡采用“一卡雙芯”架構(gòu),在單張PCIE插槽內(nèi)集成兩顆江原全國(guó)產(chǎn)AI芯片,通過先進(jìn)的PCIe Bifurcation技術(shù),共享一個(gè)16-lane PCIe 5.0接口,實(shí)現(xiàn)雙芯片直連通信,省去了傳統(tǒng)多卡系統(tǒng)中昂貴的PCIe Switch芯片,大幅降低了成本與功耗。

16.SK海力士HBS存儲(chǔ)技術(shù),基于垂直導(dǎo)線扇出VFO封裝工藝

SK海力士研發(fā)的這項(xiàng)HBS技術(shù)采用了創(chuàng)新的芯片堆疊方案。根據(jù)規(guī)劃,該技術(shù)將通過一種名為垂直導(dǎo)線扇出(VFO)的封裝工藝,實(shí)現(xiàn)最多16層DRAM與NAND芯片的垂直堆疊,這種高密度的堆疊方式將大幅提升數(shù)據(jù)處理速度,為移動(dòng)設(shè)備的AI運(yùn)算提供強(qiáng)有力的存儲(chǔ)支撐。

17.數(shù)據(jù)中心高功率密度PSU--海思推出全新數(shù)字電源MCU

上海海思推出新一代數(shù)字電源 MCU 產(chǎn)品 Hi3071,針對(duì)高功率密度電源進(jìn)行了多方面的適配。Hi3071 搭載成熟的高性能 Cortex-M7 內(nèi)核,采用超標(biāo)量雙發(fā)射 6 級(jí)流水線架構(gòu),具備強(qiáng)大的并行任務(wù)處理能力。為滿足開關(guān)電源環(huán)路控制的極致實(shí)時(shí)性要求,產(chǎn)品配置了 4KB 指令緩存(I-Cache)、4KB 數(shù)據(jù)緩存(D-Cache),并創(chuàng)新性引入 64KB 指令緊耦合內(nèi)存(I-TCM)與 64KB 數(shù)據(jù)緊耦合內(nèi)存(D-TCM),大幅提升程序運(yùn)行速度,為高頻場(chǎng)景下的精準(zhǔn)控制提供底層支撐。

18.思特威發(fā)布物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用CMOS圖像傳感器SC1220HIOT

C1220HIOT基于思特威SmartClarity-XL技術(shù)平臺(tái)打造,采用Stacked BSI的工藝架構(gòu),搭載思特威SFCPixel、InSensor HDR等先進(jìn)技術(shù),擁有高分辨率、高感度、低噪聲、高動(dòng)態(tài)范圍等性能優(yōu)勢(shì)以及4:3的優(yōu)化畫幅比例,能夠充分滿足看店寶魚眼全景監(jiān)控在店鋪、商場(chǎng)等物聯(lián)網(wǎng)多元場(chǎng)景的大視場(chǎng)角應(yīng)用需求。

19.云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 3kW 無橋圖騰柱 GaN PFC 評(píng)估板

本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云鎵半導(dǎo)體 650V GaN 器件的 3kW 無橋圖騰柱 PFC (BTP-PFC) 評(píng)估板。對(duì)于服務(wù)器電源/通信電源/移動(dòng)儲(chǔ)能等產(chǎn)品設(shè)計(jì)有借鑒意義。

20.帝奧微推出超小體積3A TEC控制器DIO8835

傳統(tǒng)1.5A TEC控制器因效率問題,逐漸難以滿足超高速光模塊的應(yīng)用需求。針對(duì)這一應(yīng)用痛點(diǎn),繼1.5A TEC控制器DIO8833推出后,帝奧微重磅推出國(guó)內(nèi)首款最小體積3A TEC控制器DIO8835!

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技術(shù)看點(diǎn)

1.基于意法半導(dǎo)體STSPIN32G4的伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案

該設(shè)計(jì)通過基于硬件和軟件的多重保護(hù)機(jī)制強(qiáng)化可靠性,在異常情況下能確保驅(qū)動(dòng)器與電機(jī)均處于安全狀態(tài),同時(shí)保持最大靈活性。本文詳細(xì)闡述EVLSERVO1設(shè)計(jì),為終端應(yīng)用設(shè)計(jì)師構(gòu)建最優(yōu)伺服驅(qū)動(dòng)解決方案提供參考與指引。

2.羅德與施瓦茨HDMI源端物理層一致性測(cè)試解決方案

對(duì)不同協(xié)議和速率的高速信號(hào)進(jìn)行一致性分析,所需的示波器帶寬不同。鑒于TMDS信號(hào)的頻譜特性,通常來說捕獲到其基波的三次以上諧波,就可以做一致性測(cè)試。例如3.4Gbps的TMDS信號(hào),示波器能抓住其1.7Ghz基波的三次諧波即可,需要5.1Ghz以上帶寬示波器;而最高6Gbps的TMDS信號(hào),基波頻率為3Ghz,抓住其三次諧波需要9Ghz以上帶寬。羅德與施瓦茨的RTP系列示波器,帶寬涵蓋4G/6G/8G/13G/16G等型號(hào),可以對(duì)應(yīng)不同速率的測(cè)試。若考慮兼容不同的產(chǎn)品和速率場(chǎng)景,推薦采用13G帶寬的RTP134B。

3.英飛凌解讀ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點(diǎn)及損耗分析

ANPC(Active Neutral Point Clamped)拓?fù)浼从性粗悬c(diǎn)鉗位技術(shù),是基于NPC型三電平拓?fù)涓倪M(jìn)而來,最早提出是用來克服NPC三電平拓?fù)鋼p耗分布不均勻和中點(diǎn)電位問題。從結(jié)構(gòu)上看,ANPC是將NPC1的鉗位二極管替換為IGBT與二極管反并聯(lián)鉗位的結(jié)構(gòu),與NPC1一樣可以實(shí)現(xiàn)三電平輸出以降低諧波,且器件耐壓和NPC1相同。通過增加兩個(gè)IGBT,新增兩條零電平換流路徑,有益于改善損耗分布,具有更多的控制策略。ANPC拓?fù)淠壳皬V泛應(yīng)用在風(fēng)電變流器,光伏發(fā)電,電池儲(chǔ)能等領(lǐng)域。

4.中科芯CKS32F030K6T6 MCU在頸部按摩儀中的應(yīng)用方案

CKS32F030K6T6具有良好的穩(wěn)定性和通用性,適合用于多種功能、應(yīng)用程序的場(chǎng)合,廣泛適用于如PC外設(shè)、GPS平臺(tái)、工業(yè)應(yīng)用等產(chǎn)品應(yīng)用中,并且完全兼容STM32F030K6T6,同時(shí)中科芯提供及時(shí)準(zhǔn)確的MCU技術(shù)支持,已有越來越多的替代ST的芯片案例,更多的客戶開始相信并使用中科芯的MCU芯片。

5.KiCad 的實(shí)用小技巧

在現(xiàn)場(chǎng)聽 Lead Dev Seth 的培訓(xùn),短短 15 分鐘,發(fā)現(xiàn) KiCad 的小技巧太多了,非常實(shí)用...”

6.大功率PCB設(shè)計(jì) (深度解析三):功率需求與熱管理

大功率 PCB 設(shè)計(jì)不僅僅是管理電壓和電流,更是管理它們的乘積:功率,而功率最終絕大多數(shù)會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量。同時(shí),高功率開關(guān)電路還會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁場(chǎng)。本文將探討功率設(shè)計(jì)中的場(chǎng)效應(yīng)、熱生成和材料選擇。

7.存儲(chǔ)數(shù)據(jù)半導(dǎo)體——“閃存(Flash Memory)”的詳解

閃存(Flash Memory)是由日本的 舛岡富士雄 (Fujio Muoka)發(fā)明的。他分別于1966年和1971年從日本東北大學(xué)(Tohoku University)獲得學(xué)士和博士學(xué)位,博士畢業(yè)之后他加入了東芝(Toshiba)公司。在東芝工作期間,他分別于1980年和1988年發(fā)明了NOR Flash 和 NAND Flash。

8.星閃比藍(lán)牙快10倍!一文看懂中國(guó)原創(chuàng)“星閃技術(shù)”有多牛

星閃無線通信系統(tǒng)架構(gòu)由三個(gè)層次組成,分別是基礎(chǔ)應(yīng)用層、基礎(chǔ)服務(wù)層和星閃接入層。為了滿足不同場(chǎng)景下的通信需求,星閃技術(shù)提供了SLB(SparkLink Basic,星閃基礎(chǔ)接入技術(shù))和SLE(SparkLink Low Energy,星閃低功耗接入技術(shù))兩種無線通信接口。

9.芯朋微工業(yè)級(jí)電壓控制模式LLC諧振控制器PN8295W解析

LLC諧振變換器在全負(fù)載范圍內(nèi)能精準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)主開關(guān)管零電壓開通(ZVS)和整流管零電流關(guān)斷(ZCS),堪稱中大功率開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的“效率擔(dān)當(dāng)”,本期芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)帶來重磅解決方案,工業(yè)級(jí)電壓控制模式LLC諧振控制器PN8295W,針對(duì)經(jīng)典芯片*6599應(yīng)用痛點(diǎn)逐一突破。

10.德州儀器DLP技術(shù)如何助力器件制造商實(shí)現(xiàn)高級(jí)封裝

高級(jí)封裝作為封裝技術(shù)的下一次迭代升級(jí)版,也為光刻工藝帶來了新的挑戰(zhàn)——如何在復(fù)雜表面上達(dá)到更高的成本效益、可擴(kuò)展性和適應(yīng)性。如今,越來越多制造商開始嘗試將數(shù)字光刻與 DLP 技術(shù)融合,以實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。DLP 技術(shù)的核心是數(shù)字微鏡器件 (DMD), 該器件配制了多達(dá)890 萬個(gè)微型反射鏡,可實(shí)時(shí)控制光線導(dǎo)向,在材料表面印制圖案。

11.使用安森美SiC JFET優(yōu)化固態(tài)斷路器設(shè)計(jì)

過去幾年間,碳化硅 (SiC) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 已成為推動(dòng) SSCB 發(fā)展的主流技術(shù)。這種器件既充分利用了碳化硅材料的特性,如高導(dǎo)熱性、更高電壓等級(jí)與更低損耗,又融合了 JFET 結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)。在當(dāng)前市場(chǎng)中,JFET 的單位面積導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 最低,而且與 MOSFET 一樣采用電壓控制方式。原因是這種器件采用了結(jié)型柵極結(jié)構(gòu)(與 MOSFET 的氧化層?xùn)艠O不同),能提供直接的漏源極電流通路,電荷俘獲效應(yīng)極小,表面漏電流也可忽略不計(jì)。

12.英飛凌汽車?yán)走_(dá)解決方案:開啟高階智駕感知新范式

通過AURIX TC4x系列中專為雷達(dá)信號(hào)處理設(shè)計(jì)的TC45 MCU,與CTRX8188F射頻前端組合,構(gòu)建起極具競(jìng)爭(zhēng)力的八發(fā)八收雷達(dá)系統(tǒng)。其核心優(yōu)勢(shì)在于對(duì)SoC算力需求較低,可直接輸出目標(biāo)級(jí)或點(diǎn)云級(jí)數(shù)據(jù),顯著減輕后端SoC的計(jì)算負(fù)擔(dān),同時(shí)能夠滿足新國(guó)標(biāo)各項(xiàng)要求,完美適配主流中低階SoC平臺(tái)。

13.使用有源緩沖器提高相移全橋效率

傳統(tǒng)上,要限制輸出整流器上的最大電壓應(yīng)力,需要無源緩沖器,例如電阻器-電容器-二極管 (RCD) 緩沖器,但使用無源緩沖器將消耗功率,從而導(dǎo)致效率損失。

14.半橋電路和全橋電路的工作原理及優(yōu)缺點(diǎn)分析

全橋逆變功率轉(zhuǎn)換主電路與板橋電路的區(qū)別就是,用另外兩個(gè)同樣的開關(guān)管代替兩只電容,即由4只開關(guān)管組成逆變開關(guān)電路,同樣分析時(shí)序電路,可得開關(guān)管所需耐壓為Vdc,變壓器原邊電壓為±Vdc。

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1.編譯更快,智能更強(qiáng)--Altera發(fā)布 Quartus Prime 專業(yè)版和 FPGA AI 套件 25.3 版

Quartus Prime 專業(yè)版 25.3 現(xiàn)已正式發(fā)布, FPGA AI 套件 25.3 版本同步亮相。新版軟件實(shí)現(xiàn)了 FPGA 設(shè)計(jì)效率的重大飛躍,帶來了更智能的工具、更深入的洞察和更快速的編譯。

2.加速AURIX系列器件軟件開發(fā)--英飛凌全新軟件開發(fā)集成工具AURIX Configuration Studio

這款全新的IDE簡(jiǎn)化了模塊化軟件組件的配置,助力開發(fā)者更高效地啟動(dòng)AURIX應(yīng)用開發(fā)工作。ACS的GUI支持用戶以直觀的方式配置和定制項(xiàng)目,相較于傳統(tǒng)開發(fā)方法,大幅降低了開發(fā)復(fù)雜度。

3.深度剖析Nios II 處理器的硬件抽象層

HAL可以看作是一個(gè)支持應(yīng)用程序開發(fā)的軟件平臺(tái),它提供API函數(shù)接口,屏蔽硬件訪問細(xì)節(jié),雖然占用了一些額外的資源,但是大大增加了應(yīng)用程序的開發(fā)速度和可移植性。用戶只要利用HAL提供的各種函數(shù)就可以編寫應(yīng)用程序。

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串口被Windows正確識(shí)別后,通過設(shè)備管理器會(huì)查詢到具體的串口號(hào)(如COM7)。

6.APM飛控核心技術(shù)解析與實(shí)戰(zhàn)指南

經(jīng)典APM2.8硬件采用Atmel ATmega2560 8位微控制器作為主處理器,配備ATmega32U4輔助處理器專責(zé)通信任務(wù)。

7.使用NVIDIA Grove簡(jiǎn)化Kubernetes上的復(fù)雜AI推理

推出NVIDIA Grove,一個(gè)在 Kubernetes 集群上運(yùn)行現(xiàn)代機(jī)器學(xué)習(xí)推理工作負(fù)載的 Kubernetes API。Grove 現(xiàn)已作為模塊化組件集成至NVIDIA Dynamo,它完全開源,可在ai-dynamo/groveGitHub 庫使用。

8.【玩轉(zhuǎn)多核異構(gòu)】T153核心板RISC-V核的實(shí)時(shí)性應(yīng)用解析

飛凌嵌入式FET153-S核心板基于全志T153處理器設(shè)計(jì),面向工業(yè)與電力應(yīng)用。該處理器集成四核Cortex-A7與一顆獨(dú)立64位玄鐵E907 RISC-V MCU,具備豐富的接口資源與工業(yè)級(jí)可靠性,完美契合現(xiàn)代FTU對(duì)處理性能與實(shí)時(shí)性的雙重需求。

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1.【開發(fā)板試用】乾芯QXS320F開發(fā)套件有獎(jiǎng)測(cè)評(píng)

乾芯QXS320F280049開發(fā)板是由乾芯科技推出的一款用于評(píng)估和開發(fā)C2000系列F280049微控制器的工具,板級(jí)集成JTAG下載,串口打印及供電功能,芯片外設(shè)資源全部通過排針引出。用戶可根據(jù)復(fù)用功能自由驗(yàn)證,此開發(fā)板非常適合進(jìn)行初始評(píng)估、原型設(shè)計(jì)。

2.【開發(fā)板試用】瑞薩RA6E2-地奇星開發(fā)板評(píng)測(cè)

地奇星開發(fā)板搭載瑞薩RA6E2微控制器,采用強(qiáng)大的ARM Cortex-M33內(nèi)核,運(yùn)行頻率達(dá)200MHz。該板專為嵌入式學(xué)習(xí)與開發(fā)設(shè)計(jì),提供UART、SPI、I2C等多種通信接口,并配有詳盡的模塊手冊(cè)與例程,是學(xué)生和工程師入門及項(xiàng)目實(shí)踐的理想平臺(tái)。

3.【開發(fā)板試用】瑞薩官方板FPB-RA6E2開發(fā)板評(píng)測(cè)

RA6E2 快速原型板配備了 R7FA6E2BB3CFM 微控制器,是一塊專門用于各種應(yīng)用原型開發(fā)的評(píng)估板。 板載 SEGGER J-Link 仿真器電路,無需額外工具即可以燒寫/調(diào)試程序。 此外,標(biāo)配 Arduino Uno 和 Pmod 接口,并可通過通孔連接微控制器的所有引腳,具有很高的可擴(kuò)展性。




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69a091f0-c412-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png聲明:本文由電子發(fā)燒友社區(qū)發(fā)布,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源。如需平臺(tái)(包括:試用+專欄+企業(yè)號(hào)+學(xué)院+技術(shù)直播+共建社區(qū))合作及入群交流,請(qǐng)咨詢18925255684(微信同號(hào):elecfans123),謝謝!

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