電子發(fā)燒友網報道（文/李彎彎）近日，在華邦電子與恩智浦聯(lián)合技術論壇（深圳站）同期舉行的媒體溝通會上，華邦電子產品總監(jiān)朱迪就華邦電子目前的產品布局、技術突破，以及當前存儲行業(yè)備受關注的供需情況與市場趨勢等話題，與包括電子發(fā)燒友在內的多家媒體進行了深入交流，展現(xiàn)了華邦電子在存儲領域的獨特發(fā)展路徑與強大實力。

產品布局：聚焦存儲，深耕利基市場

朱迪介紹道，芯片行業(yè)主要分為邏輯芯片和存儲芯片兩大類，華邦電子專注于存儲芯片領域，即Memory。而Memory又細分為DRAM和Flash兩大方向。華邦電子是行業(yè)內少數同時布局Flash和DRAM兩類產品的廠商之一。與三星、美光、海力士等聚焦高容量產品的廠商不同，華邦電子長期側重于中小容量的利基型產品。

在DRAM產品方面，華邦電子將名稱更新為客制化內存解決方案CMS（Customized Memory Solution）。朱迪表示，隨著整個行業(yè)向AI轉型，以往標準化的DRAM產品，如DDR2、DDR3、DDR4乃至DDR5，都是遵循國際規(guī)范的迭代標準產品，強調統(tǒng)一規(guī)格。但在AI場景下，無論是云端、服務器，還是端側、邊緣側，都對存儲提出了更多個性化需求，像低功耗、高帶寬、更多IO接口等，這些都與傳統(tǒng)標準DRAM不同。因此，華邦電子順應趨勢，轉向客制化與半客制化產品，以滿足端側AI的新需求。

不過，這并不意味著華邦電子放棄標準化產品。朱迪強調，特別是在今年市場緊缺的情況下，DDR3/DDR4供不應求。隨著大廠將產能轉向DDR5、LPDDR5及HBM，反而為華邦電子在DDR3/DDR4、LPDDR4等傳統(tǒng)產品上帶來了新的市場機會。所以，華邦電子既持續(xù)供應標準化產品，也布局面向未來的客制化與半客制化存儲。

目前，華邦電子的DRAM產品主要包括迭代的標準DRAM，如DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR4；面向中小容量、端側AI的HYPERRAM；以及半客制化產品CUBE與CUBE Lite，它們具有高帶寬、低功耗、適度容量等特點，與HBM的大容量定位有所區(qū)隔。

在Flash產品方面，華邦電子聚焦NOR Flash（主要用于代碼存儲）及SLC NAND，這兩條都是華邦電子的核心產品線。朱迪指出，目前華邦電子NOR Flash市場占有率全球第一，SLC NAND同樣表現(xiàn)穩(wěn)健。與行業(yè)中一些大廠集中生產TLC、QLC等大容量或3D堆疊產品不同，對于代碼存儲而言，SLC的容量已經足夠，華邦電子可以覆蓋從512Kb到8Gb的容量區(qū)間，同時產品成熟、穩(wěn)定、性價比高。此外，華邦電子還布局了安全閃存（Secure Flash），在萬物互聯(lián)背景下，設備安全、供應鏈安全愈發(fā)重要，安全閃存在車規(guī)、服務器、供應鏈安全中已有不錯的應用基礎。

技術創(chuàng)新，突破高帶寬與低功耗并存難題

除了豐富的產品線，華邦電子在技術突破方面也成果顯著。朱迪強調，華邦電子作為IDM廠商，核心競爭力還包括強大的制造能力——華邦電子擁有兩座自有晶圓廠。制程演進對于DRAM、Flash都至關重要：制程越先進，單位wafer的產出（即bit density）越高、功耗越低、成本越優(yōu)。

目前，華邦電子的DRAM已推進至16nm。在中小容量DRAM領域，這是非常領先的技術節(jié)點。NOR Flash制程也從90nm、58nm演進至已量產的45nm，SLC NAND從46nm推進至32nm，并于今年量產24nm，均處于行業(yè)先進水平。隨著DRAM、NOR Flash、SLC NAND多條產品線持續(xù)推進先進制程，即使在整體需求旺盛、短期投片量無法增加的情況下，華邦電子仍可通過提高單位wafer的產出量來擴大出貨，以滿足客戶需求。

以端側AI設備為例，朱迪詳細介紹了CUBE產品的技術優(yōu)勢。在端側AI場景中，模型訓練后不斷小型化、推理效率提升，使得模型有機會部署到邊緣與終端設備。但端側加入AI后，模型參數傳輸與運算需要更高帶寬，同時對功耗極為敏感，因為端側一般是電池供電，需要“高帶寬 + 超低功耗”。然而，端側AI的容量需求并沒有成比例增加，常見為1GB、2GB，與傳統(tǒng)DDR3/DDR4相近，帶寬需求卻提升數倍。這正是華邦電子推出CUBE類產品的原因。

CUBE通過增加大量的IO來提升帶寬，不需要提高單條線的頻率，從而同時實現(xiàn)高帶寬與低功耗。朱迪形象地比喻道，這就像一條高速公路，通過增加車道數量來提高運輸能力，使單車道的車子不需要跑得很快，從而降低功耗，同時整體運輸能力大幅提升。實際上，CUBE的IO數量遠不止16個、32個，而是512個、1024個，甚至是1k、2k個IO。與HBM類似，CUBE接口數量眾多，不是常規(guī)封裝能夠覆蓋的，而是需要通過SoC芯片內部的芯片級堆疊，2.5D、3D先進封裝的方式才能夠實現(xiàn)。

在散熱方面，華邦電子也有獨特的設計。CUBE采用CUBE在下，SoC在上的結構。因為熱量主要來源于SoC，它是功耗最大的部分，這種結構可以較容易地在SoC位置加裝散熱片。信號通過硅通孔（TSV）傳導至基板（substrate），成本較低。因為能用到CUBE類產品的SoC，通常也是先進制程的，如果在SoC上直接打TSV會非常昂貴。

市場洞察，存儲行業(yè)緊張情況仍將繼續(xù)

在談到存儲行業(yè)的市場供需和價格趨勢時，朱迪表示，今年市場變化明顯。AI的發(fā)展推動三大巨頭集中去做HBM、DDR5、LPDDR5，剩下的DDR4、DDR3市場出現(xiàn)了明顯缺口。缺貨漲價是最主要的原因，因為一切由AI驅動。無論是互聯(lián)網巨頭、云服務商，還是像英偉達這樣做顯卡芯片算力的巨頭，都在全力投入AI。整個行業(yè)內不光是存儲，還有很多上下游的產業(yè)資源都被AI吸走，在存儲上表現(xiàn)得更為明顯。

過去幾年AI一直在虧錢，存儲行業(yè)本身也是一個重周期的行業(yè)，再加上AI的井噴，三大家順勢把產能挪過去做HBM。與此同時，在服務器和手機市場上，過去兩三年也一直在轉型，從DDR4轉到DDR5，從LPDDR4轉到LPDDR5。尤其在今年四五月份，他們開始不約而同地發(fā)出DDR4和LPDDR4的停產通知，帶著很多客戶轉到DDR5和LPDDR5，有限的DDR4和LPDDR4產能還要留給核心客戶實現(xiàn)過渡。所以市面上，尤其是一些不那么主流的中小客戶，在PC和手機以外的其他應用領域明顯感覺到DDR4和LPDDR4非常緊缺，價格甚至出現(xiàn)“倒掛”。

朱迪認為，這一波市場變化與過去幾年不同，是一個結構性的變化。目前來看，存儲行業(yè)將分為兩個世界，一個是以DDR5、LPDDR5、HBM為代表的高容量市場，由三大廠和國內長鑫（3 + 1）主導，為高算力應用服務；另一個是以DDR4、LPDDR4以及DDR3 specialty為代表的市場，供應越來越少。過去，三大廠還有每月幾十萬片DDR4、LPDDR4的產能，今年砍掉一半，明年可能幾乎全部消失。這部分市場空缺很大，即便有一些應用或客戶能夠過渡到DDR5/LPDDR5，但還有更多客戶或應用仍會采用DDR4/LPDDR4，且沒有對應的替代產品可用。所以在這一市場上，雖然現(xiàn)在價格已倒掛，但供應緊張的趨勢預計會持續(xù)相當長時間，并可能維持高位。

對于未來的市場走向，朱迪判斷兩個市場的鴻溝已經越拉越大。三大家把產能轉去做高容量產品后，產線已經拆除，很難再回頭。這種結構性的變化表現(xiàn)為，過去大家習慣使用便宜的存儲，很多整機價格都被壓得很低，其中一部分成本就是靠低價存儲支撐。到今年，手機內存條和一些嵌入式設備用的存儲價格都出現(xiàn)大幅上漲。對于一些競爭激烈的市場，廠商被迫提高售價，因為成本和價格已經很接近，難以繼續(xù)吸收。隨著存儲成本上升，可能繼續(xù)帶來行業(yè)格局和市場變化。不過，短期內市場緊張情況還會持續(xù)，至少還有兩三個季度，也許不會像今年的Q3、Q4大幅度、翻倍式的上漲，可能變成小幅的漲幅。

聚焦邊緣AI，持續(xù)推進制程演進和產品迭代

當被問到華邦電子為何定位在中小容量、低功耗的邊緣市場，而不考慮進入AI服務器等市場時，朱迪解釋道，從行業(yè)生態(tài)來看，各廠商會根據自身能力選擇市場定位。三星、美光、海力士三大廠商的產能巨大，足以覆蓋PC、服務器、手機等高容量市場。

反之，中低容量、少量多樣、規(guī)格多樣化的利基型市場正好與華邦電子兩座晶圓廠的產能規(guī)模完全匹配。而且這個市場特點是少量多樣，應用五花八門，所需要的存儲規(guī)格也相對分散。三大家巨頭如此之大的產能一定要放在PC、服務器、手機這樣的巨量市場，才足以消化，分散市場對其意義不大。華邦電子更聚焦做一些差異化產品，這個差異化也是與時俱進的。隨著傳統(tǒng)大容量市場在變化，以前傳統(tǒng)的大容量產品可能變成中容量，中容量變成小容量，華邦電子正好可以順勢承接這些市場。

對于未來的產能規(guī)劃，朱迪透露，在2024、2025、2026這三年，華邦電子產能沒有大的變化，甚至稍微有一點降低。由于過去DRAM盈利效果并不理想，從2024年到2025年，華邦電子把一部分產能轉去做Flash產品。此次DRAM雖然價格漲高，但只是市場行為，并不足以支撐長期生存下去。但是DDR4、LPDDR4的供應缺口將一直存在，為此華邦電子在今年10月正式宣布一個投資近400億新臺幣的新擴產計劃，主要用于增加DDR4和LPDDR4的產能，希望能夠給市場提供更多供應。

在DDR5的布局方面，朱迪表示目前還不好判斷。以DRAM產品線來講，華邦電子會有兩個方向：一個是制程繼續(xù)演進，從25nm、20nm到16nm，同時在16nm這一代最新的制程上推出一些新的高容量產品，比如像8Gb的LPDDR4今年已經量產，每個月出貨量已達到百萬級；8Gb的DDR4樣片已完成，客戶正積極導入。明年可能會推出16Gb，也就是2GB的DDR4產品，華邦電子仍在積極努力，填補市場空缺。