這個(gè)十二月，捷報(bào)連連！揚(yáng)杰科技先于12月4日獲頒“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”，彰顯其在碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合實(shí)力；隨后在12月6日，又憑借過硬的產(chǎn)品與技術(shù)，一舉奪得“國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)-車規(guī)級(jí)-卓越獎(jiǎng)”與“功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎(jiǎng)”。

中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)

12月4日，2025年行家說三代半年會(huì)—碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮在深圳舉行，本次大會(huì)由行家說主辦，聚焦SiC創(chuàng)新應(yīng)用，SiC&GaN終端應(yīng)用，技術(shù)、市場(chǎng)及未來走勢(shì)，通過技術(shù)演講、數(shù)據(jù)報(bào)告、高端對(duì)話、行業(yè)評(píng)選和產(chǎn)品展示，進(jìn)一步探討SiC 和 GaN 全球市場(chǎng)規(guī)模及未來發(fā)展空間和挑戰(zhàn)。

會(huì)上，行家說為揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司頒發(fā)“中國(guó)SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)”。

SiC MOSFET

光伏儲(chǔ)能、OBC領(lǐng)域“優(yōu)質(zhì)之選”

揚(yáng)杰科技近日推出了杰冠微自產(chǎn)SiC MOSFET產(chǎn)品。卓越的電性性能，高效率，高可靠性與魯棒性；工藝穩(wěn)定，品質(zhì)把控嚴(yán)格；擺脫外部限制，供貨穩(wěn)定，交期可控；更提供全方位的技術(shù)支持，為客戶投資保駕護(hù)航！

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)，出色的散熱性能，有著優(yōu)異的溫升表現(xiàn)，提高了產(chǎn)品的可靠性；

2.自研工藝，柵氧層質(zhì)量高，壽命長(zhǎng)，閾值電壓穩(wěn)定；

2.擊穿電壓和耐壓能力高，通流能力優(yōu)秀；

3.動(dòng)態(tài)性能良好，SiC MOSFET 在開關(guān)過程中具有較小的開關(guān)損耗和快速恢復(fù)時(shí)間。

國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)-車規(guī)級(jí)-卓越獎(jiǎng)

功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎(jiǎng)

緊隨其后，在12月6日舉行的亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇暨頒獎(jiǎng)典禮上，揚(yáng)杰科技再次憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，榮獲世紀(jì)電源網(wǎng)評(píng)選的《國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)-車規(guī)級(jí)-卓越獎(jiǎng)》與《功率器件-IGBT行業(yè)-卓越獎(jiǎng)》。

這兩項(xiàng)榮譽(yù)進(jìn)一步印證了公司在車規(guī)級(jí)功率器件及IGBT產(chǎn)品領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先性與市場(chǎng)認(rèn)可度，體現(xiàn)了其在多元化功率半導(dǎo)體產(chǎn)品布局上的協(xié)同發(fā)展與綜合競(jìng)爭(zhēng)力。

車規(guī)IGBT單管：TO-247-3L

給空調(diào)壓縮機(jī)控制器裝上“短路防護(hù)盾”

新一代TO-247-3L封裝1200V車規(guī)級(jí)IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺(tái)，極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗，具有較強(qiáng)的短路能力，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于壓縮機(jī)控制器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1. 精細(xì)微溝槽工藝平臺(tái)，極具性價(jià)比的芯片方案；

2. 電壓等級(jí)為1200V，電流等級(jí)為40A@Tc=100℃ ；

3. 低導(dǎo)通損耗，適用于中低頻應(yīng)用領(lǐng)域；

4. 具有極強(qiáng)的短路能力(器件在20V的高驅(qū)動(dòng)電壓條件下依舊保證10us以上的短路能力)

展望未來

未來，揚(yáng)杰科技將繼續(xù)依托IDM模式優(yōu)勢(shì)，加速SiC、IGBT等新產(chǎn)品研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，協(xié)同上下游伙伴共建健康生態(tài)，以更高效、更可靠的功率半導(dǎo)體解決方案，賦能能源變革與產(chǎn)業(yè)升級(jí)，持續(xù)為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)能。

關(guān)于揚(yáng)杰

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國(guó)內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測(cè)試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)等，為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、人工智能、清潔能源、5G通訊、智能安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等諸多領(lǐng)域。

公司于2014年1月23日在深交所上市，證券代碼300373，相信在您的關(guān)懷支持下，我們一定能夠成為世界信賴的功率半導(dǎo)體伙伴。