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電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）在半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)的常規(guī)邏輯中，新一代產(chǎn)品面世前夕，前代產(chǎn)品降價(jià)清庫(kù)存是常規(guī)定律，但如今HBM（高帶寬內(nèi)存）將打破這一行業(yè)共識(shí)。據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子和SK海力士已上調(diào)明年HBM3E價(jià)格，漲幅接近20%。此次漲價(jià)背后，是AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈瓶頸的共同作用。隨著英偉達(dá)H200、谷歌TPU、亞馬遜Trainium等AI芯片需求激增，HBM3E供需缺口持續(xù)擴(kuò)大。與此同時(shí)，存儲(chǔ)廠商正將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的HBM4，進(jìn)一步擠壓了HBM3E的生產(chǎn)資源。

供需失衡：HBM3E漲價(jià)背后的市場(chǎng)邏輯

從當(dāng)前最新消息來(lái)看，2026年本該是HBM4的“主場(chǎng)”。報(bào)道顯示，本月10日，SK海力士已與英偉達(dá)（NVIDIA）就HBM4芯片的供貨量完成協(xié)商，并已投入量產(chǎn)。三星方面，其存儲(chǔ)業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁金在?。↘im Jae-joon）此前表示，三星的HBM4開發(fā)工作正按計(jì)劃推進(jìn)，將于2025年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2026年啟動(dòng)商業(yè)供應(yīng)。此外，公司正與多家客戶合作開發(fā)基于HBM4及增強(qiáng)型HBM4E的定制版本。 HBM4是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2025年4月16日通過(guò)JESD270-4規(guī)范確立的第四代高帶寬內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，主要面向人工智能、高性能計(jì)算及高端顯卡領(lǐng)域。該標(biāo)準(zhǔn)采用2048位接口，傳輸速率達(dá)8Gb/s，總帶寬2TB/s，支持4/8/12/16層DRAM堆棧，單堆棧最大容量64GB，通道數(shù)量增至32個(gè)，并引入0.7V-0.9V VDDQ電壓與1.0V-1.05V VDDC電壓選項(xiàng)。HBM4將實(shí)現(xiàn)架構(gòu)層面的革新：新標(biāo)準(zhǔn)引入的邏輯層集成設(shè)計(jì)，允許在內(nèi)存堆疊中嵌入可編程計(jì)算單元，使內(nèi)存具備基礎(chǔ)算力功能。這一變革將推動(dòng)“內(nèi)存中心計(jì)算”架構(gòu)落地，在AI推理場(chǎng)景中可減少30%的數(shù)據(jù)搬運(yùn)量，顯著降低系統(tǒng)能耗。 KB Securities數(shù)據(jù)顯示，以ASIC廠商為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量有望較2025年暴增3倍，預(yù)計(jì)將達(dá)到111億Gb。需求端呈現(xiàn)多點(diǎn)開花態(tài)勢(shì)：英偉達(dá)H200芯片每顆需搭載6顆HBM3E；谷歌第七代TPU每顆搭載8顆HBM3E；亞馬遜Trainium則搭載4顆HBM3E。具體來(lái)看谷歌第七代TPU，該產(chǎn)品配備192GB HBM3E顯存，帶寬達(dá)7.37 TB/s，采用3D堆疊封裝技術(shù)集成雙計(jì)算核心與內(nèi)存模塊。出貨計(jì)劃方面，谷歌第七代TPU已于2025年發(fā)布并啟動(dòng)商用，其AI推理性能顯著提升，單顆算力達(dá)4614 TFLOPS（FP8精度）。不出意外，2026年搭載該TPU的算力服務(wù)器將大規(guī)模出貨，進(jìn)一步帶動(dòng)HBM3E用量增長(zhǎng)。然而，供應(yīng)端正面臨產(chǎn)能調(diào)整的陣痛。三星與SK海力士正全力推進(jìn)HBM4產(chǎn)能建設(shè)，預(yù)計(jì)2026年HBM4將占HBM市場(chǎng)營(yíng)收的55%，而HBM3E占比將降至45%。KB Securities分析師指出：“從2026年第三季度開始，HBM4將快速承接HBM3E的需求，但在此之前，HBM3E的供應(yīng)將持續(xù)緊張?！痹诖吮尘跋?，兩大廠商難以大幅提升HBM3E產(chǎn)能，導(dǎo)致供應(yīng)無(wú)法匹配激增的需求，最終催生了近20%的漲價(jià)溢價(jià)。

行業(yè)格局重塑：HBM市場(chǎng)進(jìn)入新周期
HBM3E的逆勢(shì)漲價(jià)并非孤立事件，而是全球存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)入“超級(jí)周期”的必然結(jié)果。自2025年第三季度起，存儲(chǔ)芯片行業(yè)開啟史無(wú)前例的上行周期。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季增30.9%，達(dá)414億美元；NAND品牌商合計(jì)營(yíng)收季增16.5%，逼近171億美元。這一輪超級(jí)周期的核心驅(qū)動(dòng)力，是供需失衡的結(jié)構(gòu)性矛盾。其中，DRAM的增長(zhǎng)主要得益于一般型DRAM合約價(jià)格上漲、出貨量增加以及HBM出貨規(guī)模擴(kuò)張。隨著存儲(chǔ)芯片從消費(fèi)電子的“成本部件”升級(jí)為AI基礎(chǔ)設(shè)施的“戰(zhàn)略物資”，單臺(tái)AI服務(wù)器的存儲(chǔ)配置達(dá)1.7TB，而傳統(tǒng)服務(wù)器僅需0.5TB。這種“吞噬式需求”徹底顛覆了存儲(chǔ)市場(chǎng)的傳統(tǒng)供需邏輯。三星、美光、SK海力士三大海外巨頭紛紛將產(chǎn)能向HBM、DDR5等高端存儲(chǔ)產(chǎn)品傾斜，甚至完全停產(chǎn)DDR4、DDR3等前代產(chǎn)品。美光更是宣布退出消費(fèi)級(jí)業(yè)務(wù)，將全部資源集中于數(shù)據(jù)中心等高利潤(rùn)領(lǐng)域。高端產(chǎn)能的爭(zhēng)奪已成為行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的核心。目前，三星、SK海力士和美光在DRAM市場(chǎng)的合計(jì)份額超94%，在HBM領(lǐng)域更是占據(jù)壟斷地位。此次HBM3E提價(jià)，本質(zhì)上是頭部廠商憑借產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)掌握定價(jià)權(quán)的體現(xiàn)，且這一輪漲價(jià)潮已顯著提振三巨頭的業(yè)績(jī)。“這不僅是一次價(jià)格調(diào)整，更是HBM市場(chǎng)進(jìn)入高速增長(zhǎng)期的標(biāo)志?！币晃淮鎯?chǔ)產(chǎn)業(yè)分析師表示，“隨著AI芯片需求激增，HBM已成為AI服務(wù)器的核心組件，其重要性不亞于GPU?！?/span> HBM3E漲價(jià)的漣漪效應(yīng)正沿產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)擴(kuò)散。對(duì)于下游AI芯片廠商、服務(wù)器廠商而言，存儲(chǔ)成本飆升將大幅擠壓利潤(rùn)空間。目前，聯(lián)想、戴爾等終端廠商已開始上調(diào)產(chǎn)品價(jià)格，部分廠商甚至選擇降低配置以緩解成本壓力，最終可能抑制消費(fèi)端需求，形成反向調(diào)節(jié)。聯(lián)想集團(tuán)董事長(zhǎng)兼CEO楊元慶在聯(lián)想集團(tuán)2025/2026財(cái)年第二季度業(yè)績(jī)發(fā)布會(huì)上表示，內(nèi)存、閃存、固態(tài)硬盤等零部件的短缺和價(jià)格上漲并非短期現(xiàn)象，未來(lái)一年都將維持這一態(tài)勢(shì)，但聯(lián)想相比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手具備更強(qiáng)的應(yīng)對(duì)能力。對(duì)于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商而言，這場(chǎng)行業(yè)變局卻孕育著重要機(jī)遇。海外巨頭向高端產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致中低端存儲(chǔ)市場(chǎng)出現(xiàn)供給缺口，為本土企業(yè)騰出了市場(chǎng)空間。

結(jié)語(yǔ)

HBM3E的逆勢(shì)漲價(jià)，既是AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)性失衡共同作用的必然結(jié)果，更是存儲(chǔ)行業(yè)從消費(fèi)電子配套向AI戰(zhàn)略核心轉(zhuǎn)型的鮮明注腳。當(dāng)前，全球存儲(chǔ)行業(yè)的“超級(jí)周期”已全面開啟，供需邏輯重構(gòu)與產(chǎn)能結(jié)構(gòu)升級(jí)正重塑市場(chǎng)格局：頭部廠商憑借技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)鞏固定價(jià)權(quán)，產(chǎn)業(yè)鏈上下游則在成本壓力與需求紅利中尋求平衡。對(duì)于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)而言，海外巨頭向高端產(chǎn)能傾斜帶來(lái)的中低端市場(chǎng)缺口，無(wú)疑是實(shí)現(xiàn)突圍的關(guān)鍵窗口期。?

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