BSRD-2503驅(qū)動板由青銅劍技術(shù)和基本半導(dǎo)體團(tuán)隊聯(lián)合研發(fā)，是一款專門針對62mm碳化硅MOSFET半橋模塊的產(chǎn)品，適用于碳化硅電鍍電源、碳化硅感應(yīng)加熱電源等應(yīng)用，具有高可靠性、強(qiáng)適應(yīng)性等特點(diǎn)。

01產(chǎn)品特點(diǎn)

功率器件最高電壓1200V

單通道驅(qū)動功率2W，峰值電流±10A

絕緣電壓高達(dá)4000Vac

集成隔離DC/DC電源

集成原邊/副邊電源欠壓保護(hù)

集成米勒鉗位

02配套零件

BSRD-2503所應(yīng)用到的雙通道隔離變壓器、單通道隔離驅(qū)動芯片、正激DCDC電源芯片三款零件均為公司自主研發(fā)產(chǎn)品，客戶可分別采購進(jìn)行整體方案的設(shè)計。

隔離驅(qū)動專用正激DC-DC芯片BTP1521x

//產(chǎn)品特點(diǎn)

輸出功率可達(dá)6W

適用于給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電

正激電路（H橋逆變或推挽逆變）

軟啟動時間1.5ms

工作頻率可編程，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz

VCC供電電壓可達(dá)24V

VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)4.7V

工作環(huán)境-40~125℃

芯片過溫保護(hù)點(diǎn)150℃，過溫恢復(fù)點(diǎn)120℃

封裝體積小

//應(yīng)用推薦電路圖

DC1和DC2接變壓器原邊線圈，副邊二極管橋式整流，組成開環(huán)的全橋拓?fù)洌℉橋逆變），輸出功率可達(dá)6W，輸出經(jīng)過電阻和穩(wěn)壓管分壓后構(gòu)成正負(fù)壓，供碳化硅MOSFET使用，適用于給隔離驅(qū)動芯片副邊電源供電。

BTP1521x推薦電路（功率小于6W情況下）

當(dāng)副邊需求功率大于6W時，可以使用推挽逆變拓?fù)?，通過DC1和DC2端控制外接的MOSFET來增加輸出功率。

BTP1521x推薦電路（功率大于6W情況下）

雙通道隔離變壓器TR-P15DS23-EE13

//產(chǎn)品特點(diǎn)

TR-P15DS23-EE13是驅(qū)動器專用的隔離電源變壓器

采用EE13骨架（磁芯材質(zhì)鐵氧體）

可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動器隔離供電，傳輸功率可達(dá)4W（每通道2W）

//BTP1521F搭配隔離變壓器TR-P15DS23-EE13典型應(yīng)用介紹

全橋式拓?fù)?，副邊兩路輸出，單路輸出功率可達(dá)2W，總輸出功率4W

輸入電壓15V，副邊全橋整流輸出全電壓（VISO-COM=23V）

輸出全電壓通過4.7V的穩(wěn)壓管，將全電壓拆分成正電壓（VISO-VS=18V），負(fù)電壓（COM-VS=-4V）

BTP1521F的OSC管腳通過電阻R5=42.2kΩ接地，設(shè)置工作頻率為F=477kHz

工作頻率可以通過RF-set電阻設(shè)置，本公式提供了RF-set(kΩ)和F(kHz)之間的關(guān)系（典型值）：

隔離驅(qū)動BTD5350MCWR

//典型應(yīng)用介紹

原方VCC供電電壓15V

BTD5350xx是電壓型輸入的電容隔離的驅(qū)動芯片，輸入INx是高阻抗引腳，如果輸入信號PCB布線不合理，容易導(dǎo)致輸入信號受到干擾，為了使芯片的輸入端表現(xiàn)為電流源特征，建議在PWM輸入接電阻R1=3kΩ到地，如果PWM電平為15V，則PWM線上的電流約為5mA，目的是使得PWM信號的線路上能產(chǎn)生足夠的電流，可以避免芯片輸入IN腳受到干擾，同時靠近芯片IN腳接濾波電容C1=100pF到地

副方電源VISO接+18V，COM接-4V，G連接到主功率板上的門極電阻

驅(qū)動芯片米勒鉗位Clamp連接到主功率板上碳化硅MOSFET門極

//典型半橋應(yīng)用介紹---防橋臂直通互鎖設(shè)計

PWM1信號經(jīng)過RC網(wǎng)絡(luò)連接到IN1+和IN2-，PWM2信號經(jīng)過RC網(wǎng)絡(luò)連接到IN2+和IN1-，進(jìn)行PWM信號輸入互鎖，當(dāng)PWM1和PWM2同時為高電平時，驅(qū)動芯片BTD5350MCWR副邊同時輸出低電平，防止橋臂直通。

03適配模塊推薦

BSRD-2503驅(qū)動板可適配基本半導(dǎo)體62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊。此模塊采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。

產(chǎn)品特點(diǎn)

采用基本半導(dǎo)體新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，性能更優(yōu)

低導(dǎo)通電阻，高溫下RDS(on)表現(xiàn)優(yōu)異

低開關(guān)損耗，提高開關(guān)頻率，提升功率密度

高性能Si3N4AMB和高溫焊料引入，提高產(chǎn)品可靠性

高可靠性和高功率密度

低雜散電感設(shè)計，14nH及以下

銅基板散熱

青銅劍技術(shù)專注于功率器件驅(qū)動器、驅(qū)動IC、測試設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。