威兆半導體推出的VSO011N06MS是一款面向 60V 低壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOP8 封裝,適配低壓小型電源管理、負載開關(guān)等領域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
二、核心特性
- 5V 邏輯電平控制:適配 5V 邏輯驅(qū)動,簡化低壓小型電路設計;
- 低導通電阻:11~12.8mΩ 的阻性表現(xiàn),保障低壓電路能效;
- 小封裝集成:SOP8 封裝體積小,適配小型化電路板設計;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 60 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 12 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 12;\(T=100^\circ\text{C}\): 8 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 48 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 42 | mJ |
| 最大功耗 | \(P_D\) | 1.1 | W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應用場景
- 封裝形式:SOP8 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷;
- 典型應用:
- 60V 級低壓小型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器;
- 消費電子、物聯(lián)網(wǎng)設備的低壓負載開關(guān);
- 小型低壓電源管理模塊。
五、信息來源
威兆半導體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際以最新版手冊為準。)
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