威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N06MS-G是一款面向 60V 低壓超大功率場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí) 2.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時(shí) 2.8mΩ，低壓場景下傳導(dǎo)損耗極致低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) 125A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) 79A，承載能力極強(qiáng)；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：500A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：兼具超低導(dǎo)通電阻與快速開關(guān)特性，提升低壓電源能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 100mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• 高功率密度：PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設(shè)計(jì)，散熱性能優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷；
• 典型應(yīng)用：
  • 60V 級(jí)低壓超大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)設(shè)備的超大電流負(fù)載開關(guān)；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關(guān)。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）