威兆半導體推出的VSP002N03MS-G是一款面向 30V 低壓超大功率場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN5x6 封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC 轉換器等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時 2.3mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 3.5mΩ，低壓場景下傳導損耗極致低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 150A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 95A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：600A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術：兼具超低導通電阻與快速開關特性，大幅降低低壓大電流傳輸損耗；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 56mJ，抗沖擊能力強；
• 高功率密度：PDFN5x6 封裝適配高集成度電路設計，散熱性能優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN5x6 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 30V 級低壓超大功率 DC/DC 轉換器；
  • 儲能系統(tǒng)、工業(yè)設備的超大電流負載開關；
  • 高功率電源管理系統(tǒng)的核心功率開關。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）