威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向 150V 中高壓場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，基于 VeriMOS? II 技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場(chǎng)景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值14.5mΩ，中高壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 結(jié)溫約束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：40A；\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為26A；
    • 環(huán)境溫約束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：18A；\(T_a=70^\circ\text{C}\)時(shí)降額為10A；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：160A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），滿足負(fù)載瞬時(shí)大電流需求。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，提升中高壓系統(tǒng)的功率密度；
• 高可靠性：通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試與 100% Rg 測(cè)試，單脈沖雪崩能量達(dá) 811mJ，感性負(fù)載開(kāi)關(guān)場(chǎng)景下抗沖擊能力優(yōu)異；
• 環(huán)保合規(guī)：采用無(wú)鉛引腳鍍層，滿足無(wú)鹵要求且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：PDFN5060X 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配高密度、高功率密度的中高壓電路板設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 中高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器：在 150V 級(jí)降壓 / 升壓拓?fù)渲凶鳛橹鏖_(kāi)關(guān)管，平衡耐壓與能量轉(zhuǎn)換效率；
  • 中高壓電源管理系統(tǒng)：為工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的中高壓電源分配環(huán)節(jié)提供高效開(kāi)關(guān)控制；
  • 中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)：用于中高壓設(shè)備的負(fù)載通斷管理，保障系統(tǒng)功耗與穩(wěn)定性。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）