電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司新型功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級(jí)項(xiàng)目正式通過(guò)竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收，標(biāo)志著該項(xiàng)目已具備規(guī)模化量產(chǎn)條件。作為寧波保稅區(qū)重點(diǎn)技改項(xiàng)目，其投產(chǎn)將進(jìn)一步強(qiáng)化國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，為新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域提供核心芯片支撐。相關(guān)驗(yàn)收公示信息及項(xiàng)目推進(jìn)細(xì)節(jié)已通過(guò)企業(yè)公示及海關(guān)官方渠道對(duì)外披露。

據(jù)寧波海關(guān)及企業(yè)驗(yàn)收公示文件顯示，該項(xiàng)目總投資約7.44億元，屬于現(xiàn)有廠房升級(jí)改造項(xiàng)目，依托寧波保稅區(qū)已建3.43萬(wàn)平方米廠房開展建設(shè)，于2021-2022年啟動(dòng)設(shè)備提升改造，2024年11月完成建設(shè)并進(jìn)入調(diào)試階段，2025年11月通過(guò)驗(yàn)收組一致同意的竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收。項(xiàng)目升級(jí)后實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化升級(jí)，生產(chǎn)規(guī)模由原有年產(chǎn)30萬(wàn)片IGBT芯片、30萬(wàn)片F(xiàn)RD芯片，調(diào)整為年產(chǎn)7.8萬(wàn)片IGBT芯片、7.8萬(wàn)片F(xiàn)RD芯片，以及24萬(wàn)片碳化硅（SiC）新型功率半導(dǎo)體芯片及TVS、SBD等配套產(chǎn)品。

根據(jù)寧波海關(guān)的信息，針對(duì)項(xiàng)目核心的1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓研發(fā)需求，海關(guān)為企業(yè)設(shè)立寧波市首個(gè)“保稅研發(fā)”專用賬冊(cè)，允許研發(fā)用進(jìn)口原材料、設(shè)備享受保稅政策，大幅降低企業(yè)研發(fā)資金和時(shí)間成本，使研發(fā)準(zhǔn)備周期縮短30%，首批物料通關(guān)效率提升40%。據(jù)寧波海關(guān)披露，該款SiC晶圓研發(fā)片通過(guò)檢測(cè)后已具備量產(chǎn)條件，配套產(chǎn)線升級(jí)完成后預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)超1萬(wàn)片，未來(lái)將進(jìn)一步釋放產(chǎn)能空間。

從技術(shù)配置來(lái)看，項(xiàng)目重點(diǎn)引進(jìn)碳化硅干法刻蝕機(jī)、柵氧氧化爐、高溫退火爐等關(guān)鍵設(shè)備，采用6吋碳化硅、6吋硅片為主要原輔材料，目前主體生產(chǎn)設(shè)施及環(huán)保處理設(shè)施運(yùn)行穩(wěn)定，各項(xiàng)指標(biāo)均符合驗(yàn)收要求。值得關(guān)注的是，比亞迪此前公布的1500V SiC芯片據(jù)稱同樣是該項(xiàng)目中產(chǎn)出。

回溯發(fā)展歷程，寧波比亞迪半導(dǎo)體于2008年10月23日在寧波保稅區(qū)登記成立，注冊(cè)資本2億元，初始業(yè)務(wù)聚焦半導(dǎo)體分立器件及集成電路的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與測(cè)試。成立之初，企業(yè)便通過(guò)收購(gòu)寧波中緯半導(dǎo)體晶圓廠奠定了堅(jiān)實(shí)的制造基礎(chǔ)，助力比亞迪集團(tuán)在2009年實(shí)現(xiàn)IGBT芯片科技成果鑒定，開啟了國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體的自主研發(fā)之路。

2020年，企業(yè)納入比亞迪半導(dǎo)體重組體系，成為其全資子公司，依托集團(tuán)IDM全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢(shì)（涵蓋芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試），進(jìn)一步聚焦新能源汽車車用半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)。