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FICT FC-BGA基板GigaModule-2系列產(chǎn)品的核心優(yōu)勢

加賀富儀艾電子 ? 來源:加賀富儀艾電子 ? 2026-01-13 10:12 ? 次閱讀
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半導體產(chǎn)業(yè)向高密度、高性能、大電流方向快速演進的背景下,封裝基板作為芯片與系統(tǒng)之間的關鍵連接載體,其性能直接決定了終端產(chǎn)品的運行效率與可靠性。

加賀富儀艾電子代理的品牌 FICT 株式會社推出的 FC-BGA 基板 GigaModule-2,專為大型芯片及多芯片實裝場景量身打造,憑借卓越的技術參數(shù)與全面的性能適配,成為高端半導體封裝領域的核心解決方案。

核心優(yōu)勢

超大尺寸與多層堆疊能力:支持超過 100mm 的封裝基板尺寸,可適配大型芯片的實裝需求;同時兼容 14 段以上的多段堆疊設計,最大層結構可達 16-n-16(n 為核心層數(shù)),為復雜電路布局提供充足空間。

多元材料適配與性能升級:可靈活應用包括厚銅芯在內(nèi)的多種材料,不僅實現(xiàn)機械特性的針對性優(yōu)化,更能滿足高散熱、大電流傳輸?shù)暮诵男枨?,適配不同場景下的性能訴求。

一站式服務與靈活交付:覆蓋從設計到制造的全流程一貫化支持,能夠高效響應少量多品種的訂單需求,實現(xiàn)短納期交付,助力客戶加速產(chǎn)品研發(fā)與上市周期。

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多引腳大規(guī)模集成電路(LSI)的應用實例

詳細規(guī)格

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產(chǎn)品截面

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高密度 IVH

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厚銅配線

材料特性

兼容多種材料,可優(yōu)化機械性能。采用 “Buildup + 核心 + Buildup” 的復合結構,在關鍵性能指標上提供多檔位選擇:玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(TMA)一般品達 156℃,高耐熱品提升至 176℃;熱膨脹系數(shù)(α1)低熱膨脹品≤20ppm,有效降低熱應力導致的失效風險;彈性模量最高可達≥5GPa(高剛性品),介電正切(5.8GHz)低損失品≤0.005,為信號傳輸穩(wěn)定性奠定基礎。

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電氣特性

通過適配高速傳輸及大電流應用場景的仿真與設計技術,提供全方位技術支持。針對高速傳輸與大電流應用場景,搭載專屬的仿真與設計技術。實測數(shù)據(jù)顯示,其低 Df(介電正切)材料在 0~30GHz 頻率范圍內(nèi),傳輸損耗顯著低于傳統(tǒng)材料,能夠有效減少信號衰減,保障高頻場景下的傳輸效率。

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低介電損耗(低 Df)材料的傳輸特性實測值

應用案例

GigaModule-2 憑借全面的性能適配,已廣泛應用于半導體高端核心場景:

服務器 / 高性能計算(HPC)用微處理器(MPU),為海量數(shù)據(jù)處理提供穩(wěn)定支撐;

專用集成電路(ASIC)、邏輯芯片及圖形處理器,適配定制化計算與圖像處理需求;

現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA),滿足靈活配置與高可靠性的應用訴求。

作為 FICT 在半導體封裝基板領域的核心力作,GigaModule-2 以 “大尺寸、多層級、高適配、快交付” 為核心競爭力,持續(xù)為高端半導體設備提供關鍵技術支撐,助力全球電子產(chǎn)業(yè)向更高性能、更優(yōu)效率的方向穩(wěn)步前行。

了解FICT FC-BGA 基板的GigaModule-2 系列產(chǎn)品,請聯(lián)系加賀富儀艾電子(上海)有限公司。

關于 FICT 株式會社

FICT株式會社(原富士通互聯(lián)技術)成立于 2002 年,一直提供領先的“互連技術”,連接各種組件。

FICT的“互連技術”在物聯(lián)網(wǎng)時代發(fā)揮著越來越重要的作用,其可用于印刷線路板和半導體封裝中,集成到下一代超級計算機、AI人工智能)系統(tǒng)、5G 網(wǎng)絡、汽車電氣控制等各種電子設備中,以及尖端半導體測試系統(tǒng)、移動設備等。

關于加賀富儀艾電子(上海)有限公司

加賀富儀艾電子(上海)有限公司原為富士通電子,其業(yè)務自2020年12月并入加賀集團,旨在為客戶提供更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務。在深圳、大連等地均設有分公司,負責統(tǒng)籌加賀富儀艾電子在中國的銷售業(yè)務。

加賀富儀艾電子(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服務,專用標準產(chǎn)品(ASSPs),鐵電隨機存儲器,繼電器,MCU電源功率器件等,它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應用于高性能光通信網(wǎng)絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:聚焦 MPU/ASIC 高端場景,GigaModule-2 破封裝痛點

文章出處:【微信號:Fujitsu_Semi,微信公眾號:加賀富儀艾電子】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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