隨著數(shù)據(jù)中心規(guī)模的持續(xù)擴(kuò)張與計(jì)算密度的不斷提升，服務(wù)器與通信電源系統(tǒng)對(duì)高效率、大功率與小型化的電源解決方案提出了更高要求。為滿足這一趨勢(shì)，東芝推出了一款采用貼片式碳化硅（SiC）MOSFET的3kW服務(wù)器與通信電源參考設(shè)計(jì)，在實(shí)現(xiàn)80 Plus鉑金級(jí)效率的同時(shí)，兼顧系統(tǒng)冗余能力與空間利用率，成為高密度電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的理想選擇。

該參考設(shè)計(jì)結(jié)合半無(wú)橋功率因數(shù)校正（PFC）電路與移相全橋（PSFB）轉(zhuǎn)換器電路。其中，PFC部分選用SiC MOSFET TW092V65C與SiC SBD TRS12V65；PSFB原邊則采用內(nèi)置SiC SBD的功率MOSFET TW027U65C器件，實(shí)現(xiàn)高頻高效能量轉(zhuǎn)換。副邊采用功率MOSFET TPW2900ENH，進(jìn)一步提升整體效率與熱性能。

總體而言，該基于貼片式SiC MOSFET的3kW電源參考設(shè)計(jì)，適用于服務(wù)器及48V通信電源場(chǎng)景。通過器件創(chuàng)新與系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了高效率、高密度與高可靠性的三重突破，為未來(lái)的高性能電源設(shè)計(jì)提供了支撐。

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