根據(jù)SEMI的統(tǒng)計，2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為570億美元，而全球半導(dǎo)體材料市場銷售額為469億美元，二者的市場總額約為1039億美元，相當(dāng)于華為一年的銷售額。

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場總額為4197億美元，其中設(shè)備+材料占了整個市場的24.76%。

大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料市場銷售額逐年增長

據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2017年，全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到469.3億美元，同比增長9.60%。目前，半導(dǎo)體材料市場主要分為晶圓材料和封裝材料市場，其中晶圓材料2017年市場規(guī)模達(dá)278.0億美元，封裝材料市場規(guī)模達(dá)191.1億美元。

從區(qū)域來看，***地區(qū)由于大型晶圓廠和先進(jìn)的封裝場聚集，連續(xù)第八年成為最大的半導(dǎo)體材料消費地區(qū)，成交金額為103億美元，市場份額達(dá)10.29%，年成長率達(dá)12%。而大陸地區(qū)緊隨其中，市場份額達(dá)7.62%，年成長率達(dá)12%。其次是韓國和日本。

值得一提的是，近年來大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料市場銷售額逐年攀升。2011年，大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料市場銷售額僅48.6億美元；至2017年，大陸地區(qū)半導(dǎo)體材料銷售額升至76.2億美元，增長了56.8%。毫無疑問，大陸地區(qū)是全球半導(dǎo)體材料市場增長最快速的地區(qū)之一。

硅產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)步追趕，化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)

半導(dǎo)體材料市場主要分為晶圓材料和封裝材料市場。目前晶圓材料形成了當(dāng)今以硅為主、新型半導(dǎo)體材料為補充的產(chǎn)業(yè)局面。

據(jù)報告顯示，硅已經(jīng)成為應(yīng)用最廣的一種半導(dǎo)體材料，從半導(dǎo)體器件產(chǎn)值來看，全球95%以上的半導(dǎo)體器件和99%以上的集成電路采用硅作為襯底材料。

盡管目前硅的核心地位穩(wěn)固，但受到其物理特性的限制，以砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的化合物半導(dǎo)體材料依然成為繼硅之后發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、產(chǎn)量最大的半導(dǎo)體材料。

化合物半導(dǎo)體市場被國外巨頭壟斷

眾所周知，大陸地區(qū)的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系仍處于發(fā)展之初，高技術(shù)門檻的化合物半導(dǎo)體襯底市場仍舊被日本、美國、德國廠商主導(dǎo)。但近幾年大陸地區(qū)也出現(xiàn)了具備一定量產(chǎn)能力的SiC襯底制造商，如天科合達(dá)藍(lán)光。

具體來看，GaAs襯底目前已被日本住友電工、德國Freiberg、美國AXT、日本住友化學(xué)四家占據(jù)，四家份額超90%；GaN自支撐襯底目前主要由日本三家企業(yè)住友電工、三菱化學(xué)、住 友化學(xué)壟斷，占比合計超 85%；

SiC襯底龍頭為美國 Cree(Wolfspeed 部門)，市場占比超三分之一，其次為德國SiCrystal、美國 II-VI、美國 Dow Corning，四家合計份額超90%。

而從外延工藝市場來看，外延生長主要包括 MOCVD(化學(xué)氣相沉淀)技術(shù)以及MBE(分 子束外延)技術(shù)兩種。英國IQE及***地區(qū)全新光電兩家份額合計達(dá)80%，其中英國IQE市場占比超60%。

化合物半導(dǎo)體晶圓的下游應(yīng)用

從具體應(yīng)用來看，化合物半導(dǎo)體下游具體應(yīng)用主要可分為兩大類：光學(xué)器件和電子設(shè)備。對于GaAs材料而言，SC GaAs(單晶砷化鎵)主要應(yīng)用于光學(xué)器件，SI GaAs(半絕緣砷化鎵) 主要應(yīng)用于電子器件。

在光學(xué)器件中，LED為占比最大一項，LD/PD、VCSEL成長空間大。美國Cree公司大約70%收入來自LED，其余來自功率、射頻、SiC晶圓；SiC襯底80%的市場來自二極管，在所有寬禁帶半導(dǎo)體襯底中，Si材料是最為成熟的。

此外GaAs可制造紅外光LED，常見的應(yīng)用于遙控器紅外發(fā)射，GaN則可以制造紫外光 LED。GaAs、GaN分別制造的紅光、藍(lán)光激光發(fā)射器可以應(yīng)用于CD、DVD、藍(lán)光光盤的讀取。

在電子器件中，主要為射頻和功率應(yīng)用。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要應(yīng)用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等)；而GaN on Si以及SiC襯底主要應(yīng)用于功率半導(dǎo)體(汽車電子等)。

報告指出，盡管我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前正處于快速發(fā)展階段，但總體來看存在總體產(chǎn)能較低，全球市場競爭力弱，核心芯片領(lǐng)域國產(chǎn)化程度低，對國外依賴程度較高等現(xiàn)狀。2017年中國半導(dǎo)體消費額1315億美元，占全球32%，已成為全球最大市場，但芯片自給率僅14%，具有較大追趕空間。