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深入剖析CDCLVC11xx:高性能時(shí)鐘緩沖器的卓越之選

lhl545545 ? 2026-02-09 11:40 ? 次閱讀
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深入剖析CDCLVC11xx:高性能時(shí)鐘緩沖器的卓越之選

在當(dāng)今電子設(shè)備飛速發(fā)展的時(shí)代,高性能時(shí)鐘緩沖器對(duì)于確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行起到了至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)深入了解一下德州儀器TI)的CDCLVC11xx系列——一個(gè)高性能、低抖動(dòng)和低偏斜的LVCMOS扇出緩沖器解決方案。

文件下載:cdclvc1110.pdf

1. 產(chǎn)品概述

CDCLVC11xx系列是TI推出的模塊化、高性能、低偏斜的通用時(shí)鐘緩沖器家族。整個(gè)系列采用模塊化設(shè)計(jì),旨在完善TI的LVCMOS時(shí)鐘發(fā)生器系列。該系列提供了從1:2到1:12的七種不同扇出變化選項(xiàng),所有設(shè)備之間引腳兼容,方便用戶(hù)使用。

這個(gè)系列的時(shí)鐘緩沖器有哪些獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)能在眾多產(chǎn)品中脫穎而出呢?下面讓我們來(lái)詳細(xì)了解一下它的具體特性。

2. 產(chǎn)品特性

2.1 高性能設(shè)計(jì)

CDCLVC11xx屬于高性能的1:2、1:3、1:4、1:6、1:8、1:10、1:12 LVCMOS時(shí)鐘緩沖器家族,能夠滿(mǎn)足不同的扇出需求。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們可以根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的扇出比例,以實(shí)現(xiàn)最佳的性能。

2.2 超低偏斜和抖動(dòng)

該系列具有極低的引腳到引腳偏斜(Skew < 50 ps)和極低的附加抖動(dòng)(Jitter < 100 fs),這對(duì)于需要高精度時(shí)鐘信號(hào)的應(yīng)用來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。例如在通信系統(tǒng)中,低偏斜和抖動(dòng)能夠確保信號(hào)的準(zhǔn)確傳輸,減少數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的發(fā)生。

2.3 寬電壓范圍和頻率支持

  • 電壓范圍:支持3.3 V或2.5 V的供電電壓,能夠適應(yīng)不同的電源環(huán)境。
  • 頻率支持:在3.3 V供電時(shí),最大頻率 (f{max } = 250 MHz);在2.5 V供電時(shí),最大頻率 (f{max } = 180 MHz)。

2.4 寬工作溫度范圍

其工作溫度范圍為–40°C到85°C,能夠適應(yīng)較為惡劣的工作環(huán)境,保證在不同的溫度條件下都能穩(wěn)定工作。

2.5 多種封裝選擇

提供了8、14、16、20、24引腳的TSSOP封裝,且所有封裝引腳兼容。以下是部分產(chǎn)品的封裝信息: PART NUMBER PACKAGE BODY SIZE (NOM)
CDCLVC1102 TSSOP (8) 3.00 mm × 4.40 mm
CDCLVC1106 TSSOP (14) 5.00 mm × 4.40 mm
CDCLVC1110 TSSOP (20) 6.50 mm × 4.40 mm
CDCLVC1112 TSSOP (24) 7.80 mm × 4.40 mm

3. 引腳配置與功能

CDCLVC11xx的引腳配置清晰明了,不同型號(hào)的引腳功能基本一致,主要包括時(shí)鐘輸入(CLKIN)、輸出使能(1G)、時(shí)鐘輸出(Y0 - Yn)、電源(VDD)和接地(GND)等引腳。具體的引腳分配和功能如下表所示: PIN NAME CDCLVC 1102 CDCLVC 1103 CDCLVC 1104 CDCLVC 1106 CDCLVC 1108 CDCLVC 1110 CDCLVC 1112 TYPE DESCRIPTION
CLKIN 1 1 1 1 1 1 1 Input 輸入引腳,用于接收LVCMOS時(shí)鐘信號(hào)
1G 2 2 2 2 2 2 2 Input 輸出使能引腳,低電平有效,可控制輸出狀態(tài)
Y0 3 3 3 3 3 3 3 Output LVCMOS輸出,未使用的輸出可以懸空
VDD 6 6 6 5 5 5 9 5 Power 2.5 - V或3.3 - V設(shè)備電源
GND 4 4 4 4 4 4 GND 設(shè)備接地引腳

4. 技術(shù)規(guī)格

4.1 絕對(duì)最大額定值

這部分規(guī)格規(guī)定了器件能夠承受的最大應(yīng)力范圍,超過(guò)這些值可能會(huì)導(dǎo)致器件永久性損壞。例如,電源電壓(VDD)的范圍為–0.5 V到4.6 V,輸入電壓(VIN)和輸出電壓(VO)的范圍為–0.5 V到VDD + 0.5 V(最大值限制為4.6 V)。 MIN MAX UNIT
VDD 電源電壓 –0.5 4.6 V
VIN 輸入電壓(注2) –0.5 VDD + 0.5 V
VO 輸出電壓(注2) –0.5 VDD + 0.5 V
IIN 輸入電流 –20 20 mA
IO 連續(xù)輸出電流 –50 50 mA
TJ 最大結(jié)溫 125 °C
Tstg 存儲(chǔ)溫度 –65 150 °C

4.2 ESD額定值

該系列具有一定的靜電放電(ESD)保護(hù)能力,人體模型(HBM)的ESD額定值為±4000 V,充電器件模型(CDM)的ESD額定值為±1500 V。在實(shí)際使用中,我們還是需要注意靜電防護(hù),以確保器件的可靠性。

4.3 推薦工作條件

這里給出了器件正常工作時(shí)的電壓、電流、頻率等參數(shù)范圍。例如,在3.3 V供電時(shí),電源電壓的推薦范圍為3.0 V到3.6 V;在2.5 V供電時(shí),推薦范圍為2.3 V到2.7 V。 MIN NOM MAX UNIT
VDD 電源電壓 3.3 - V供電 3.0 3.3 3.6 V
2.5 - V供電 2.3 2.5 2.7 V
VIL 低電平輸入電壓 VDD = 3.0 V到3.6 V VDD / 2 – 600 mV
VDD = 2.3 V到2.7 V VDD / 2 – 400 mV
VIH 高電平輸入電壓 VDD = 3.0 V到3.6 V VDD / 2 + 600 mV
VDD = 2.3 V到2.7 V VDD / 2 + 400 mV
Vth 輸入閾值電壓 VDD = 2.3 V到3.6 V VDD / 2 mV
tr / tf 輸入轉(zhuǎn)換速率 1 4 V/ns
tw 最小脈沖寬度(CLKIN) VDD = 3.0 V到3.6 V 1.8 ns
VDD = 2.3 V到2.7 V 2.75 ns
fCLK LVCMOS時(shí)鐘輸入頻率 VDD = 3.0 V到3.6 V DC 250 MHz
VDD = 2.3 V到2.7 V DC 180 MHz
TA 工作環(huán)境溫度 –40 85 °C

4.4 熱信息

了解器件的熱性能對(duì)于確保其在不同工作條件下的穩(wěn)定性非常重要。這里給出了不同封裝型號(hào)的結(jié)到環(huán)境熱阻(RθJA)和結(jié)到外殼(頂部)熱阻(RθJC(top))。 THERMAL METRIC (1) CDCLVC1102 CDCLVC1103 CDCLVC1104 CDCLVC1106 CDCLVC1108 CDCLVC11010 CDCLVC1112 UNIT
PW (TSSOP)
8 PINS 14 PINS 16 PINS 20 PINS 24 PINS
RθJA 結(jié)到環(huán)境熱阻(注2) 149.4 112.6 108.4 83.0 87.9 °C/W
RθJC(top) 結(jié)到外殼(頂部)熱阻(注3) 69.4 48.0 33.6 32.3 26.5 °C/W

4.5 電氣特性

這部分詳細(xì)描述了器件在不同工作條件下的電氣參數(shù),如靜態(tài)器件電流(IDD)、電源關(guān)斷電流(IPD)、輸出功率耗散電容(CPD)等。 PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP(注1) MAX UNIT
OVERALL PARAMETERS FOR ALL VERSIONS
IDD 靜態(tài)器件電流(注2) 1G = VDD ; CLKIN = 0 V or VDD ; IO = 0 mA; VDD = 3.6 V 6 10 mA
1G = VDD ; CLKIN = 0 V or VDD ; IO = 0 mA; VDD = 2.7 V 3 6 mA
IPD 電源關(guān)斷電流 1G = 0 V; CLKIN = 0 V or VDD ; IO = 0 mA; VDD = 3.6 V or 2.7 V 60 μA
CPD 每輸出功率耗散電容(注3) VDD = 3.3 V; f = 10 MHz 6 pF
VDD = 2.5 V; f = 10 MHz 4.5 pF
II 輸入泄漏電流(1G) VI = 0 V or VDD, VDD = 3.6 V or 2.7 V 8 8 μA
ROUT 輸出阻抗 VDD = 3.3 V 45 - 60 Ω
VDD = 2.5 V
fOUT 輸出頻率 VDD = 3 V to 3.6 V DC 250 MHz
VDD = 2.3 V to 2.7 V DC 180 MHz
OUTPUT PARAMETERS FOR VDD = 3.3 V ± 0.3 V
VOH 高電平輸出電壓 VDD = 3 V, IOH = –0.1 mA 2.9 V
VDD = 3 V, IOH = –8 mA 2.5 V
VDD = 3 V, IOH = –12 mA 2.2 V
VOL 低電平輸出電壓 VDD = 3 V, IOL = 0.1 mA 0.1 V
VDD = 3 V, IOL = 8 mA 0.5 V
VDD = 3 V, IOL = 12 mA 0.8 V
OUTPUT PARAMETERS FOR VDD = 2.5 V ± 0.2 V
VOH 高電平輸出電壓 VDD = 2.3 V, IOH = –0.1 mA 2.2 V
VDD = 2.3 V, IOH = –8 mA 1.7 V
VOL 低電平輸出電壓 VDD = 2.3 V, IOL = 0.1 mA 0.1 V
VDD = 2.3 V, IOL = 8 mA 0.5 V

4.6 開(kāi)關(guān)特性

在高速時(shí)鐘應(yīng)用中,開(kāi)關(guān)特性對(duì)于信號(hào)的質(zhì)量和傳輸速度至關(guān)重要。CDCLVC11xx的開(kāi)關(guān)特性包括傳播延遲(tPLH、tPHL)、輸出偏斜(tsk(o))、上升和下降時(shí)間(tr / tf)等。 PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
OUTPUT PARAMETERS FOR VDD = 3.3 V ± 0.3 V
tPLH, tPHL 傳播延遲 CLKIN to Yn 0.8 2.0 ns
tsk(o) 輸出偏斜 每個(gè)輸出負(fù)載相同 50 ps
tr / tf 上升和下降時(shí)間 20%–80% (VOH - VOL) 0.3 0.8 ns
tDIS 輸出禁用時(shí)間 1G to Yn 6 ns
tEN 輸出使能時(shí)間 1G to Yn 6 ns
tsk(p) 脈沖偏斜; tPLH(Yn) – tPHL(Yn)(注1) 輸入占空比為50%時(shí)測(cè)量 180 ps
tsk(pp) 部件間偏斜 兩個(gè)部件在相同工作條件下 0.5 ns
tjitter 附加抖動(dòng)均方根(注2) 12 kHz to 20 MHz, fOUT = 250 MHz 100 fs
OUTPUT PARAMETERS FOR VDD = 2.5 V ± 0.2 V
tPLH, tPHL 傳播延遲 CLKIN to Yn 1 2.6 ns
tsk(o) 輸出偏斜 每個(gè)輸出負(fù)載相同 50 ps
tr / tf 上升和下降時(shí)間 20%–80%參考點(diǎn) 0.3 1.2 ns
tDIS 輸出禁用時(shí)間 1G to Yn 10 ns
tEN 輸出使能時(shí)間 1G to Yn 10 ns
tsk(p) 脈沖偏斜; tPLH(Yn) – tPHL(Yn)(注1) 輸入占空比為50%時(shí)測(cè)量 220 ps
tsk(pp) 部件間偏斜 兩個(gè)部件在相同工作條件下 1.2 ns
tjitter 附加抖動(dòng)均方根(注2) 12 kHz to 20 MHz, fOUT = 180 MHz 350 fs

5. 應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

5.1 應(yīng)用場(chǎng)景

CDCLVC11xx適用于通用通信、工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)應(yīng)用等領(lǐng)域。其低附加抖動(dòng)和低輸出偏斜的特性,使得它能夠?yàn)檫@些應(yīng)用提供穩(wěn)定、準(zhǔn)確的時(shí)鐘信號(hào)。

5.2 典型應(yīng)用示例

這里給出了一個(gè)將CDCLVC11xx配置為扇出100 - MHz信號(hào)的示例系統(tǒng)。在這個(gè)系統(tǒng)中,CDCLVC11xx從本地LVCMOS振蕩器扇出信號(hào),CPU通過(guò)1G引腳控制輸出狀態(tài)。同時(shí),為了匹配傳輸線(xiàn)的特性阻抗,在CDCLVC11xx附近放置了合適的串聯(lián)電阻,以減少信號(hào)反射。

5.3 詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟

在設(shè)計(jì)過(guò)程中,我們需要參考電氣特性表和相關(guān)原理圖,確定匹配輸出阻抗所需的串聯(lián)電阻值。對(duì)于未使用的輸出,可以將其懸空。此外,還需要注意電源濾波和旁路電容的使用,

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