二維材料（如石墨烯和過渡金屬二硫族化物）在單層極限下展現(xiàn)出與體塊形式截然不同的優(yōu)異光電特性，例如MoS?和WS?從間接帶隙到直接帶隙的轉(zhuǎn)變，以及由其介電函數(shù)描述的強(qiáng)激子響應(yīng)，使其成為下一代光電子器件的理想候選材料。然而，精確表征這些原子級(jí)薄材料面臨巨大挑戰(zhàn)：其光相互作用路徑極短導(dǎo)致傳統(tǒng)光學(xué)技術(shù)靈敏度不足，同時(shí)其激子態(tài)對(duì)外部擾動(dòng)（如襯底、合成方法和溫度）高度敏感，導(dǎo)致光譜分析復(fù)雜化。Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀可以非接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。

本綜述系統(tǒng)闡述了光譜橢偏術(shù)在揭示二維材料（包括石墨烯、單層及多層過渡金屬二硫族化物以及有機(jī)薄膜）光學(xué)性質(zhì)方面的關(guān)鍵作用。通過整合實(shí)驗(yàn)方法、橢偏基本原理、光學(xué)建模策略和先進(jìn)分析技術(shù)，本文重點(diǎn)展示了光譜橢偏術(shù)在解析介電函數(shù)、激子共振、光學(xué)各向異性、層間相互作用以及襯底效應(yīng)等方面的卓越能力。整合了當(dāng)前基于光譜橢偏術(shù)的二維材料光學(xué)表征知識(shí)，并展望了未來的發(fā)展方向，包括測(cè)量技術(shù)改進(jìn)、與計(jì)算光子學(xué)融合以及引入人工智能加速數(shù)據(jù)分析。

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方法論

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文獻(xiàn)檢索方法

本綜述系統(tǒng)檢索了2014年至2025年間發(fā)表的主要科學(xué)文獻(xiàn)，使用的關(guān)鍵詞包括"光譜橢偏術(shù)"、"二維材料"、"過渡金屬二硫族化物"、"石墨烯"、"光學(xué)性質(zhì)"和"介電常數(shù)"。從中精選了十篇具有代表性的文章作為分析基礎(chǔ)，這些文章涵蓋了不同的材料類別、研究方法和關(guān)鍵光學(xué)現(xiàn)象。

光譜橢偏術(shù)基本原理

光譜橢偏術(shù)測(cè)量原理示意圖

光譜橢偏術(shù)通過測(cè)量?jī)蓚€(gè)基本參數(shù)來表征樣品：Ψ和Δ。Ψ描述反射或透射光中p偏振和s偏振分量的振幅比變化，Δ描述這兩個(gè)分量之間的相位差。這兩個(gè)參數(shù)組合成復(fù)橢偏比ρ：

ρ = rp/rs = tan(Ψ)e^(iΔ)

其中rp和rs分別為p和s偏振光的復(fù)菲涅爾反射系數(shù)。測(cè)量通常在斜入射角下進(jìn)行，以最大化對(duì)薄膜性質(zhì)的靈敏度。

樣品制備與數(shù)據(jù)采集

二維材料的制備主要有兩種方法：機(jī)械剝離和化學(xué)氣相沉積。機(jī)械剝離可產(chǎn)生高質(zhì)量、純凈的薄片，適合基礎(chǔ)研究；化學(xué)氣相沉積則能生長(zhǎng)大面積、均勻的薄膜，便于實(shí)際應(yīng)用。襯底選擇對(duì)測(cè)量結(jié)果有顯著影響。

光譜橢偏術(shù)數(shù)據(jù)通常使用雙旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器橢偏儀或可變角光譜橢偏儀采集，測(cè)量范圍覆蓋紫外到近紅外波段，并采用多個(gè)入射角以增強(qiáng)數(shù)據(jù)可靠性。拉曼光譜、光致發(fā)光光譜和掃描電子顯微鏡等技術(shù)常用于輔助驗(yàn)證樣品質(zhì)量。

光學(xué)建模與數(shù)據(jù)分析

將多層石墨烯/鎳的物理結(jié)構(gòu)（左）映射到用于光譜橢偏術(shù)分析的多層光學(xué)模型（右）的示意圖

從原始橢偏數(shù)據(jù)提取光學(xué)常數(shù)是一個(gè)通過模型擬合解決的反問題。核心步驟是構(gòu)建代表樣品物理結(jié)構(gòu)的分層光學(xué)模型，調(diào)整模型參數(shù)使計(jì)算出的橢偏響應(yīng)與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)匹配。

物理結(jié)構(gòu)建模：二維材料的建模可采用兩種方法：三維平板模型（將材料視為有限厚度的均勻薄膜）和二維薄片模型（用電導(dǎo)率表征無限薄層）。對(duì)于化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的多層石墨烯/鎳樣品，典型的光學(xué)模型為：空氣/表面粗糙度層/多層石墨烯/界面粗糙度層/鎳襯底。

處理非理想特性：表面和界面粗糙度通常用有效介質(zhì)近似建模。光學(xué)各向異性是重要考量：多數(shù)過渡金屬二硫族化物為單軸各向異性，需區(qū)分面內(nèi)和面外介電函數(shù)；低對(duì)稱性材料如ReS?則為雙軸各向異性。部分有機(jī)薄膜還存在折射率梯度，需用梯度層模型。

色散模型：常用模型包括：洛倫茲模型（描述激子等束縛態(tài)躍遷）、德魯?shù)履Ｐ停枋鲎杂奢d流子響應(yīng)）、德魯?shù)?洛倫茲混合模型、Tauc-洛倫茲模型（用于非晶/多晶半導(dǎo)體）和高斯振子模型（用于有機(jī)薄膜）。所有模型必須滿足Kramers-Kronig因果關(guān)系。

高級(jí)分析方法：逐點(diǎn)提取法可在無預(yù)定義模型情況下獲取各能量點(diǎn)的介電函數(shù)；臨界點(diǎn)分析通過二階導(dǎo)數(shù)增強(qiáng)分辨重疊躍遷；多角度數(shù)據(jù)聯(lián)用可同時(shí)求解厚度和介電函數(shù)；機(jī)器學(xué)習(xí)方法則可加速數(shù)據(jù)分析，減少模型依賴性。

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案例結(jié)果與討論

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金屬襯底上的多層石墨烯：界面相互作用案例

鎳襯底上多層石墨烯的光學(xué)電導(dǎo)率實(shí)部（σ?）。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)（粗綠線）在 4.38 eV 處顯示出一個(gè)顯著峰，采用法諾線型（黑色虛線）進(jìn)行擬合，該峰代表由于強(qiáng)襯底相互作用而紅移的 π→π* 躍遷

石墨烯與金屬襯底的集成對(duì)電子和光子器件至關(guān)重要。光譜橢偏術(shù)研究揭示了化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的鎳襯底上多層石墨烯的顯著界面效應(yīng)。自由懸浮石墨烯的π→π*帶間躍遷通常位于約4.6 eV，而鎳襯底上的多層石墨烯在光學(xué)電導(dǎo)率實(shí)部中顯示出位于4.38 eV的明顯峰，能量紅移約220 meV。

這一紅移是石墨烯-襯底強(qiáng)耦合的直接光譜證據(jù)，源于界面電荷轉(zhuǎn)移和石墨烯π帶與鎳d帶的雜化。該發(fā)現(xiàn)對(duì)設(shè)計(jì)石墨烯基器件具有重要指導(dǎo)意義。研究中采用的德魯?shù)?洛倫茲模型成功分解了自由載流子和束縛躍遷的貢獻(xiàn)，展示了混合色散模型對(duì)復(fù)雜材料系統(tǒng)表征的必要性。

單層過渡金屬二硫族化物：激子主導(dǎo)的光學(xué)響應(yīng)

單層 MoS? 在 300 K（上圖）和 68 K（下圖）下的介電函數(shù)虛部（ε?）。低溫光譜揭示了銳化的 A 和 B 激子，并清晰分裂為中性（A?, B?）和帶電（A?, B?）組分，這一特征依賴于生長(zhǎng)方法

單層過渡金屬二硫族化物因介電屏蔽減弱而具有強(qiáng)庫侖相互作用，其光學(xué)響應(yīng)由緊密結(jié)合的激子主導(dǎo)。介電函數(shù)虛部ε?呈現(xiàn)兩個(gè)特征峰A和B，分別對(duì)應(yīng)布里淵區(qū)K點(diǎn)由自旋軌道耦合分裂的直接帶隙躍遷。光譜橢偏術(shù)測(cè)量證實(shí)，這些單層材料在A激子共振處可吸收超過15%的入射光，凸顯了其非凡的振子強(qiáng)度。

溫度相關(guān)光譜橢偏術(shù)研究揭示了激子-聲子相互作用。隨著溫度從300 K降至低溫，A和B激子峰發(fā)生藍(lán)移且線寬顯著變窄，這是由于聲子"凍結(jié)"減少了非均勻展寬。低溫光譜還能揭示更精細(xì)的結(jié)構(gòu)：金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的MoS?單層在低溫下清晰分裂為中性激子和帶電激子組分，而常壓或低壓化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)的樣品則無此現(xiàn)象。

這表明合成方法影響樣品的缺陷分布和摻雜水平，進(jìn)而決定多體光學(xué)現(xiàn)象。光譜橢偏術(shù)因此可作為材料質(zhì)量和摻雜的診斷工具，將制備參數(shù)與器件性能直接關(guān)聯(lián)。

維度效應(yīng)與層間耦合：從體塊到單層

單層（彩色線）和體塊（灰色線）過渡金屬二硫族化物（MoSe?, WSe?, MoS? 和 WS?）的介電函數(shù)（ε?）對(duì)比

光譜橢偏術(shù)可對(duì)比分析不同層數(shù)材料的光學(xué)性質(zhì)演變。體塊與單層過渡金屬二硫族化物的介電函數(shù)對(duì)比顯示：A激子（主要局域于過渡金屬原子）從體塊到單層僅發(fā)生微弱藍(lán)移，表明其電子態(tài)層間耦合較弱；而C和D躍遷（涉及更多硫族元素特征，層間離域性強(qiáng)）在單層極限下發(fā)生顯著藍(lán)移，這是介電屏蔽減弱和量子限制效應(yīng)的直接體現(xiàn)。因此，高能躍遷的能量可作為層厚和層間相互作用的敏感探針。

多層過渡金屬二硫族化物的極端各向異性與雙曲色散

多層 MoS?、MoSe?、MoTe?、WS? 和 WSe? 的復(fù)介電函數(shù)的面內(nèi)（粗線）和面外（細(xì)線）分量

多層過渡金屬二硫族化物展現(xiàn)出引人注目的光學(xué)性質(zhì)。光譜橢偏術(shù)測(cè)量顯示，在近紅外波段它們具有極高的面內(nèi)折射率，如MoTe?在1550 nm處n∥≈4.84，遠(yuǎn)超硅等傳統(tǒng)材料。其層狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)致強(qiáng)單軸光學(xué)各向異性，雙折射值可達(dá)1.54。

穆勒矩陣橢偏術(shù)能解析低對(duì)稱性材料的完整介電張量。在雙軸晶體ReS?中，可區(qū)分三個(gè)獨(dú)立的介電分量，揭示復(fù)雜的面內(nèi)各向異性。更引人注目的是，金屬性過渡金屬二硫族化物如TaS?和TaSe?在低于臨界波長(zhǎng)時(shí)，面內(nèi)介電函數(shù)實(shí)部變?yōu)樨?fù)值而面外分量保持正值，形成II型天然雙曲介質(zhì)。這類材料無需人工納米制備即可支持高波矢?jìng)鞑ツＪ剑诔直娉上?、自發(fā)發(fā)射增強(qiáng)和等離激元器件方面具有廣闊應(yīng)用前景。

有機(jī)薄膜：加工工藝與性質(zhì)梯度的影響

有機(jī)薄膜的光學(xué)性質(zhì)受加工工藝顯著影響。spiro-OMeTAD等薄膜可能呈現(xiàn)隨深度變化的折射率梯度，需采用梯度折射率模型進(jìn)行精確表征。襯底處理可改變分子排列和薄膜密度，進(jìn)而影響光學(xué)各向異性。光譜橢偏術(shù)能夠量化這些效應(yīng)，指導(dǎo)工藝優(yōu)化。

本綜述系統(tǒng)審視了光譜橢偏術(shù)在二維材料研究中的重要作用。作為非侵入、高靈敏度的表征技術(shù)，光譜橢偏術(shù)為理解原子級(jí)薄系統(tǒng)的光-物質(zhì)相互作用提供了關(guān)鍵手段。主要結(jié)論如下：

首先，光譜橢偏術(shù)能夠定量獲取復(fù)介電函數(shù)，這是理解二維材料光學(xué)性質(zhì)的基礎(chǔ)。其對(duì)偏振變化的靈敏度使單層材料的光學(xué)常數(shù)和厚度提取成為可能。對(duì)于單層過渡金屬二硫族化物，光譜橢偏術(shù)直接量化了超過15%吸收率的強(qiáng)激子共振，并在特定條件下解析了中性激子與帶電激子的精細(xì)分裂。

其次，光譜橢偏術(shù)揭示了外部因素和維度對(duì)光學(xué)響應(yīng)的調(diào)控作用。鎳襯底誘導(dǎo)石墨烯π→π*躍遷紅移，體現(xiàn)了襯底效應(yīng)的重要性。合成方法影響激子物種的分布，表明制備工藝可調(diào)控多體物理現(xiàn)象。從體塊到單層的維度轉(zhuǎn)變導(dǎo)致高能躍遷顯著藍(lán)移，反映了量子限制和介電屏蔽變化。

第三，先進(jìn)橢偏技術(shù)如穆勒矩陣橢偏術(shù)開啟了復(fù)雜光學(xué)現(xiàn)象的研究。多層過渡金屬二硫族化物具有高折射率和強(qiáng)各向異性，是集成光子學(xué)的理想材料。金屬性過渡金屬二硫族化物中的自然雙曲色散為新型光子器件提供了材料基礎(chǔ)。

然而，光譜橢偏術(shù)仍面臨模型依賴性、空間分辨率有限以及復(fù)雜樣品表征困難等挑戰(zhàn)。未來發(fā)展方向包括：原位監(jiān)測(cè)生長(zhǎng)過程、與計(jì)算光子學(xué)結(jié)合實(shí)現(xiàn)器件理性設(shè)計(jì)、以及引入人工智能加速數(shù)據(jù)分析。人工智能有望實(shí)現(xiàn)模型自動(dòng)選擇、光譜模式識(shí)別和高通量篩選，顯著提升表征效率。綜上所述，光譜橢偏術(shù)不僅為理解二維材料的光學(xué)世界提供了深刻視角，其自身也在不斷發(fā)展，將繼續(xù)作為原子尺度光電子系統(tǒng)研究和應(yīng)用的核心分析技術(shù)。

Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀

flexfilm

Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀擁有高靈敏度探測(cè)單元和光譜橢偏儀分析軟件，專門用于測(cè)量和分析光伏領(lǐng)域中單層或多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如厚度）和物理參數(shù)（如折射率n、消光系數(shù)k）

• 先進(jìn)的旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器測(cè)量技術(shù)：無測(cè)量死角問題。
• 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測(cè)量：先進(jìn)的光能量增強(qiáng)技術(shù)，高信噪比的探測(cè)技術(shù)。
• 秒級(jí)的全光譜測(cè)量速度：全光譜測(cè)量典型5-10秒。
• 原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度：測(cè)量精度可達(dá)0.05nm。

Flexfilm費(fèi)曼儀器全光譜橢偏儀能非破壞、非接觸地原位精確測(cè)量超薄圖案化薄膜的厚度、折射率,結(jié)合費(fèi)曼儀器全流程薄膜測(cè)量技術(shù)，助力半導(dǎo)體薄膜材料領(lǐng)域的高質(zhì)量發(fā)展。

原文參考：《SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY FOR TWO-DIMENSIONAL MATERIALS: METHODS,OPTICAL MODELING, AND EMERGING PHENOMENA》

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