在前面的部分中,使用標(biāo)量模型描述了成像過程,但其中不包括任何偏振現(xiàn)象，而高數(shù)值孔徑系統(tǒng)的應(yīng)用引入了幾個(gè)重要的偏振效應(yīng)。本節(jié)將概述照明必須考慮的相關(guān)偏振效應(yīng)、掩模的光衍射、高NA投影物鏡光瞳的描述以及在空氣和光刻膠中的圖像形成。接下來，先介紹定義偏振狀態(tài)的一些術(shù)語。

光的偏振態(tài)是由電場矢量的方向決定的。一般而言,光的組成部分包括具有電場矢量方向隨機(jī)分布的非偏振分量和具有明確方向電場矢量的完全偏振分量E。偏振度(DoP)定義為

線偏振光的電場矢量方向不會隨時(shí)間變化,由偏振角確定。光刻中常用的偏振光是x/y向偏振光和切向偏振光,x/y向偏振光的電場矢量方向在x或y方向，切向偏振光的電場矢量方向取決于光源點(diǎn)在照明光瞳中的位置。對于線空圖形，TE偏振光和TM偏振光通常分別表示平行和垂直于圖形方向的電場矢量。

8.3.1掩模偏振效應(yīng)

當(dāng)掩模圖形特征尺寸達(dá)到與波長數(shù)量級或以下時(shí)，其光衍射是和偏振相關(guān)的，這可以在圖8-20中得到證明，其顯示了密集線空圖形掩模的衍射效率。其中，衍射效率由衍射光強(qiáng)度與入射光強(qiáng)度的比值定義,它可通過不同的掩模模型計(jì)算得到。

標(biāo)量基爾霍夫理論(參見2.2.1節(jié))展示了相對于掩模特征圖形間距的恒定衍射效率，同時(shí)也表明了特定衍射級的衍射效率迅速截止于所對應(yīng)的掩模間距。通過麥克斯韋方程組的數(shù)值解法(參見9.1節(jié))對掩模衍射過程進(jìn)行嚴(yán)格建模,提供了一種對該問題的正確物理描述。對于大間距的掩模圖形,衍射效率不依賴于偏振態(tài)并且接近基爾霍夫理論的預(yù)測;但對于周期小于200 nm(晶圓坐標(biāo))的圖形,掩模衍射表現(xiàn)出強(qiáng)烈的偏振依賴性。因此,具有小特征圖形的光刻掩模會引人標(biāo)量基爾霍夫理論無法預(yù)測的偏振效應(yīng)[25]。更多關(guān)于光刻掩模光學(xué)衍射的嚴(yán)格分析將在9.2.1節(jié)中討論。

8.3.2 成像過程中的偏振效應(yīng)

光刻圖像是由從投影物鏡出瞳出射的平面波干涉產(chǎn)生的。干涉的結(jié)果取決于平面波的偏振態(tài),這可以通過簡單的兩個(gè)平面波的雙光束干涉來證明(圖8-21)。這些光波的偏振態(tài)是由波的電場矢量方向相對于兩個(gè)波傳播矢量定義的平面來確定的。對于TE偏振光,電場矢量方向垂直于該平面,而TM偏振光的電場矢量方向則在該平面內(nèi)。

式中,0為干涉波之間的半角，F(xiàn)=2mn/是干涉波在折射率為n的材料中的傳播矢量的大小。圖8-21顯示了該方程在不同角度0下的曲線圖。正如預(yù)期的那樣,較大的角度會導(dǎo)致獲得的干涉圖案間距較小。對于TE偏振光,兩個(gè)干涉波的電場矢量總是相互平行的。因此,所得干涉圖案的對比度與0無關(guān)。相反，對于TM偏振光,電場矢量的方向和對比度隨著0的變化而變化。對于0=45，干涉波的電場矢量是互相垂直的，導(dǎo)致了恒定的光強(qiáng)和零對比度。而較大的0值會引起對比度反轉(zhuǎn)。

圖8-22和圖8-23所示為偏振效應(yīng)對不同掩模和照明條件下得到的密集線空圖形空間像的影響。為了比較在不同數(shù)值孔徑下的結(jié)果，通過調(diào)整掩模圖形間距來獲得恒定的阿貝-瑞利因子k1。圖中的x軸也已歸一化到k1。

在高數(shù)值孔徑，h1=0.5的中等條件下，衰減型相移掩模的成像結(jié)果顯示了TM偏振光的顯著對比度損失;而對于非偏振光,這種對比度損失則不那么明顯。對于交替型相移掩模在k1=0.3和TM偏振光條件下的成像,在最大數(shù)值孔徑情況下可以觀察到圖像反轉(zhuǎn);而此時(shí)非偏振光的偏振效應(yīng)仍然明顯。

8.3.3 光刻膠和晶圓堆棧界面的偏振效應(yīng)

在光學(xué)光刻中，圖像是在位于其他膜層(包括基底)堆棧頂部的光刻膠中生成的。在大多數(shù)情況下，這種膜層序列可以認(rèn)為是平面的。光在膜層與膜層界面處的反射和折射引人了兩個(gè)重要的效應(yīng)。首先，考慮光刻膠和空氣/浸液界面處的效應(yīng)，光在該界面的折射改變了干涉平面波的方向以及TM偏振光成像的對比度。此外，光在光刻膠表面的反射率和透射率取決于入射光的方向和偏振態(tài)。圖8-24所示為計(jì)算得到的光在空氣/光刻膠界面處的反射率。

分別確定TE和TM偏振光在入射角為0,時(shí)的反射率。TE偏振光的反射率是單調(diào)增加的，但對于TM偏振光，存在一個(gè)特殊的人射角,沿著該角度人射，將沒有光被反射，這就是所謂布魯斯特角:

TM偏振光比TE偏振光能更好地耦合到光刻膠，特別是當(dāng)大角度人射時(shí)。然而,TM偏振光的干涉對比度較低。

光在平面堆棧中多個(gè)界面處的折反射可以通過傳遞矩陣法來表示[27]。該方法將菲涅耳方程(8-13)與其他描述均勻介質(zhì)內(nèi)光的傳播和吸收的項(xiàng)相結(jié)合。這種方法也可以捕捉到不同界面反射光的干涉。傳遞矩陣法提供了可用245子計(jì)算多層堆棧中任意位置向下和向上傳播的光的解析表達(dá)式。它可以應(yīng)用于任意的層數(shù)、折射率n和消光系數(shù).(或吸收系數(shù)a=4k/入)、入射角和偏振態(tài)。下面介紹一些具體的例子。

圖8-25所示為計(jì)算得到的立體像,即光刻膠內(nèi)部的光強(qiáng)分布,圖中顯示了基于與光刻膠表面法線方向成入射角0的單個(gè)平面波的曝光結(jié)果。光刻膠位于硅基襯底的頂部,對于193nm波長的光,硅基襯底會反射大量的人射光,人射光與反射光的干涉會導(dǎo)致駐波圖形，該圖形與因光刻膠的吸收而造成的強(qiáng)度損失疊加。當(dāng)人射光垂直人射時(shí)，反射與偏振態(tài)無關(guān),因此左圖中只顯示了TE或TM偏振光的其中一種光強(qiáng)分布。

斜入射會引起所得強(qiáng)度圖形的偏振相關(guān)性。人射角0=60接近空氣/光刻膠界面的布儒斯特角0Brcwke=59.5,因此TM偏振入射光的平均強(qiáng)度高于TE偏振入射光。然而，對于TE偏振光，人射光和反射光的電場矢量相互平行,故駐波圖形的對比度較高;而TM偏振光的人射/反射光電場矢量不平行,可以觀察

到駐波圖形中相應(yīng)的對比度損失。TE偏振光的高對比度和TM偏振光更好的耦合效率之間的相互作用可由雙光束干涉曝光的仿真立體像證明，如圖8-26所示。該圖展示了基于兩種不同基底材料和兩種偏振態(tài)的光強(qiáng)分布。玻璃基底的折射率接近光刻膠的折射率,這使得從襯底回返到光刻膠的反射較弱，因而產(chǎn)生高對比度的線空圖形。TM偏振光能更好地耦合到光刻膠，但會損失一定的對比度。

圖8-26下行中硅基襯底的強(qiáng)度分布顯示了線空圖形的疊加,圖8-25中已經(jīng)觀察到由襯底的高反射率引起的駐波圖形。數(shù)個(gè)類似的圖形已被Fagello和Milster進(jìn)行了詳細(xì)的討論[28]。

8.3.4 投影物鏡中的偏振效應(yīng)和矢量成像模型

為了避免投影物鏡內(nèi)的光向后反射以及朝照明系統(tǒng)傳播的逆向傳輸光,投影物鏡中的光學(xué)元件均涂有抗反射層。這些抗反射層僅針對一定入射角范圍進(jìn)行了優(yōu)化。在高數(shù)值孔徑系統(tǒng)中，不同級次衍射光到達(dá)光學(xué)系統(tǒng)表面的人射角范圍比較大,因而其引人了各種與偏振相關(guān)的振幅和相位效應(yīng),這些效應(yīng)隨光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)衍射光的方向而變化。引人瓊斯光瞳J(f，f,)可以表述由此產(chǎn)生的投影物鏡的偏振相關(guān)相位和振幅特性。瓊斯光瞳由八個(gè)標(biāo)量光瞳函數(shù)組成,其中四個(gè)是表示兩個(gè)正交偏振態(tài)相位和切矢的標(biāo)量光瞳函數(shù),另外四個(gè)是描述正交偏振態(tài)振幅和相位之間耦合的標(biāo)量光瞳函數(shù)。這些傳遞函數(shù)可以分解為分別對應(yīng)波前、切趾、衰減和延遲這些基本物理效應(yīng)的光瞳圖[29.30]。其中,波前像差和切趾(光瞳上的透射率變化)的成像效應(yīng)已在標(biāo)量成像中研究過，部分內(nèi)容也在8.1節(jié)中被討論過。衰減和延遲引人了額外的效應(yīng),這些效應(yīng)取決于人射偏振態(tài)的相對方向和瓊斯光瞳的主軸方向(更詳細(xì)內(nèi)容請參閱 Ruoff和Totzeck的文章[30])。

相比，矢量模型能預(yù)測得到該圖形成像有顯著的對比度損失。

將上述矢量成像模型與傳輸矩陣算法相結(jié)合,用于對平面系統(tǒng)中的光傳播過程進(jìn)行建模,并計(jì)算光刻膠內(nèi)部的圖像強(qiáng)度分布。圖8-28所示為交替型相移掩模在光刻膠內(nèi)成像的強(qiáng)度分布計(jì)算截面。假設(shè)使用折射率匹配的襯底材料,由此產(chǎn)生的偏振效應(yīng)沒有圖8-23中相應(yīng)的空間像那么明顯。這是由光在空氣/光刻膠界面的折射引起的,光在光刻膠內(nèi)較小的傳播角減少了TM偏振光的對比度損失。

8.3.5偏振照明

如圖8-28所示，當(dāng)數(shù)值孔徑接近0.7時(shí),TE偏振光和非偏振光的強(qiáng)度分布具有幾乎相同的對比度。類似情況的進(jìn)一步成像仿真表明，非偏振光可用于NA0.7時(shí)的光刻成像。大多數(shù)數(shù)值孔徑低于0.75的掃描投影光刻機(jī)采用非偏振光照明。然而,當(dāng)數(shù)值孔徑進(jìn)一步增大時(shí)，非偏振光無法提供最佳的圖像對比度和光刻性能。因此，偏振照明被引入到高數(shù)值孔徑光刻成像中。

根據(jù)之前的結(jié)果，TE偏振光能顯著改善單一方向線空圖形的對比度。一般而言,掩模上包含具有不同方向的線空圖形和2D特征圖形(具有平行于x/y兩個(gè)方向的吸收層邊界)。對于這些情況,最佳偏振態(tài)是什么,如何產(chǎn)生最佳偏振態(tài)?投影物鏡光瞳內(nèi)衍射光的偏振態(tài)是難以修改的,相反,照明光學(xué)系統(tǒng)內(nèi)的偏振調(diào)制器可以用來顯著改善所獲得的圖像。如圖8-29所示,接觸孔陣列圖形在不同照明偏振態(tài)條件下的計(jì)算空間像。

對所有光源點(diǎn)均采用恒定線性偏振,則會產(chǎn)生極不對稱的圖像。圖8-29左圖沿y方向的偏振光能在x方向產(chǎn)生良好的圖像調(diào)制，但在y方向產(chǎn)生了較差的調(diào)制;中圖的沿x方向偏振光則表現(xiàn)出相反的效果。兩個(gè)方向的最佳圖像對比度是通過圖8-29右圖的切向偏振獲得的。

本節(jié)中的例子是基于干式光刻的，即在折射率為1.71的光刻膠上部是折射率為1.0的空氣。相比于偏振態(tài)對空氣中圖像對比度的影響，光在空氣/光刻膠界面處的折射減小了光在光刻膠內(nèi)部的傳播角,降低了偏振對光刻膠中圖像對比度的影響。對于具有水(n=1.44)和光刻膠(n=1.7)界面的浸沒式光刻,衍射的這種減輕效果不太明顯。換言之，即使具有相似的工藝因子k，浸沒式光刻中的偏振效應(yīng)也比干式光刻中的偏振效應(yīng)更明顯。在EUV光譜范圍內(nèi)，所有材料的折射率都接近于1，偏振效應(yīng)將完全轉(zhuǎn)移到光刻膠中。

更詳細(xì)的關(guān)于高數(shù)值孔徑成像計(jì)算和相關(guān)效應(yīng)的內(nèi)容超出了本書的范圍。全面的數(shù)學(xué)處理方法和物理解釋可以參考Yeung等人[3.33、Elagello和Rosenbluth[34]、Totzeck等人[35]的文章,以及 Tony Yen和Shinn-Sheng Yu最近出版的一本書[36]。

8.4 投影光刻機(jī)中的其他成像效應(yīng)

掩模工件臺和晶圓工件臺的微小振動,以及掃描曝光期間掩模和晶圓運(yùn)動的不完美同步，會引入縱向和軸向圖像模糊效應(yīng)。這些效應(yīng)可以通過對未受干擾的圖像與適當(dāng)?shù)母怕拭芏群瘮?shù)或模糊內(nèi)核的卷積來表示[37]。穿過像場的掃描運(yùn)動導(dǎo)致來自投影物鏡系統(tǒng)不同視場位置的像差被平均化。雖然焦點(diǎn)位置的微小模糊可用于增加焦深，但會降低圖像對比度(請參閱4.6節(jié)中焦點(diǎn)鉆孔法或FLEX概念的內(nèi)容)。有效仿真這些效應(yīng)的多種方法已在本章后的參考文獻(xiàn)[38]中被討論到。

到目前為止，所介紹的內(nèi)容基于假設(shè)的是完全單色光。實(shí)際中所使用的準(zhǔn)分子激光光源是具有十分之幾皮米的帶寬。這種有限照明帶寬的主要影響是焦平面位置會隨波長發(fā)生微小的變化。據(jù)2006年的相關(guān)報(bào)道，每皮米的波長偏移會引起200~500nm的離焦量[39]。焦點(diǎn)模糊的建模方法涉及具有適當(dāng)模糊內(nèi)核的卷積(類似于工件臺振動建模的方法;請參閱上一段中的參考文獻(xiàn))。可以通過仿真和實(shí)驗(yàn)的方法來探索帶寬效應(yīng)對光刻成像的影響[39-41]。