電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在剛剛結(jié)束的?GTC 2026上，英偉達推出了Vera Rubin POD，這是一套極致的軟硬件協(xié)同設(shè)計的多機架系統(tǒng)組成的集群，也是一臺AI超級計算機。

具體來說，Vera Rubin POD通過將負責(zé)計算、網(wǎng)絡(luò)和存儲功能的七種芯片（包括Rubin GPU、Vera CPU、NVLink 6 Switch、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU、Spectrum-6 Ethernet Switch，以及集成Groq 3 LPU）進行整合，形成一個擁有40個機架結(jié)構(gòu)、1200萬億個晶體管、接近20000個英偉達die、1152個Rubin GPU、60 exaflops算力和10 PB/s 總scale-up帶寬的AI超算。

Vera Rubin POD由 5 種專用機架組成，包括NVL72 計算架、Groq LPX 推理架、Vera CPU 架、BlueField-4存儲架和Spectrum-6 網(wǎng)絡(luò)架，而這些機架都是基于第三代NVIDIA MGX機架架構(gòu)設(shè)計。而作為一套為超高密度AI工廠設(shè)計的，擁有40機架規(guī)模的AI超級計算機POD，功率密度需求同樣驚人，完整的40機架POD總功率可高達數(shù)百MW，因此英偉達從去年開始就一直在推動800VDC高壓直流供電架構(gòu)，以替換傳統(tǒng)的415VAC和48/54 VDC的供電架構(gòu)，以滿足Rubin平臺的電力需求。

根據(jù)英偉達Rubin平臺交付的計劃，目前芯片已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，NVL72等機架正在同步生產(chǎn)，預(yù)計Vera Rubin平臺產(chǎn)品包括POD、NVL72機架將從2026下半年由系統(tǒng)制造商合作伙伴交付。

因此，在Rubin平臺臨近交付的節(jié)點，今年的GTC上，一些800VDC架構(gòu)生態(tài)合作伙伴也展示了最新的相關(guān)方案，從各家的方案來看800V-50V、800V-12V、800V-6V單級轉(zhuǎn)換是目前800VDC供電架構(gòu)中最核心的模塊之一。

德州儀器

TI 在 NVIDIA GTC 上展示了全面的800 VDC電源架構(gòu)解決方案，該方案僅需要兩個功率轉(zhuǎn)換級，即可將 800V 轉(zhuǎn)換為 GPU 核心電源：首先通過高峰值效率的緊湊型800V 至 6V 隔離式母線轉(zhuǎn)換器，其后再通過高電流密度的 6V 至 1V 以下多相降壓解決方案。具體包括：

800V熱插拔控制器：可擴展的熱插拔解決方案，提供 800V 電源軌的輸入保護，支持安全熱插拔和故障隔離。

800V至6V DC/DC 匯流排轉(zhuǎn)換器：高密度設(shè)計，集成GaN功率級，峰值效率達 97.6%，功率密度> 2,000 W/in3，適用于計算托盤應(yīng)用。這是方案中的核心創(chuàng)新，只用一個功率轉(zhuǎn)換級就將800V降到6V，通過縮短轉(zhuǎn)換的路徑減少轉(zhuǎn)換損失，同時也是GaN高頻功率器件在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的標(biāo)桿案例之一。

6V至<1V多相降壓轉(zhuǎn)換器：專為先進 GPU 核心設(shè)計的高電流解決方案，與傳統(tǒng) 12V 設(shè)計相比功率密度更高，采用雙相功率級，支持極低電壓高電流需求。

30kW 800V高功率密度AC/DC電源：適用于AI服務(wù)器的AC到800V DC轉(zhuǎn)換，高密度設(shè)計，支持大規(guī)模AI負載。

800V 電容器組單元（CBU）：采用 EDLC（雙電層電容器）超級電容單元，功率密度達40 W/in3，在GPU瞬間高負載時提供即時能量補償，增強整個供電系統(tǒng)的動態(tài)響應(yīng)穩(wěn)定性，類似于Vera Rubin POD的Intelligent Power Smoothing 功能。

800V至12V DC/DC匯流排轉(zhuǎn)換器：用于計算托盤中非核心組件的電源轉(zhuǎn)換，部分場景兼容12V負載。

納微半導(dǎo)體

從800V到6V的單級轉(zhuǎn)換，是目前800VDC架構(gòu)中最核心的一個部分，也是難度最高的部分。納微半導(dǎo)體在GTC2026上推出了采用GaNFast技術(shù)的新型800V-6V DC/DC電源轉(zhuǎn)換板，在滿負荷運行時，其峰值效率可高達96.5%。該電源模塊的開關(guān)頻率為1MHz，因此能夠?qū)崿F(xiàn)2100W/in3的功率密度。其厚度比手機還要薄約20%，這種超薄的設(shè)計使得它能夠與GPU芯片緊密集成在一起，從而最大限度地提升系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)能力，并提高電能分配效率。

圖源：navitas

初級側(cè)電路采用16 顆 650V GaNFast 功率管，采用最新 DFN8×8 雙面散熱封裝，以堆疊全橋結(jié)構(gòu)配置。中心抽頭輸出端采用 25V硅基MOSFET。1MHz 開關(guān)頻率允許使用最小尺寸的無源器件與平面磁件，實現(xiàn)最高功率密度。

英諾賽科

英諾賽科在GTC2026上重點展示800V-to-50V全氮化鎵電源模塊方案。該模塊位于AI服務(wù)器電源系統(tǒng)的關(guān)鍵前級轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，采用英諾賽科最新的第三代氮化鎵器件（8顆650V GaN 和 32顆100V GaN），可將 800V高壓直流母線電壓直接轉(zhuǎn)換為50V服務(wù)器標(biāo)準(zhǔn)電壓，為后端GPU服務(wù)器提供穩(wěn)定、高效的輸入電源。

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圖源：英諾賽科

同時，在NVIDIA本次現(xiàn)場展示的全套800V HVDC AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案生態(tài)中，除了英諾賽科自己展示的方案以外，超過半數(shù)NVIDIA合作伙伴的電源系統(tǒng)方案，均以英諾賽科氮化鎵器件為核心構(gòu)建。

英諾賽科表示，目前公司已成為全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體供應(yīng)商之一。在NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem中，公司推出的800V-50V、800V-12V、800V-6V氮化鎵核心電源模塊，可有效滿足下一代AI數(shù)據(jù)中心800V HVDC電源架構(gòu)對高效率、高功率密度電源轉(zhuǎn)換的核心需求。

意法半導(dǎo)體

ST與NVIDIA 深度合作，推出800 VDC AI 數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合擴展，包含三種電壓架構(gòu)+三塊高功率交付板，專為Vera Rubin POD、NVL72 等超高密度 AI 機架設(shè)計。

2025年ST推出了800V-50V的DC/DC方案，該方案展示了一款緊湊型GaN LLC 諧振變換器，可直接接入 800V 高壓，工作頻率達 1MHz，轉(zhuǎn)換效率超98%，并在手機大小的體積內(nèi)，實現(xiàn)50V輸出時功率密度突破2600W/in3。今年ST推出了800V-12V（6 kW PDB），800V-6V（20 kW PDB）的方案。

其中6kW PDB是開關(guān)頻率為850 kHz LLC轉(zhuǎn)換器，峰值效率達到97.5%，功率密度達到2500W/in3，原邊采用700 V GaN，副邊采用40 V 低壓MOSFET；12kW PDB是開關(guān)頻率為650 kHz的八級堆疊LLC轉(zhuǎn)換器，峰值效率96.5%，原邊采用120 V GaN，副邊25 V MOSFET，特拓撲上把傳統(tǒng)全橋拆成兩組4個小型并聯(lián)整流橋，縮小鐵氧體磁芯、分散熱量。

英飛凌

英飛凌以其CoolGaN技術(shù)為核心，向業(yè)界展示了針對NVIDIA 800 VDC架構(gòu)的兩款高壓中間匯流排轉(zhuǎn)換器（HV IBC）參考設(shè)計。

其中一款參考設(shè)計將800 VDC直接轉(zhuǎn)換為50 V中間總線，采用輸入串聯(lián)輸出并聯(lián)（ISOP）的拓撲結(jié)構(gòu)，由兩個3 kW模塊并聯(lián)組成，總連續(xù)功率達到6 kW，并在400微秒內(nèi)可支持高達10.8 kW的瞬態(tài)峰值輸出。它的峰值效率超過98%，功率密度達到2500 W/in3，整體尺寸控制在60 mm × 60 mm × 11 mm的緊湊方形封裝內(nèi)。

另一款是800 VDC轉(zhuǎn)換為12 V輸出的參考設(shè)計，同樣基于ISOP半橋LLC拓撲，并引入矩陣變壓器技術(shù)，連續(xù)功率6 kW，瞬態(tài)峰值同樣支持10.8 kW，峰值效率達到98.2%，滿載效率97.1%，功率密度超過2300 W/in3。在體積上也非常亮眼，高度僅8 mm，占地130 mm × 40 mm。這種極致扁平化設(shè)計極大地方便了液冷板上集成和服務(wù)器主板的緊湊布局，為超高密度GPU配置騰出了寶貴空間。

兩款設(shè)計都大量使用了英飛凌自家的650 V CoolGaN功率器件作為原邊開關(guān)元件，結(jié)合EiceDRIVER柵極驅(qū)動器和PSoC微控制器實現(xiàn)精準(zhǔn)控制。副邊則采用OptiMOS7系列低壓功率MOSFET，確保高效同步整流。

EPC

EPC開發(fā)了一款基于氮化鎵的 6 kW 直流轉(zhuǎn)換器，直接將 800 VDC 降壓至 12.5 VDC。該設(shè)計利用了氮化鎵低損耗、高開關(guān)頻率的特性，滿載效率接近 97%。該轉(zhuǎn)換器采用輸入串聯(lián)、輸出并聯(lián)（ISOP）的 LLC 拓撲，將系統(tǒng)拆分為 8個相同模塊。同時整機占地面積約 5000平方毫米，厚度不足 8 毫米，非常適合高密度的 GPU 服務(wù)器布局。

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圖源：EPC

EPC表示在該方案中，半橋 LLC 諧振變換器成為高功率、高頻轉(zhuǎn)換的首選。利用諧振槽實現(xiàn)軟開關(guān)操作，大幅降低了開關(guān)損耗。相比于硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器，LLC 拓撲具有更優(yōu)的熱性能和更高的功率密度，是 800V 母線電壓下機柜級轉(zhuǎn)換器的理想選擇。

安森美

安森美在這次GTC上重點展出了其800V/12V IBC板卡，該方案基于安森美領(lǐng)先的SiC技術(shù)，能夠為高壓總線架構(gòu)下的關(guān)鍵轉(zhuǎn)換節(jié)點提供高效、可靠的保護與轉(zhuǎn)換能力，其在提升能效、降低數(shù)據(jù)中心總體持有成本（TCO）方面具備顯著優(yōu)勢，是面向下一代高壓數(shù)據(jù)中心架構(gòu)的關(guān)鍵使能方案。

安森美表示，作為業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠提供從電網(wǎng)到GPU全鏈路電源方案的供應(yīng)商之一，安森美依托其先進的碳化硅（SiC）和垂直氮化鎵（vGaN）技術(shù)產(chǎn)品組合，覆蓋了AI數(shù)據(jù)中心電力轉(zhuǎn)換的多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)：在數(shù)據(jù)中心供電入口處，安森美EliteSiC分立器件與功率模塊可有效提升能效與功率密度。在電源供應(yīng)器（PSU）和電池備用單元中，SiC Cascode JFET與PowerTrench T10 Si MOSFET的組合，為高功率AC-DC轉(zhuǎn)換提供了理想選擇。在整個供電鏈路中，安森美還提供熱插拔保護、eFuse等方案，確保系統(tǒng)在全負載范圍內(nèi)可靠運行。